• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07g
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• pp.3144-3146
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• 1999

$8{\sim}12$인치의 원형(또는 사각) PCB 기판에 수백 개의 고휘도 반도체 발광 다이오드(Light Emitting Diode. LED)와 구동 회로로 구성되는 LED 교통 신호등은 특정 파장대의 단색광을 발광하므로, 기존의 백열전구식 신호등에 비해 시인성이 좋고, 80 % 이상의 에너지 절약이 가능하다. 그러나 LED는 주위 온도에 따라 밝기가 변화하는 특성이 있다. 신호등은 기능상 외부 온도의 영향 없이 항상 일정한 광도를 유지해야 하므로, 본 논문에서는 외부 온도의 변화에 관계없이 일정한 광출력을 유지할 수 있는 LED 구동회로를 설계한다 이를 위해 정전압 및 정전류로 구동되는 LED의 온도에 따른 광출력 특성 실험이 수행되고, 이러한 데이터들을 바탕으로 정광출력 LED 신호등 구동회로가 설계되고 그 성능을 평가한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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• 2009.06a
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• pp.538-539
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• 2009

The light of lighthouse as aids to navigation has been using filament with incandescent bulb so heat is being changed to light. More and More, LED leading lights, LED lantern, LED concrete main structure, LED bulb which have advantages of low power consumption and longer durability, what we call radiating diode, will lead the market in few years.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.26-27
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• 2000

고휘도 다이오드(Superluminescent Diodes : SLD)는 fiber gyroscope의 광원으로서 가장 적당한 소자로 알려져 있다$^{(1)}$ . 본 연구는 실제의 광섬유 자이로 스코프에 적용하기 위하여 활성층의 발진파장이 1.55$mu extrm{m}$인 SLD의 제작을 목적으로 하고 있다. SLD제작의 핵심은 거울면에서의 반사도를 낮추어 거울면의 반사에 의하여 일어나는 발진을 억제하는 것으로, 이를 위하여 단면이 각을 가진 stripe$^{(2)}$ , 계면의 무반사 코팅(antireflection coating : AR coating)$^{(3)}$ , window buried heterostructure$^{(4)}$ , unpumped absorbing region$^{(5)}$ , bent-buried absorbing region$^{(6)}$ 등과 같은 방법이 이용이 되고 있다 (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.127-127
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• 2010

최근 Light-emitting diodes (LEDs: 발광다이오드) 디바이스의 고휘도, 저전력, 긴 수명, 다양한 색연출 가능, 친환경 소자 등의 장점으로 LED 디바이스가 flat panel display(FPD)의 back light unit (BLU) 를 비롯해 실내 외 조명과 자동차 전조등 분야 이외에도 의료, 인테리어 사업을 비롯한 각종 전자 통신 기기의 정보 처리 기기의 표시소자 등, 여러 제품 군에 적용되는 가운데 큰 관심을 받고 있다. 하지만 이러한 여러 가지 장점에도 불구하고 LED 모듈에서의 junction temperature가 높은 방열 특성이 나쁘다는 단점은 아직 해결되지 않고 있는 실정이다. LED 소자 모듈에서의 junction temperature가 높을 경우 소비되는 에너지가 많을 뿐만 아니라 LED 소자의 발광효율이 떨어지고 수명이 급격히 저하 되어, 결국에는 신뢰성 특성이 현저히 저하 되는 결과가 초래되기 때문이다. 따라서 본 논문에서는 LED 디바이스의 열저항을 낮추기 위해 고방열 세라믹 기판을 이용해 LED 디바이스의 방열 특성을 향상시킨 결과를 제시한다. 고방열 세라믹 기판을 제작하여 LED 칩을 실장시킨 다음 LED 열저항 특성을 측정하였다. 이때 고방열 세라믹 기판은 Al2O3와 AlN이 사용되었으며 제작한 세라믹 기판의 강도, 표면 roughness, 미세구조 등을 살펴보고 이 기판들의 열전도도를 측정하였다. 제작 공정방법에 따라 세라믹 기판의 미세구조를 비롯한 기계적, 열적 특성이 현저히 변하였으며 이때 LED 칩을 실장 하여 측정한 열저항 특성 값도 함께 변하였다. Al2O3의 열저항 값은 3.003 K/W 으로 측정 되었으며, AlN의 열저항 값은 3.003k/W 으로 측정되었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07d
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• pp.3151-3153
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• 2000

현재 국내에서 사용되는 교통신호등용 전구는 전량 해외에서 수입하는 백열전구로써 발열에 의한 낮은 발광 효율과 짧은 수명으로. 전력의 과소비와 과중한 전력요금 부담. 잦은 유지보수로 관리비용의 증가와 교통환경 악화의 원인이 되고 있으며, 국가적으로는 귀중한 에너지의 낭비, 첨두부하 증가에 따른 전력수요관리의 어려움, 발전용 화석연료 사용증가에 따른 환경오염 유발 등의 문제가 발생하고 있다. 그러나 $8{\sim}12$인치의 원형(또는 사각) PCB 기판에 수백개의 고휘도 LED(반도체 발광 다이오드, Light Emitting Diode)와 구동회로로 구성되는 LED 교통신호등은 발열에 의한 열손실이 거의 없고, 특정 파장대의 단색광을 발광하여 착색렌즈 사용에 따른 빛손실이 없어 80% 이상의 대폭적인 에너지 절약이 가능하며. 또한 긴 수명으로 유지보수비용의 절감 및 교통환경개선 효과가 크게 기대되어 미국, 일본 등 고휘도 LEB 기술 선진국을 중심으로 경쟁적으로 LED 신호등 기술개발에 심혈을 기울이고 있으며, 일부 시범 보급중에 있다. 교통신호등은 특성상 국민의 안전과 직결된 사안으로 엄격한 규격으로 제한하고 있다. 그러나 LED 신호등은 발광 원리 및 발광 방식이 기존의 전구식과 달라 현재 규정된 시험방법으로 직접 평가가 불가능하다. 따라서 우리나라의 경우 LED 제조 기술은 세계적인 수준이나 LED 신호등에 대한 기술개발 및 보급은 현실적으로 어려운 실정이다. 본 논문에서는 에너지절약형 우리나라 환경 특성에 적합한 LED 교통 신호등의 규격 제정 및 국내 보급환경 구축을 위해 LED 신호등에 대한 시제품의 특성을 장시간의 옥외 시험을 통해 평가하고자 한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.6
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• pp.1375-1381
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• 2010

LED(Light Emitting Diode) is an emitting device which energy is same to the bandgap energy of p-type and n-type semiconductor junction. Recently high brightness LED is used in fish-luring light and traffic signal light alternative of normal light bulb, and widely used in the area of display pannel. Moreover nowadays LED has been used as a back light of LCD display. Recently, visible light communication(VLC) using LED, that allow two-way serial data communication between LEDs over a distance of sveral centimeters or meters, has been widely studied in the area of digital information transmission along with illumination and display. In this paper, we present LED communication system and their applications.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.05a
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• pp.226-229
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• 2010

LED(Light Emitting Diode) is an emitting device which energy is same to the bandgap of p-type and n-type semiconductor junction. Recently high brightness LED is used in fish-luring light and traffic signal light alternative of normal light bulb, and widely used in the area of display pannel. Moreover nowadays LED has been used as a back light of LCD display. Recently, visible light communication(VLC) using LED, that allow two-way serial data communication between LEDs over a distance of sveral centimeters or meters, has been widely studied in the area of digital information transmission along with illumination and display. In this paper, we present LED communication system and their applications.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.4
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• pp.254-258
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• 2009

We herein report on polymer phosphorescent light-emitting devices doped with iridium complex. The emitting layer of poly(N-vinylcabazole) and tris(2-phenylpyridine)iridium was fabricated by low speed dip-coating of 10, $20{\mu}m$/s. The devices showed stable current increasing leakage current at turn-on voltage. Compared to conventional spin-coating based organic light-emitting devices, the driving voltage by dip-coating observed lower values of 5.8 and 6.7 V at the luminance of 100 Cd/$cm^2$.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.29 no.4
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• pp.49-53
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• 2022

In this study, quantum dot light-emitting diodes (QLEDs) of the optimized EL performance with a radio frequency (RF) sputtered Zn_0.85Mg_0.15O thin film as an electron transport layer (ETL). In typical QLEDs, ZnO nanoparticles (NPs) are widely used materials for ETL layer due to their advantages of high electron mobility, suitable energy level and easy capable of solution processing. However, the instability problem of solution-type ZnO NPs has not yet been resolved. To solve this problem, ZnMgO thin film doped with 15% Mg of ZnO was fabricated by RF sputtering and optimized for the device applied as an ETL. The QLEDs of optimized ZnMgO thin film exhibited a maximum luminance of 15,972 cd/m² and a current efficiency of 7.9 cd/A. Efficient QLEDs using sputtering ZnMgO thin film show the promising results for the future display technology.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.15 no.2
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• pp.1-6
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• 2008

New devices with the structure of ITO/2-TNATA/NPB/TCTA/CBP:$7%Ir(ppy)_3$/BCP/SFC-137/LiF/Al were designed and fabricated to develop high efficiency green phosphorescent organic light emitting diodes and their electroluminescence properties were evaluated. Among the devices with different thicknesses of CBP in a range of $150{\AA}{\sim}350{\AA}$, the best luminance was obtained in the device with $300{\AA}$-thick CBP host. Nearly saturated current efficiencies indicates that the maximum efficiency value can be obtained with CBP thicknesses of $300{\AA}{\sim}350{\AA}$. The current density, luminance, and current efficiency of the PhOLED(phosphorescent organic light emitting diode) with $CBP(300{\AA}):7%Ir(ppy)_3-emissive$ layer at an applied voltage of 10V were $40mA/cm^2,\;10000cd/m^2$, and 25 cd/A, respectively. The maximum current efficiency was 40.5cd/A under the luminance of $160cd/m^2$. The peak wavelength and FWHM(full width at half maximum) in the electroluminescence spectral were 512nm and 60nm, respectively. The color coordinate was (0.28, 0.63) on the CIE (Commission Internationale de I'Eclairage) chart.