• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.194-195
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• 2006

개인 휴대 통신 기기의 급속한 발달로 인해 부품의 소형화, 고집적화가 중요한 요소로 대두되고 있으며 이를 위해서는 모듈내부에 3차원적인 수동소자의 내장이 가능한 LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) 공정이 각광받고 있다. Embedded Capacitor를 제조하기 위해 유전율이 7.6과 6.5인 LTCC 재료를 이종접합 하여 제조하였으며 이종재료의 수축거동 차이에 의한 camber가 발생하였다. 이를 해결하고 또한 고주파 부품용 정밀회로 패턴을 구 현하기 위해 PLAS 방식의 Constrained Sintering 공정을 적용하여 camber 문제를 해결하였으며 capacitance 값이 두 이종재료의 유전율과 1:1로 비례하지 않았는데 이는 유전율 65 tape에 잔존하는 기공 때문으로 판단되며 미세구조로써 확인하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.10 no.6
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• pp.533-540
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• 1997

The microwave dielectric properties of ((P $b_{1-x}$ C $a_{x}$)Zr $O_3$ and (P $b_{0.63}$,C $a_{0.37-x}$ $M_{x}$)Zr $O_3$(M=Mg,Sr) ceramics were investigated. In (P $b_{1-x}$ C $a_{x}$)Zr $O_3$ (X=0.33~0.40) ceramics, high quality factor and small temperature coefficient of resonant frequency were obtain in (P $b_{0.63}$C $a_{0.37}$)Zr $O_3$with perovskite structure. In the case of (P $b_{0.63}$C $a_{0.37-x}$M $g_{x}$)Zr $O_3$ dielectric constant temperature coefficient of resonant frequency increased and quality factor decreased due to increase of polarization of A-O bonding. When replacing Ca ion with Sr ion with large ion radius, polarization decreased with increased of bonding length and thus dielectric constant and temperature coefficient of resonant frequency decreased.decreased.creased.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.108-108
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• 2000

급증하는 무선통신 정보수요는 특히, 고주파대역 (300NHz-300GHz)에서 사용되는 공진기, 필터, 발진기 등과 같은 소자의 품질향상을 요구하고 있다. 고주파용 유전체 중 ZrTiO4 는 $\alpha$-PbO2 계열의 사방정구조를 갖고 있는 유전체로서 높은 유전율 ($\varepsilon$=40)과 높은 품질계수 (Q=1/tan$\delta$=4700 at 7GHz)를 갖고 있고, Sn 첨가시 0ppm/$^{\circ}C$의 공진주파수 온도계수를 얻을 수 있다고 보고되어 있다. 본 연구에서는 약 110$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 상으로 존재하는 ZrTiO4를 저온에서 증착하여 준안정한 상태로 결정화되게 한후, 유전손실 (tan$\delta$)과 유전율($\varepsilon$)을 측정하였다. 또한 증착온도와 열처리과정에 따른 박막의 us형 (Strain) 정도의 변화를 X-선 회절결과로부터 분석하였으며 이를 측정된 유전특성 값과 비교하였다. ZrTiO4 박막은 DC magnetron reactive sputter로 Zr과 Ti 타겟으로부터 high phosphorous doped Si (100) 기판위에 증착하였다. 압력은 4mTorr로 유지하고 박막의 화학양론적 조성비를 맞추기 위해 각 타겟에 가해지는 power는 Zr/Ti=500W/650W로 고정하고, 반응가스의 비율을 Ar/O2=17sccm/3.5sccm으로 유지하여 박막내에 인입되는 산소량을 제어하였다. 증착 직후와 열처리 후의 박막특성을 비교하기 위해 증착온도를 상온에서부터 $600^{\circ}C$까지 변호시키고 증착후 각각의 시편을 80$0^{\circ}C$ 산소분위기에서 2시간동안 열처리하여 시편을 준비하였다. 박막의 상형성 여부와 결정성변화는 $ heta$-2$\theta$X-선 회절법을 사용하여 조사하였고, EPMA를 이용하여 박막의 조성을 확인하였다. 유전특성의 측정을 위해 백금 상부전극을 증착한 후, impedance analyzer를 이용하여 100kHz 영역에서의 유전손실을 측정하고, 측정된 정전용량과 박막의 두께로부터 유전율을 계산하였다. ZrTiO4 박막은 증착온도 20$0^{\circ}C$ 이상에서 결정성을 보이기 시작했으며, 열처리 이후에는 상온에서 비정질이었던 시편이 $650^{\circ}C$ 이상의 온도에서 결정화되기 시작하였다. 증착온도에 따라 유전손실은 0.038에서 0.017 정도로 감소하는 경향을 나타냈으며, 각각 열처리에 의해서 0.034, 0.005 정도로 다시 감소하였다. 박막의 유전율은 약 35 정도의 값을 나타내었으며 X-선 회절 data로부터 분석한 박막의 변형은 증온도에 따라 7.2%에서 0.04%로 감소하였고 이 이경향은 유전손실은 감소경향과 일치하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.80-80
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• 1998

RU02 박막은 전이금속으로서 rutile 구조이며, 넓은 온도 영역에서 금속성의 를 나타내고, 700도 이상의 높은 온도에서 열적 안정성을 갖는 물질이다 이러한 특성 때문 에 RU02 박막은 실리콘 디바이스에서 배선 게이트 전극 확산 장벽 등에 응용가능성이 높 은 물질로 각광을 받고 있다- 특히 다결정 RU02 박막은 DRAM (dynamic random access m memory) 내의 강유전성 축전기의 전극으로서 유망한 물질이다. 지금까지 이러한 응용분야에 사용된 전극물질은 pt 금속이었다 그러나 이러한 금속전극은 SI 산소 그리고 강유전체의 구성물질 등과의 상호확산, pt 표면의 hillock의 존재로 생기는 전기적 단락, 기판과의 나쁜 점작성, 어려운 에칭 프로세스 등의 단점을 가지고 있다 더욱 더 심각한 문제는 P Pt'ferroelectric/Pt 구조에서 나타나는 aging과 fatigue인데, 이는 108 사이쿨 이후에 스위칭 가 능한 잔류 pOlarization 으$\mid$ 감소를 유발하게 된다- 최근 Berstein은 Pt 대신에 RU02를 사용함으로써 강유전체 축전기에서의 fatigue 현상을 크게 감소시켰다고 보고 한 바 있다 Burst川도 RU02 가 실리콘 표면과 유전체 물질 사이에 전기전도 어떠한 상호 확산도 일어나지 않음을 보였다. 그러나 이러한 연구 결과에도 증착조건과 RU02 박악의 특성에 관한 상호 관계가 충분히 더욱 더 중은 강유전성 박막올 만들기 위해서는 이러한 박막 전극에 않고 있다 연구되지 대한 상세한 연구가 반드시 필요하다고 본다. RU02 박막은 실리콘 기판 위에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 사용 한 타켓은 2 인치의 직경을 가지는 CERAC 사에서 제작한 Ruol다 초기 진공은 1O~6 Torr 이하였고, 고주파 전력은 20 - 80W 까지 변화시켰다 반응성 스퍼터링율 하기 위해 아르곤과 산소롤 주입하였고, 산소/(산소+아르곤)의 비를 변화시켰다 기판의 온도와 증착압력은 각각 상온에 서 500도까지 , 5mTorr에 서 100mTorr 까지 변 화시 켰 다 RU02 박막의 결정성을 조사하기 위해 XRD 표면 형상과 단면을 조사하기 위해 SEM을 사용하였다‘ 박악의 비저항을 조사하기 위해 4-단자법 van der Pauw 방법을 사용하였다. RU02 박막은 증착압력이 높을수록 비저항은 높아지고, 두께는 감소하였다. 특히 1 100mTorr에서는 작업가스와 스퍼터된 입자사이의 심각한 산란 때문에 아예 증착이 이루어 지지 않았다‘ RF 전력이 증가할수록 비저항이 낮아졌다. 이는 두께에 의존하는 결과이며 전형적인 금속박막에서 나타나는 현상과 유사함을 알 수 있었다- 기판온도와 작업가스의 산소 분압이 높을수록 비저항이 감소하였다‘ 이러한 사실은 성장한 박악의 결정구조와 밀접한 관련이 있음을 보여준다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1811-1813
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• 2004

본 논문에서는 2개의 유전체와 3개의 전극을 사용한 중첩방전형 오존발생기(Superposed Discharge Type Ozonizer, SDO)를 설계 제작한 후 중심전극 진공도 변화에 따른 고조파 오존발생기의 방전특성 및 오존생성특성을 연구하고, 방전 공간 내부에서 소비되는 에너지양을 측정하기 위하여 Lissajous법을 이용하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1996.06a
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• pp.175-176
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• 1996

ppt/Ti/SiO2/Si 기판상에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방식으로 ppZT 박막[두 께:3000$\AA$]을 증착하고 RTA 방식으로 후속 열처리[열처리온도:550~$650^{\circ}C$]를 실시하여 직 경 0.2mm 소자의 FECApps(ferroelectric cappacitors)를 제작하였다. 증착된 ppZT 박막을 강 유전성 pperovskite 결정상으로 만들기 위해 ppZT 박막의 열처리조건을 연구하였으며, 열처리 방식에 따른 ppZT 박막의 결정특성(상형상, 형상관찰, 성분분석 등)과 커패시터 소자의 전기 적 특성($\varepsilon$r,tan$\delta$,pp-E hysteresis curves, 누설전류 등)을 비교, 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10a
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• pp.75-76
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• 2006

최근 고주파 유전체 소재로 많이 연구가 되고 있는 $BaSrTiO_3$ 소재와 polymer계열을 이용한 composite복합체를 이용하여 embedded capacitor를 제작하였으며, 후막을 제작하기 위한 방법으로는 두께의 신뢰성이 비교적 높은 screen printing기법을 사용하여 제작하였다. 제작된 소자의 온도별, 주파수별 특성을 연구하여 그 응용 가능성을 알아보았다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.6 no.2
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• pp.75-81
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• 1999

$CaTiO_3$-$ La(Mg_{2/3}Ta_{1/3})O_3$ solid solutions were prepared in order to improve the microwave dielectric properties of $CaTiO_3$. XRD analysis revealed that the crystal structure of the solid solution changed from orthorhombic to monoclinic as the amount of $ La(Mg_{2/3}Ta_{1/3})O_3$increased. When x=0.3 in (1-x)$CaTiO_3+xLa(Mg_{2/3}Ta_{1/3})O_3$, the dielectric constant was 49, the temperature coefficient of resonance frequency was +$14ppm/^{\circ}C$, and $Q \times f_0$ was 17000.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.9
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• pp.943-947
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• 1999

The crystal structure and the microwave dielectric properties of $La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ ceramics have been investigated. $La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ has the 1:1 ordered monoclinic structure with the lattice parameters of $a = 5.5467(3){\AA}, b = 5.5616(3){\AA}, c = 7.8426(5) {\AA} and \beta = 89.9589 (2)^{\circ}$ The spacegroup of LMT is $P2_1/n$. Monoclinic LMT has the in­phase and anti-phase tilting of octahedra with the $a^_a^_c^_$ tilting system. Anti-parallel shift of A-site cations was also found in LMT. The relative density of the specimens sintered above $1600^{\circ}C$ was ranged between 95 % and 96 % of the theoretical density and the dielectric constant of specimens was about 28. The highest $Q\timesf$ achieved in this investigation was 63,100 for the specimen sintered at $1630^{\circ}C$ for 5 hr. Temperature coefficient of resonance frequency ranged from $>-74 ppm/^{\circ}C ~ -79 ppm/^{\circ}C$.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.23 no.6
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• pp.1602-1609
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• 1998

In this paper, the design and implementation of the novel RF front end circuit for CDMA based PCS phone is described. This novel scheme is realized by building the power amplifier module combined with duplexer. The dielectric filters which are parts of duplexer are broken up and relocated into the module. Electromagnetic analysis for via holes and coupling between narrow transmissio lines is icluded to design a circuit. The combined moule has been minimaturized to be as small as 1.5CC. It has satisfied IS-95 requirements for linearity performances of CDMA signal at 24-dBm output power as well as played apart as a duplexer. The operating current of about 95mA has been saved owing to both rearranging dielectric filters and limiting operating point to class-B by considering real working power range of CDMA phones.