• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.4
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• pp.361-373
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• 1992

이온이나 플라즈마를 사용해서 박막형성이나 MBE진공증착법에 비해서 분자배열이나 고차구조의 제어 및 그의 다양성에 있어서 LB법에 대한 기대가 크다. 특히 습식법인 점에서 생체기능을 짜넣을 수 있는 분자소자의 개발에는 불가능하다. 역으로 생체분자의 자기조직화나 정보전달기능을 분자 Level로 이해하는 점에서도 LB법은 중요하다고 본다. 또 저차원자성체 전도체 여기자등 물리량에 의한 차원성을 고찰하는 점에서도 LB막의 거동이 주목되고 있다. 또 자발분극된 강유전성의 고분자 즉 Poly등의 박막에 광조사를 하면 광생성된 캐리어가 내부전계에 따라서 이동하고 ~$10^{4}$V 정도의 높은 광기전력을 발생시키는 것도 나타났다. 얻어진 전류는 단지 초전효과를 상회하고 광전류라고 할 수 있다. 쇼트키형 소자의 금속-반도체의 절연막층을 MIS형이라고 하며 특성이 향상된다. SnO$_{2}$/NiPc/Polyethylene막/Al형 광전지가 만들어졌다. 광전변환막이 다양한 목적에 사용되리라 사료되며 지금은 초기 연구단계이나 실용화하는데는 많은 시간이 소요되나 간단한 디바이스 등과 같은 것은 제작이 가능할 것이며 광에너지로 힌한 화학, 전기, 역학 에너지로 변환되는 데는 시간 문제인것 같다. 1년간 일본 동경공업대학 생명이공학부에서 연구한 내용을 정리하여 보았으며 이에 협조하여 주신 문교부 학술진흥재단에 감사드리며 또 등평연구실에 감사드린다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.1
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• pp.111-116
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• 2006

In this paper, the image sensor using the a-Si:H TFT is proposed. The optimum amorphous silicon thin film is deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). TFT and photodiode both with the thin film are fabricated and form image sensor. The photodiode shows that Idark is $10^{-12}A$, Iphoto is $10^{-9}A$ and Iphoto/Idark is $10^3$, respectively. In the case of a-Si:H TFT, it indicates that Ion/Ioff is $10^6$, the drain current is a few ${\mu}A$ and Vth is $2\~4$ volts. For the analysis on the fabricated image sensor, the reverse bias of -5 voltage in ITO of photodiode and $70{\mu}sec$ pulse in the gate of TFT are applied. The image sensor with good property was conformed through the measured photo/dark current.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.05a
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• pp.775-777
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• 2016

In this paper presents an analysis of pulsed radiation effects of unit devices. Unit devices are the nMOSFET, pMOSFET, NPN Transistor and those fabricated by the 0.18um CMOS process. Pulsed radiation test results in nMOSFET, the photocurrent of tens nA was generated in $2.07{\times}10^8rad(si)/s$. For the pMOSFET, a photocurrent generation was not observed in $3{\times}10^8rad(si)/s$. For the NPN transistor, the photocurrent was generated with about 1uA. Therefore, the MOSFET must be used than BJT transistor when radhard IC design.

• Ceramist
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• v.20 no.3
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• pp.115-124
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• 2017

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.444-444
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• 2008

EL은 LCD와 같은 수광 형태의 소자에 비해 응답속도가 빠르고, 자체 발광 형태의 디스플레이로 휘도가 우수하며 구조가 간단하여 제조가 용이하고 경량 박형의 장점을 가지고 있다. EL을 이용하여 세븐 세그먼트나 픽셀별 발광으로 표시소자를 제작하였다. EL 소자의 구조는 전극은 금, 유전체는 PMN과 PZT를 이용하였으며 형광체를 적층하고 ITO를 증착하여 제작하였다. 4*4mm로 크기의 픽셀이 49개가 들어간 소자를 제작하고 ITO와 하부 전극을 교차하여 매트릭스 타입으로 제작하였다. 픽셀 하나에 교류 전압 펄스를 변화하여 가했을 때의 픽셀의 광전특성과 주변 픽셀에 미치는 영향에 대해 오실로스코프, 광 프로브 등을 이용하여 특성을 살펴보았다.

• Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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• 2009.04a
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• pp.6-9
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• 2009

교량, 댐, 터널 등의 대형 구조물 및 항공기 등의 기계 구조물의 경우 그 중요성과 함께 노후화 및 손상의 발생에 의한 구조물의 사고를 미연에 방지하기 위해 효과적인 건전도 평가와 손상 검색에 대한 연구가 최근 급증하고 있으며 특히 압전소자를 활용하여 구조물의 손상을 추정하는 기법들이 많이 개발되고 있다. 또한, 최근에는 압전소자와 계측기 사이를 케이블을 이용하여 연결할 경우 실제 대형 구조물에 설치 시 비효율적인 부분이 많아 무선 기반 계측시스템이 개발되고 있다. 그러나 이러한 무선 계측 시스템의 경우 압전소자의 가진 및 계측되는 데이터의 전송을 위해 별도의 전원공급이 필요하기 때문에 배터리가 포함되도록 구성되며 이럴 경우 그 수명이 제한적이기 때문에 실제 구조물에 활용 시 문제로 제기되고 있다. 이러한 배경에서 본 연구에서는 레이저를 통해 원격지의 압전소자에 무선으로 전원을 공급하여 가진시키는 시스템을 제안하였다. 압전소자를 가진시키고자 하는 임의의 파형으로 레이저를 변조(modulation)시키고 대기 중으로 전송하여, 압전소자와 연결된 광검출기(photodiode)를 통해 전기적 신호로 변환하여 최종적으로 가진시키게 된다. 이러한 시스템을 실내 실험을 통하여 구현하였으며 그 효용성을 살펴보았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.64-64
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• 2012

기존 실리콘 전자소자와 광소자를 접목한 실리콘 광전 집적회로를 구현하기 위하여, 또한, 실리콘 계 광소자에서 예상하는 장점으로 인하여 실리콘 계 광소자 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 본 발표에서는 그동안 수행하였던 여러 가지 실리콘 계 광물질의 합성과 광 특성 그리고 광 방출 메카니즘에 관하여 논의하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.47-47
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• 2015

Atomic layer deposition (ALD) 방법으로 증착시킨 ZnO 기반의 박막물질들을 다양한 종류의 태양전지에서 TCO, Buffer Layer 등으로 활용하기 위한 노력이 최근 이루어지고 있다. 본 발표에서는 ALD를 이용한 ZnO 기반 박막물질들의 광전소자로의 적용을 위한 요구물성을 맞추기 위한 precursor/reactant의 selection을 포함한 공정 parameter가 박막의 물성에 미치는 영향 및 생산성 향상을 위한 ALD 공정장치 개발 예를 소개하고, 광전소자 특성에 미치는 영향을 살펴보았다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07c
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• pp.1850-1851
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• 2001

광전자실험에 사용되고있는 수동 광학소자로는 lense, mirror, grating, prism, polarizer 등 이 있다. 본 연구에서는 각 소자들에 대한 수학적 모델과 실질적 구조에 의한 수치 해석적 모델인 Split-step을 angular spectrum 방법을 구현하고 이를 이용한 실험적 결과를 이론치와 비교 분석하여 모델의 정확성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.235-235
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• 2012

Reduced graphene oxide (rGO) 물질을 사용하여 전계효과 트랜지스터를 제작하였고 이의 광전기적 특성을 펄스 레이저와 진공 저온 측정을 통하여 분석하였다. 이를 통하여 rGO 소자의 광소자로써의 이용 가능성에 대하여 고찰하였다.