• 한국광학회지
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• 제7권3호
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• pp.280-286
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• 1996

본 논문에서는 자기 전광 효과를 이용하여 광쌍안정을 갖는 새로운 형태의 도파로형 광변조기의 동작 특성에 관하여 논하였다. 제작된 소자는 전계의 세기에 따른 굴절률의 변화를 이용하는 위상 변조형 광변조기와 전기적 쌍안정성을 갖는 수광 소자가 병렬로 연결된 구조로 되어 있다. 광도파로층과 수광 소자의 흡수층은 GaAs/AlGaAs 다중 양자 우물층을 사용하였다. 수광 소자에 흡수되는 광의 세기에 따라 변하는 다이오드 전압은 도파로형 광변조기를 통과하는 광의 세기를 조절하며 SEED의 전기적 쌍안정을 이용하여 도파로형 광변조기의 광쌍안정을 얻을 수 있었다. 본 논문에서 제안된 광변조기는 기존의 도파로형 광변조기에 비해 낮은 입력광에서도 광안쌍정을 갖는 장점을 갖는다.

• 전자공학회지
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• 제25권6호
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• pp.34-41
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• 1998

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.185-189
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• 1991

GaAs Schottky 접촉 전송선을 전극으로 하는 진행파형 광변조기의 특성이 분석되었다. 초고주파의 전파특성은 quasi-TEM 모델에 의해 분석되었으며, 고유치 방법과 유효 굴절율법을 결합하여 광파의 전파특성을 분석하였다. 또한 이를 통해 Schottky 접촉 전송선 및 광도파로의 기하학적 변수에 따라 진행파형 광변조기의 성능지수를 계산함으로써 최적 설계조건을 계산하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.1131-1133
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• 1999

본 연구에서는 $LiNbO_3$ 변조기에 사용되는 진행파형 coplanar-waveguide 형 전극을 제작하였다. 전극 전극두께를 변화시켜 전극을 제작하여 마이크로파 유효굴절율을 조사하였다. $LiNbO_3$ 광변조기 도파로의 유효굴절율과 정합되는 조건인유효굴절율 2.2에 근접합을 알 수 있었다. 또한 진행파형 전극의 반사손실$(S_{11})$, 삽입 손실($S_{21}$) 등을 측정하여 광변조기에 적용할 수 있는 최적조건에 관하여 논의하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.202-203
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• 2001

21세기 고도 정보화 사회는 실감형 3차원 입체 멀티미디어 서비스로 발전할 것으로 전망됨에 따라 3차원 입체 영상 디스플레이 기술에 대한 관심이 높아져서 국내외적으로 기술개발이 활발하게 진행되고 있다. 최근 3차원 영상 디스플레이 시스템을 구현하기 위해 입력이미지는 공간광변조기에 의해 디스플레이 되는데, 이때 사용될 수 있는 공간광변조기는 LCD, DMD,(deformable mirror device), MOD(magento optic device)등이 있다. (중략)

• 센서학회지
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• 제8권4호
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• pp.333-340
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• 1999

전자계계측 센서를 구성하기에 편리한 반사간섭형 광변조기를 제안하고, 그 동작원리와 기본특성을 이론적으로 해석하였다. 센서의 고감도화를 위하여 반사간섭형광변조기의 변조도 개선방법을 제시하였으며, $LiNbO_3$ 기판으로 반사간섭형 광변조기를 제작하여 센서를 구성하고, 저주파 전자계 측정실험을 실시하여 센서의 정성적 특성을 평가하였다. 실험에서 5% 정도의 낮은 변조도에서도 5 V/cm 의 계측결과를 얻어 전계계측센서로서 활용 가능성을 확인하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.22-23
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• 2000

GaAs/AlGaAs나 InGaAs/InGaAsP와 같은 반도체 기판을 이용한 전계광학 광변조기는 LD나 SOA와 같은 광소자와 단일기판 집적이 가능하고 낮은 chirping과 높은 변조대역폭을 갖는 외부광변조기로서의 장점으로 인하여 마이크로파 대역의 초고속광통신소자로 각광을 받아왔다. 특히 진행파의 속도가 정합된 traveling-wave 전극 구조를 갖는 경우 변조대역폭은 30-400Hz에 달하고 있다$^{(1)}$ . 그러나 한편으로는 반도체의 전계광학계수(electro-Optic Coefficient)가 LiNbO$_3$에 비해 10분의 1정도로 작아 상대적으로 동작전압이 커지는 단점이 대두되며 실제 구동전압이 수십 V에 이르고 있다. 이런 단점을 극복하기 위하여 p-i-n 구조를 이용하여 전계 집속도를 높이는 방법이 제안되어 동작전압이 2 V/mm 정도까지 감소하였다$^{(2)}$ . 본 논문에서는 이와 같은 반도체 전계광학 광변조기에서의 소신호 및 대신호 광변조특성을 분석함으로써 보다 높은 변조대역폭과 보다 낮은 동작전압을 갖는 구조를 연구하였다. (중략)

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권3호
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• pp.85-91
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• 1999

재현성 있는 H:LiNbO\sub 3\ 광변조기의 제작을 위해 기존 광변조기에서 사용되는 Au/Cr/SiO\sub 2\ 전극구조 대신 상온에서 버퍼층 및 전극공정이 가능하고, 광대역 설계에도 유리하도록 새로운 Cu/parylene 전극구조를 사용한 광변조기의 설계 및 제작을 수행하였다. 이를 위해 유한요소법을 이용한 광변조기의 해석 및 설계, 소자제작을 위한 저손실 1550m H:LiNbO\sub 3\ 광도파로 공정, parylene 박막증착 및 CPW 전극형성 등의 단위 공정들을 확립하였다. 이러한 소자설계 기술 및 단위공정들의 결합을 통해 parylene 버퍼층구조 H:LiNbO\sub 3\ 광변조기 내부칩을 제작하였고, 저주파 구동특성 측정시스템을 통해 변조특성을 확인하였다. 특히 Cu/parylene 전극공정 전·후의 광도파로 특성이 일정하게 유지됨으로서 재현성 있는 소자제작이 가능함을 알 수 있었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권10호
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• pp.91-97
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• 1998

10 Gbps용 전계 흡수형 InGaAsP/InGaAsP 응력 완화 MQW (Multiple Quantum Well) 광변조기의 변조 성능은 패키징후 발생되는 기생 특성에 의해서 큰 영향을 받음을 확인하였다. 이 초고주파 기생 특성은 변조기의 변조 대역폭을 제한하고 처핑 변수를 증가시키는 요인이 된다. 따라서, 이러한 기생 성분중 고속·광대역 변조시 변조 성능을 크게 저하시키는 본딩와이어에 의한 유도성 기생성분을 최소화시키기 위해 유전체 몰딩된 이중 본딩와이어 구조를 제안하였다. 50 Ω 저항으로 병렬 종단된 MQW 광변조기에 제안된 본 구조를 이용할 경우, 패키징전에 비하여 변조 대역폭이 약 125 %가 확대됨을 확인하였다. 또한 이 구조를 이용할 경우 기존에 무시되었던 패키징 기생 특성에 의한 처핑 변수의 영향을 최소화시킬 수 있는 효과적인 방법이 됨을 확인하였다. 본 연구 결과는 10 Gbps 대역 이상의 초고속 외부 광변조기의 변조 성능 극대화를 위한 최적 패키지 구현 자료로서 유용하게 사용될 수 있다.

• 한국통신학회논문지
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• 제22권5호
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• pp.956-966
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• 1997

단일 스테이지 스위칭 구조를 갖는 홀로그래픽 크로스바에 의한 동적인 자유공간 광연결을 실험하였다. 동적인 동작을 위해 전기적인 주소지정방식의 액정 공간광변조기와 회절격자가 매트릭스-매트릭스 크로스바에서의 고정적인 홀로그램을 대신하여 사용되었다. 회절격자는 규칙적인 셀들로 이루어졌으며 각 셀마다 서로 다른 위상지연 정도를 갖는다. 이러한 화소형 위상격자 배열을 공간광변조기에 띄어 입력빔의 방향으로 편향시키거나 여러 빔으로 분리한 후 원하는 위치로 빔의 방향을 조종한다. 이러한 실험결과 컴퓨터와 공간광변조기, 위상형 회절격자를 이용하여 자유공간 광연결이 동적으로 수행됨을 보였다.