• Title/Summary/Keyword: 공정메커니즘

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Study on deep Si etching mechanism using in-situ surface temperature monitoring in $SF_6/O_2$ plasma

  • Im, Yeong-Dae;Lee, Seung-Hwan;Yu, Won-Jong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.405-405
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    • 2010
  • Thermocouple 을 통해 Inductively coupled plasma 에 노출된 실리콘 기판 표면온도를 공정조건 변화 에 따라 실시간 (in-situ) 측정하였다. 이를 바탕으로 공정변화에 따른 플라즈마 내 활성종의 거동을 연구하였다. 더 나아가 기판의 표면온도변화 및 활성종의 거동해석을 토대로 공정변화에 의한 딥 실리콘 구조형성 메커니즘을 해석하였다. 플라즈마에 노출된 기판표면 온도를 상승시키는 주 활성종은 positive ion 이며 ICP power, Bias power, 플라즈마 압력 변화에 따라 positive ion 의 밀도 및 가속에너지가 변화하는데 이러한 거동변화는 기판의 표면온도를 변화시킴을 알 수 있었다. 딥 실리콘 구조의 측벽 및 바닥에 형성되어 있는 passivaiton layer 즉 $SiO_xF_y$(silicon oxyflouride) 는 온도에 매우 민감한 물질이며 이는 딥 실리콘 구조 내부로 입사하는 positive ion 거동변화에 따라 그 성질이 변화하여 deep Si 구조 형상을 변화시킴을 알 수 있었다. 기판표면 온도가 $0^{\circ}C$ 이하의 극저온으로 유지된 상황에서 플라즈마를 방전할 경우 positive ions 의 가속에너지로 인해 기판표면온도가 상승하며 액화질소 유량증가를 통해 다시 기판의 표면온도를 유지시킬 수 있었다. 이를 통해 플라즈마 방전 전과 방전 후의 기판 표면온도는 상온의 기판뿐만 아니라 극저온의 기판에서도 다름을 알 수 있었다. 냉각환경 변화에 따른 딥 실리콘 구조형성 메커니즘을 positive ions 거동 그리고 온도 감소에 의한 $SiO_xF_y$ 성질 변화를 이용해 해석할 수 있었다.

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Formation Mechanism of Chlorate ($ClO_3\;^-$) by Electrochemical Process (전기화학적 공정에 의한 클로레이트의 생성메커니즘)

  • Baek, Ko-Woon;Jung, Yeon-Jung;Kang, Joon-Wun;Oh, Byung-Soo
    • Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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    • v.31 no.8
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    • pp.627-634
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    • 2009
  • This study was done to find out the formation mechanism of chlorate by electrochemical process using chloride ion ($Cl^-$) as an electrolyte. Firstly, the effective factors such as pH and initial chloride concentration were figured out to see the formation property of chlorate during electrolysis. And the relation of free chlorine, and mixed oxidants such as OH radical and ozone with chlorate were estimated to concretize the formation mechanism. As a result, it was found that the major reaction of chlorate formation would be electrochemical reaction with free chlorine, and also the direct oxidation of chloride ion and the reaction by OH radical were participated in the formation of chlorate. Moreover, it was observed that formed chlorate was oxidized to perchlorate. Lastly, the optimum condition was recommended by comparing free chlorine with chlorate concentration during the electrochemical process with the different electrode separation.

An enhanced VS/VD switching algorithm to support fairly ABR service in ATM (ATM 망에서 공정한 ABR 서비스를 제공하는 확장된 VS/VD 스위칭 알고리즘)

  • 양해권;전광탁
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.4 no.2
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    • pp.313-322
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    • 2000
  • The ATM Forum has been focusing on flow control mechanism for ABR traffic management. The goal of this activity is to efficiently manage the leftover network bandwidth and fairly distribute it among contending ABR VC so that communication links can be optimally utilized. ABR traffic is difficult to predict traffic shape because it has bursts and variable behavior. Also it's sensitive to lose but not to delay. This behavior makes difficult to UPC function in network and cause of congestion in switch, thus performance is degraded. To resolve this problem, various flow control mechanism has been worked in the ATM Forum. Especially, the rate-based flow control mechanism for ABR traffic has been standardized in the ATM Forum, Sept. 1994. Thus, various flow control mechanism has been working which likes EFCI, ER, VS/VD. VS/VD control is superior than existed ER control because it isolate different networks from each other. In this paper, we propose an expanded VS/VD flow control algorithm and compare with existed VS/VD flow control algorithm. Simulation result shows that this algorithm improve a problem in aspect of delay and fairness.

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자화 유도 결합 플라즈마의 산화물 건식 식각 특성에 관한 연구

  • Jeong, Hui-Un;Kim, Hyeok;Lee, U-Hyeon;Kim, Ji-Won;Hwang, Gi-Ung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.230-230
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    • 2013
  • 플라즈마를 활용한 미세 패턴의 건식 식각은 반도체 소자 공정에 있어서 가장 중요한 기술 중 하나이다. 한편, 매년 발행되는 ITRS Roadmap 에 따르면 DRAM 의 1/2 pitch 는 감소하는 동시에 Contact A/R (Aspect Ratio) 는 증가하고 있다. 이러한 추세 속에서 기존의 공정을 그대로 활용할 경우 식각물의 프로파일 왜곡 혹은 휨 현상이 발생하고 식각 속도가 저하되며 이러한 특성들이 결과적으로는 생산성의 저하로 이어질 수 있다. 이러한 현상을 최소화하기 위해서는 무엇보다 독립된 plasma parameter 들이 식각물의 프로파일 혹은 식각 속도 등에 어떠한 영향을 주는 지에 대한 학문적 이해가 필요하다. 본 논문에서는 최소 CD (Critical Dimenstion) 100nm, 최대 A/R 30 인 HARC (High Aspect Ration Contact hole) 의 식각 특성이 plasma parameter 에 따라 어떻게 변하는지 확인해 보고자 한다. 산화물의 식각은 대표적인 high density plasma source 중의 하나인 ICP에서 진행하였으며 기존에 알려진 plasma parameter 에 더하여 자장의 인가가 산화물의 식각 특성에 어떠한 영향을 주는지 살펴보고자 전자석을 ICP 에 추가로 설치하여 실험을 진행하였다. 결과적으로, plasma parameter 에 따른 혹은 자장의 세기 변화에 따른 산화물의 식각 실험을 플라즈마 진단 실험과 병행하여 진행함으로써 다양한 인자에 따른 산화물의 식각 메커니즘을 정확하게 이해하고자 하였다. 실험 내용을 요약하면 다음과 같다. 먼저, 전자석의 전류 인가 조건에 따라 축 방향 혹은 반경 방향으로의 자장의 분포가 달라질 수 있음을 확인하였고 플라즈마 진단 결과 축 방향 혹은 반경 방향으로의 자장이 증가하였을 때 고밀도의 플라즈마가 형성될 수 있음은 물론 반경 방향으로의 플라즈마 밀도의 균일도가 향상됨을 확인할 수 있었다. 또한 ICP 조건에서 바이어스 주파수, 압력, 바이어스 파워, 소스 파워, 가스 유량 등의 plasma parameter 가 산화물의 식각 특성에 미치는 영향 및 메커니즘을 규명하였고 이 과정을 통해 최적화된 프로파일을 바탕으로 축 방향 혹은 반경 방향으로 증가하는 자장을 인가하였을 때 (M-ICP 혹은 자화 유도 결합 플라즈마) ICP 대비 산화물의 식각 속도가 증가함은 물론 PR-to-oxide 의 선택비가 개선될 수 있음을 확인할 수 있었다. 자장의 인가에 따른 산화물의 정확한 식각 메커니즘은 향후의 실험 진행을 통해 이해하고 이를 통해 궁극적으로는 산화물의 식각 공정이 나아가야 할 올바른 방향을 제시하고자 한다.

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A Review of Chlorine Evolution Mechanism on Dimensionally Stable Anode (DSA®) (DSA 전극에서 염소 발생 메커니즘)

  • Kim, Jiye;Kim, Choonsoo;Kim, Seonghwan;Yoon, Jeyong
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.53 no.5
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    • pp.531-539
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    • 2015
  • Chlor-alkali industry is one of the largest electrochemical processes which annually producing 70 million tons of sodium hydroxide and chlorine from sodium chloride solution. $DSA^{(R)}$ (Dimensionally Stable Anodes) electrodes such as $RuO_2$ and $IrO_2$, which is popular in chlor-alkali process, have been investigated to improve the chlorine generation efficiency. Although DSA electrode has been developed with various researches, understanding of the chlorine evolution mechanism is essential to the development of highly efficient DSA electrode. In this review paper, chlorine generation mechanisms are summarized and that of key factors are identified to systematically understand the chlorine generation mechanism. Rate determining step, effect of pH, reaction intermediate, and electrode crystal structure were intensively overviewed as key factors of the chlorine mechanism.

나노 복합체를 이용한 유기 메모리 소자의 전기적 동작 특성 분석

  • An, Seong-U;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.327.2-327.2
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    • 2016
  • 유기물/무기물 나노 복합체를 이용한 전자 소자는 간단한 공정과 고집적 및 플렉시블 응용 가능성으로 차세대 전자 소자로서 응용 연구가 많이 시도되고 있다. 무기물의 경우 전하 전송 메커니즘과 전기적 특성에 영향을 미치는 다양한 요인들에 대한 연구가 많이 진행되었지만 유기물의 경우 소자의 특성에 집적적으로 영향을 미치는 요인들에 대한 이론적 연구가 미흡하다. 본 연구에서는 금속/유기물 경계면의 전하전송, 트랩밀도 및 전하 이동도가 소자의 전기적 특성에 어떠한 영향을 미치는지 분석하였다. 유기 메모리 소자의 전하 전송 메커니즘을 분석하기 위해 PMMA에 나노 입자를 분산시킨 유기-나노 복합층을 사용하여 유기 메모리 소자를 제작하였고 SCLC 이론을 이용하여 전기적 특성을 분석하였다. 또한 전극과 유기-나노 복합층 사이에 C60 층을 삽입하여 트랩밀도와 전하이동도가 유기물 전자 소자에 어떻게 영향을 미치는지에 대한 이론적인 연구를 하였다. SCLC 이론을 이용하여 계산한 current density -voltage (J-V) 특성 이론값과 실험값의 비교 분석으로 유기물전자 소자의 전기적 동작 특성에 대한 메커니즘을 규명하였으며, 유기물 메모리 소자에서 트랩밀도와 분포가 전기적 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다.

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Efficient and Secured Media Access Mechanism in IEEE 802.15.4 Networks (IEEE 802.15.4 네트워크에서 효율적이고 안전한 미디어 액세스 메커니즘)

  • Heo, Joon;Hong, Choong-Seon
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2007.05a
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    • pp.1042-1044
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    • 2007
  • IEEE 802.15.4 표준을 기반으로 하는 무선 액세스 기술은 진화된 컴퓨팅 시스템을 구축하는 데 있어 광범위하게 사용될 수 있을 것이다. 이러한 기술의 활용은 보안성과 공정성이 보장되어야 하지만, 무선 환경에서 악의적인 디바이스는 불공정한 방법을 사용하여 채널 대역폭을 차지할 수 있다. 본 논문에서는 이러한 공격에 대응할 수 있도록 코디네이터의 결정에 의해 정상적인 디바이스가 채널에 우선적으로 액세스 할 수 있는 메커니즘을 제안하고, 이를 위해 기존의 IEEE 802.15.4 표준을 활용할 수 있는 방안을 제시한다. 시뮬레이션 결과는 본 논문에서 제안하는 메커니즘이 MAC 레이어에서의 공격을 효과적으로 방지할 수 있음을 보여준다.

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CF4/O2 혼합가스 플라즈마 환경에 대한 AAO (Anodic Aluminum oxide) 피막의 오염입자 특성 분석

  • Lee, Seung-Su;Choe, Sin-Ho;O, Eun-Sun;Sin, Jae-Su;Kim, Jin-Tae;Yun, Ju-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.102.1-102.1
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    • 2015
  • 플라즈마를 이용한 건식식각공정은 식각하고자 하는 기판과 더불어 챔버 내부를 구성하고 있는 부품들이 플라즈마에 함께 노출되는 환경이다. 챔버 내부가 장시간 플라즈마에 노출되어 열화 되면 기판의 불량을 야기하는 오염입자의 발생이 증가하므로 양산 공정에서는 그 때마다 내부 부품을 교체하여 청정한 공정 환경을 유지시킨다. 공정 챔버의 내부 부품은 플라즈마로 인한 열화를 방지하기 위하여 내플라즈마성이 우수하다고 알려진 코팅처리를 하여 사용한다. 금까지 플라즈마 식각 공정에 관한 연구는 식각하고자 하는 기판관점에서 활발히 이루어져 왔으나 내플라즈마성 코팅소재 관점에서의 연구 보고는 미미한 실정이다. 본 연구에서는 장시간의 양산공정을 모사하는 가혹한 플라즈마 조건에서 $CF_4/O_2$ 혼합가스를 사용하여 AAO (Anodic Aluminum oxide)피막의 오염입자 특성을 실시간 모니터링 하는 동시에 OES 분석을 수행하여 내플라즈마성 코팅소재의 오염입자 발생 메커니즘에 대하여 분석하였다.

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취성재료 레이저 절단 공정의 연구 동향

  • Park, Byeong-Gu;Kim, Dong-Sik
    • Laser Solutions
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    • v.12 no.1
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    • pp.1-6
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    • 2009
  • 최근, 전자, 디스플레이, 반도체 등 여러 분야에서 광학적, 기계적 등의 성질이 우수한 유리와 세라믹 재료의 사용이 급증하고 있다. 이러한 취성 재료의 절단가공에 있어서 전통적인 기계적 방식은 미세균열로부터 자유로울 수 없다는 한계를 지닌다. 따라서 레이저로 열응력을 발생시켜 재료를 절단하는 controlled fracture 레이저 절단공정은 기존 공정을 대체하는 새로운 기술로 각광받고 있다. 따라서 controlled tincture에 대하여 많은 연구가 진행되고 왔으며 현재에도 다양한 새로운 공정이 개발되고 있다. 하지만 아직도 열응력에 의해 재료가 변형, 절단되는 물리적인 메커니즘이 명확히 규명되어 있지 않을 뿐 아니라 레이저 광원, 냉각방식 및 각종 공정변수가 절단 품질에 미치는 영향도 체계적으로 분석되지는 못한 실정이다. 따라서 보다 효과적인 공정개발을 위해서는 추후 더욱 심도 있고 많은 연구가 수행되어야 할 것으로 판단된다.

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The study of cooperation and reciprocity mechanism in MMORPG games -focused on 'World of Warcraft: Classic' (게임에서의 협력과 호혜성 메커니즘 연구 - '월드 오브 워크래프트: 클래식'을 중심으로)

  • Choi, Young-Woo;Ryu, Seoung-Ho
    • Journal of Korea Game Society
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    • v.20 no.5
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    • pp.65-76
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    • 2020
  • This paper studied cooperation and reciprocity mechanism by analyzing game mechanics of MMORPG 'World of Warcraft: Classic'. MMORPG is the genre of game where social interaction vigorously occurs. This study figured out the structure of cooperation based on evolutionary psychology, anthropology and social psychology through participatory observation. Four cooperation and reciprocity mechanism were drawn through investigating game mechanics like instance dungeon, clear role setting, item, soulbind. In addition, this paper suggests providing ideas of making cooperation mechanism in the field of game design.