• Journal of the KSME
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• v.35 no.4
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• pp.294-310
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• 1995

CAPP는 매우 광범위한 활동과 목적을 포함하는 주제이다. CAPP 연구의 목적은 우선 공정계 획의 기능을 분석하여 각 공정계획 기능의 자동화(function automation)를 이룩하고 이러한 기 능을 통합(system integration)하는 것이다. 그리고 나아가 수작업에 의한 공정계획 과정이 필 요없도록 설계와 생산을 바로 연결시키는 것이다. 형상특징(feature)과 동시공학(concurrent engineering) 등이 이러한 관점에서 이루어지고 있는 연구들이다. 자동화와 통합화를 위해서는 각종 기술적 데이터와 정보의 표준화가 필여하다. 이러한 데이터의 표준화 없이는 각종 소프 트웨이간에 호환성이 있을 수 없으며, 전체적인 통합화는 불가능하다. 그러므로 전체적인 관점 에서 각종 정보와 설계와 생산 과정에 관한 정보 표준화가 이루어지고 전체적인 통합화, 자동 화가 이루어져야 한다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2004.11a
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• pp.151-153
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• 2004

본 연구는 PCB 생산 자동화를 위하여 PCB 생산라인과 CAD 설계간의 다른 데이터 체계를 호환성을 갖춘 데이터 체계로 변환하는 인터페이스를 설계하였다. CAD로 설계한 PCB 부품 정보를 분석하여 Human error 검출 알고리즘을 개발하였고, IC 부품들에 관한 정보를 DB로 구축하였으며 데이터 호환을 위한 알고리즘과 인터페이스를 설계하였다. 기존의 수작업 공정을 자동화함으로서 1-2일 정도의 시간을 수분 이내로 단축시킬 수 있도록 하였다.

• Proceedings of the Korea Technical Association of the Pulp and Paper Industry Conference
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• 2004.11a
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• pp.41-46
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• 2004

• Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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• 2006.11a
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• pp.512-515
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• 2006

This paper proposes the solution of compatibility problem between heterogeneous by converting automatically CAD data into proper data for the PCB board production process by using IC item information. This paper has a purpose of maximizing work efficiency with NC Programming automation and contributing to maximize productivity by NC program conversion of different Mounters and Mounter Data & Line Balance optimization.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.66-66
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• 1999

최근 들어 다결정 SiGe은 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)에서 기존에 사용되던 다결정 Si 공정과의 호환성 및 여러 장점으로 인하여 다결정 Si 대안으로 많은 연구가 진행되고 있다. 고농도로 도핑된 P type의 다결정 SiGe은 Ge의 함량에 따른 일함수의 조절과 낮은 비저항으로 submicrometer CMOS 공정에서 게이트 전극으로 이용하려는 연구가 진행되고 있으며, 55$0^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서도 증착이 가능하고, 도펀트의 활성화도가 높아서 TFT(Thin Film Transistor)에서도 유용한 재료로 검토되고 있다. 현재까지 다결정 SiGe의 증착은 MBE, APCVD, RECVD. HV/LPCVD 등 다양한 방법으로 이루어지고 있다. 이중 HV/LPCVD 방법을 이용한 증착은 반도체 공정에서 게이트 전극, 유전체, 금속화 공정 등 다양한 공정에서 사용되고 있는 방법으로 현재 사용되고 있는 반도체 공정과의 호환성의 장점으로 다결정 SiGe 게이트 전극의 증착 공정에 적합하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 HV/LPCVD 방법을 이용하여 게이트 전극으로의 활용을 위한 다결정 SiGe의 증착 메카니즘을 분석하고 Ex-situ implantation 후 열처리에 따라 나타나는 활성화 정도를 분석하였다. 도펀트를 첨가하지 않은 다결정 SiGe을 주성엔지니어링의 EUREKA 2000 장비를 이용하여, 1000$\AA$의 열산화막이 덮혀있는 8 in 웨이퍼에 증착하였다. 증착 온도는 55$0^{\circ}C$에서 6$25^{\circ}C$까지 변화를 주었으며, 증착압력은 1mtorr-4mtorr로 유지하였다. 낮은 증착압력으로 인한 증착속도의 감소를 방지하기 위하여 Si source로서 Si2H6를 사용하였으며, Ge의 Source는 수소로 희석된 10% GeH4와 100% GeH4를 사용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 Ge 함량은 RBS, XPS로 분석하였으며, 증착된 박막의 두께는 Nanospec과 SEM으로 관찰하였다. 또한 Ge 함량 변화에 따른 morphology 관찰과 변화 관찰을 위하여 AFM, SEM, XRD를 이용하였으며, 이온주입후 열처리 온도에 따른 활성화 정도의 관찰을 위하여 4-point probe와 Hall measurement를 이용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 두게를 nanospec과 SEM으로 분석한 결과 Gem이 함량이 적을 때는 높은 온도에서의 증착이 더 빠른 증착속도를 나타내었지만, Ge의 함량이 30% 되었을 때는 온도에 관계없이 일정한 것으로 나타났다. XRD 분석을 한 결과 Peak의 위치가 순수한 Si과 순수한 Ge 사이에 존재하는 것으로 나타났으며, ge 함량이 많아짐에 따라 순수한 Ge쪽으로 옮겨가는 경향을 보였다. SEM, ASFM으로 증착한 다결정 SiGe의 morphology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2004.06a
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• pp.165-167
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• 2004

본 논문에서는 반도체 공정 시뮬레이션을 위해 산화, 확산 및 이온 주입 공정을 모델링하고, 효율적인 실행과 상호 연관된 연속 공정의 시뮬레이션이 가능하도록 통합화된 환경을 구축하였다. 점성적 스트레스 모델을 이용한 산화 공정은 유속-압력 알고리즘과 경계요소법을 이용하여 안정된 해를 얻었으며, 선확산과 산화중배 현상이 포함된 확산 공정은 전진해법과 유한요소법을 이용하였다. 또한 이온주입 공정은 TRIM을 기본으로 다양한 공정 조건에 대한 모델이 추가된 몬테카를로 방법을 사용하였다. 편리한 사용자 입력 인터페이스와 그래픽적 출력을 제공하고, 윈도즈의 API함수를 이용하여 PC상에서도 적은 메모리로도 빠른 결과를 얻을 수 있도록 하였으며, 객체 지향적인 모듈화로 타 시뮬레이터와의 호환성이 가능하도록 구성하였다.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.2
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• pp.44-52
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• 2002

본 논문에서는 RF와 마이크로파 응용을 위한 MEMS 수동 소자에 대한 내용이다. 이 수동 소자들을 만들기 위해서 개발된 3타원 MEMS공정은 기존의 실리콘 공정과 완전한 호환성을 가지고 한 칩으로 집적화 시킬 수 있는 공정이다. 이 3차원 MEMS 공정은 기존 실리콘 긍정이 가지고 있는 한계를 극복하기 위한 방법으로써 개발되었다. 개발된 공정을 이용하여 실리콘 공정에서 구현할 수 없었던 좋은 성능의 인덕터, 트랜스포머 및 전송선을 RF와 마이크로파 응용을 위해서 구현하였다. 저 전압, 높은 차단율을 위한 push-pull 개념을 도입한 MEMS 스위치를 구현하였다. 또한 높은 Q를 갖는 MEMS 인덕터를 최초로 CMOS 칩과 집적화에 성공하여 600kHz 옵셋 주파수에서 -122 dBc/Hz의 특성을 갖는 2.6 GHz 전압 제어 발진기를 제작하였다.

• Korean Journal of Construction Engineering and Management
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• v.14 no.3
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• pp.53-64
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• 2013

In building construction project, there are numerous information or data parts across many different software applications and professional specialists. BIM (Building Information Modeling), as a medium for managing information generated during construction project, it is intended to enhance the effectiveness of construction management and reap a lot of advantages such as, automatic quantity takeoff, error-free estimation, 4D(3D+Time), 5D(4D+Cost) simulation. Nevertheless, the overall and practical effectiveness of BIM utilization is difficult to justify at this stage. While helpful, there are some limitation when BIM applied to construction management due to the differences of data processing process between BIM and work in the field, limitations of information generated from BIM object and interoperability problem among BIM application. Therefore, this paper propose a framework integrating BIM with cost-schedule information using IFC. And we construct the system prototype based on the framework and performed case study to examine the framework. The proposed framework provides the information basis for BIM based cost-schedule integration. ultimately, the framework increase the utilization of BIM and work efficiency of construction industry by supporting an understanding of information.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.5 no.4
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• pp.331-335
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• 2004

In this paper, we modeling the oxidation, diffusion, and ion-implantation for semiconductor process simulation, and construct the integrated framework for efficient execution and continuous process simulation. For oxidation process, to predict the accurate LOCOS shape and stress distributions, stress-dependent viscous model was performed using SVP algorithm. For diffusion process, predeposition and OED simulation was performed using point defect theory. For ion implantation, Monte-Carlo method based on TRIM simulation was performed with various process conditions. For input to each unit process, we used the dialog boxes which are windows application's standards. This dialog box allows us to verify and minimize input error at input steps. Using the combination of compiler's function and windows's API function, simulation was done with small memory size.

• 한국경영정보학회:학술대회논문집
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• 2007.06a
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• pp.177-183
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• 2007

기업의 경쟁단위가 그 기업이 포함된 공급사슬로 확장되고 구매에 대한 전략적 측면이 강조되면서 구매자-공급자 기업간의 관계가 정예화된 장기적인 협력을 추구하는 경향으로 나타나고 있다. 따라서 구매자와 공급자간 협력의 요인과 행태에 대한 다각적인 분석과, 구매자와 공급자 양측의 관점을 포괄적으로 이해하는 것이 필요하다. 본 연구는 통신산업에서의 구매자와 공급자의 개별적인 측면에서 측정된 결과를 이용하여 구매자-공급자 비교연구를 실시하였다. 이를 통하여 구매자와 공급자가 가지고 있는 협력에 대한 인식과 행태의 차이를 발견할 수 있었다. 구매자 측면에서는 전환비용, 목적 호환성, 조직간의 신뢰가 중요한 협력의 설명 요소로 나타났으며, 공급자 측면에서는 기술적 예측불확실성, 목적 호환성, 공정성 인지가 중요한 협력의 설명 요소로 파악되었다.