• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
• /
• pp.992-993
• /
• 2002

We have fabricated the diffractive optical head(DOH) for optical pick up, which one adaptable to a optical recoding information storage. DOH consists of a focusing grating coupler(FGC) and a solid immersion Jens(SIL). FGC is device that the light converge into a focus by surface lattice. FGC have been studied as a potential application of pick up head for the information storage. In this study, FGC was designed and fabricated to make focus near to possible diffraction limit. We also fabricated recording head combined with SIL. The focus was measured in the range of $1.1{\mu}m$ as near to possible diffraction limit in the FGC having a focusing length of $600{\mu}m$ and a lattice area of 500 * $500{\mu}m$.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
• /
• pp.32-33
• /
• 2000

최근 디지털 정보 처리 기술의 획기적인 발전과 함께 저가의 반도체 레이저의 개발로 말미암아 광기록 장치(optical pickup device) 및 고속 광통신(optical fiber communication)분야에 응용을 위한 레이저 광학 시스템에 대한 연구가 활발하다. 광신호의 커플링(coupling) 및 스위칭(switching)을 기반으로 하는 이러한 광학 시스템은 일반적으로 광신호의 변조를 위한 광학 요소와 광학 요소의 공간적 제어를 위한 정밀 구동기로 구성되는데, 기존의 상용 시스템의 경우에는 독립적으로 기 제작된 광학 요소와 정밀 구동기를 사후에 조립하는 방법으로 소기의 목적을 달성하였다. 이와 같은 경우 제작에 많은 노력과 비용이 요구되며, 성능의 획기적인 향상을 기대하기 어려우므로 최근에는 Optical MEMS 혹은 MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechanical System)로 대변되는 마이크로머시닝기술(micromachining technology)을 이용한 초정밀 광학계의 제작 기술을 통하여 기존 시스템의 한계를 극복하고자 하는 노력이 다각도로 모색되고 있다. (중략)

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
• /
• pp.162-163
• /
• 2000

근접장 주사 광학 현미경(Near-field scanning optical microscope)에서 가장 중요한 부분은 바로 근접장 탐침(Near-field optical probe)이다. 가간 널리 사용되는 근접장 탐침은 끝 부분에 매우 작은 구멍만 남기고 나머지 부분은 금속으로 코팅한 뾰족한 광섬유(Metal-clad tapered optical fiber)이다. 탐침의 끝에 형성된 작은 구멍은 진행하지 못하는 근접장(Near-field)을 진행하는 먼장(Far-field)으로 바꾸어줌으로서 회절한계를 뛰어넘는 분해능을 가능하게 한다. 그러나, 이러한 작은 구멍은 매우 작은 투과 효율(Transmission efficiency)을 가지기 때문에 고밀도 광기록(High-density optical recording)등에 이용하는데 큰 어려움이 있었다.$^{(1).(3)}$ 따라서 금속이 코팅된 뾰족한 광섬유 내에서 빛이 어떻게 진행되는지에 대한 연구를 통해 보다 높은 효율을 가지는 근접장 탐침을 개발하는 것이 중요한 과제가 되고 있다. 본 연구에서는 금속이 코팅된 뾰족한 광섬유 도파로 내에서 구멍의 크기와 빛의 투과 효율의 관계를 보고한다. (중략)

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1988년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.74-77
• /
• 1988

This paper reports the properties of antireflection structure and hole formation of Te-based systems. The optical-recording characteristics of metallic recording media are enhanced significantly by incorporating the metal(Al) layer into an antreflection trilayer structure. Due to the interface condition inherent in the design of the trilayer structure, reflectivity from holes is ranked low fraction (<10%). The hole formation is carried by $Ar^+$ Laser(488nm). For 20nsec pulse duration, hole opening power(threschold) of $(Te_{86}Se_{14})_{50}Bi_{50}$ trilayer is lower than that of monolayer that used in this experiment. Hole shapes of the whole sample were clean.

• 한국진공학회지
• /
• 제2권1호
• /
• pp.85-91
• /
• 1993

본 연구에서는 광기록 매질 중 광유기효과가 큰 비정질 As40Se15S35Ge10박막의 증착각도변화에 따른 구조 및 광학적 구조 및 광학적 물질특성에 대해 고찰하였다. 준비된 bulk와 박막이 비정질상(Amorphous phase)임을 XRD 분석을 통해 확인하였다. 특히, 증착각도의 변화에 따른 비정질 As40Se15S35Ge10박막에서의 유리질 천이온도의 변화와 상분리 현상을 연구하였다. 유리질 천이온도의 확인은 DSC, DTA, TGA를 이용한 분석실험을 통해 수행하였다. 실험 결과 벌크의 유리질 천이 온도는 약 $238^{\circ}C$였고, 0。, 60。, 80。로 증착된 박막은 각각 $202^{\circ}C$, $229^{\circ}C$, $201^{\circ}C$였으며 80。로 증착된 박막의 경우 가장 낮은 값을 보였다. 또한 연속상과 분산상으로의 상 분리 현상은 편광현미경에 의한 광학구조분석과 SEM-EDS를 이용한 표면확인 및 성분분석으로 관찰하였다.

• 정보저장시스템학회논문집
• /
• 제2권4호
• /
• pp.219-223
• /
• 2006

Near field recording(NFR) technology has been considered as a strong candidate to surpass the far-field diffraction limit imposed by the nature of light in present optical disk drives such as CD, DVD, and BD(Blu-ray Disk). In this paper, we suggest novel inside near-field dual layer recording concept using elliptic shape solid immersion lens(ESIL).

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
• /
• pp.250-251
• /
• 2003

여러 광기록 매질 중 아조(azo)계열의 색소를 첨가한 고분자 필름은 색소의 선택에 따라 원하는 감광 파장대를 선택할 수 있는 특징과 뛰어난 메모리 휘발성, 편광 선택이 가능한 점, 높은 환경적 안정성 때문에 1986년 Todorow 그룹이 아조색소를 함유한 고분자 필름의 광유도 비등방성에 관한 논문을 발표한 이래 많은 연구가 이루어지고 있다. 아조계열 색소분자는 PVA 고분자 매트릭스(matrix)속에서 trans 혹은 cis이성질체 중 하나의 상태로 존재할 수 있으나 trans 상태는 cis 상태보다 안정한 상태이므로 광이 없을 때는 대부분 trans 상태로 존재하게 된다. (중략)

• 정보저장시스템학회논문집
• /
• 제2권3호
• /
• pp.196-200
• /
• 2006

We are developing a phase change etching technology using an inorganic photoresist of GeSbTe film which is the recording material of the phase change disc. A selective etching phenomenon between amorphous and crystalline states can be utilized with an alkaline etchant. Phase-change pits could be formed using this technique, in which the etching selectivity is strongly dependent on the concentration of the etchant. The degree of etching was investigated by the transmittance between crystalline and amorphous films after the wet-etching. The pits patterned on the disc could be observed by AFM after wet-etching.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.19.1-19.1
• /
• 2009

Phase change random access memory (PRAM)은 large sensing signal margin, fast programming speed, low operation voltage, high speed operation, good data retention, high scalability등을 가지는 가장 유망한 차세대 비휘발성 메모리이다. 현재 PRAM용 상변화 재료로는 주로 Ge2Sb2Te5가 사용되고 있지만 reset 전류가 높고 reliability 가 좋지 않아서 새로운 상변화 물질 연구가 필요하다. AgInSbTe (AIST)는 GST와 더불어 열에 의한 가역적 상변화를 하는 소재로 광기록 매체에서는 기록 속도가 빠르고 동작 특성이 우수하다는 특징이 있다. 본 연구에서는 XRD, 비저항측정등을 통해 온도에 따른 AIST의 물성 및 결정화 특성을 분석하고 나노 소자제작을 통해 그 전기적 특성을 평가하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1994년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.123-126
• /
• 1994

We discussed the thermal analysis for recording media with the variation of the laser pulse duration and the power and the temperature distribution for the optimized Te-based antireflection structure by using the computer calculations. If the radial diffusion of heat is negligible, we can calculate the maximum temperature at the spot center in recording layer by Simple Method, and the temperature profile considering the specific heat and the latent heat by Numerical Method. As a result, the effect of the heat sinking which acted as a loss for the hole formation can be minimized by introducing the pulse of the hole formation duration( $\tau$ ) shorter than the thermal time constant( $\tau$$\sub$D/) of dielectric layer. This requirments can be satisfied as using the dielectric thickness of the 7nd ART condition or the dielectric materials with low thermal diffusivity.