• Title/Summary/Keyword: 고전주의

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A Study on Classicism in Drawings of Deoksugung Palace Art Museum (도면 분석을 통한 덕수궁미술관의 고전주의적 특성에 관한 연구)

  • Kim, Jong-Hun
    • Journal of architectural history
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    • v.24 no.6
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    • pp.83-92
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    • 2015
  • Deoksugung Palace Art Museum was built in 1938 as the first professional art museum in Korea. In 2015, National Research Institute of Cultural Heritage published a book on architectural drawings of this building. This book, called Architectural Drawings of the Deoksugung Palace Art Museum, consists of 646 sheets, 23 types of documents, as well as other historical letters. This paper focuses on the analysis of the characteristics of classicism in Architectural Drawings. It shows that every dimensions of drawings were controled by 3 partition composition through the analysis of architectural plan drawings, elevation drawings and even section drawings. Thus, Classicism for the museum is not about classical elements but the principle of composition of each elements for the construction. This paper further argues that Deoksugung Palace Art Museum exemplifies beautiful Classicism architecture which follows the principle of classical architectural composition.

Design of High Voltage Switch Based on Series Stacking of Semiconductor Switches and Gate Drive Circuit with Simple Configuration (간단한 구조를 갖는 직렬 반도체 스위치 스태킹 기반 고전압 스위치 및 게이트 구동 회로 설계)

  • Park, Su-Mi;Jeong, Woo-Cheol;Ryoo, Hong-Je
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.221-223
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    • 2020
  • 반도체 기반 고전압 펄스 발생장치에 적용 가능한 고전압 스위치는 주로 수 kV 정격의 반도체 스위치를 직렬로 스태킹하여 구성되며, 이때 각 스위치 소자에는 절연과 동기화된 각각의 게이트 신호가 인가되어야 한다. 본 논문에서는 짧은 펄스 폭의 온, 오프 게이트 펄스와, 단일 턴의 고전압 전선을 일차측으로 갖는 게이트 변압기를 통해 직렬로 구성된 반도체 스위치 스택 기반의 펄스 모듈레이터에 적용 가능한 간단한 구조의 게이트 구동회로가 설계되었다. 각 스위치에 게이트 신호를 전달하기 위해 온, 오프 게이트 펄스를 사용함으로써 게이트 변압기의 포화를 방지할 수 있으며, 이때 각 스위치의 게이트 턴-온, 오프 전압은 변압기 이차측의 제너 다이오드와 스토리지 커패시터를 통해 유지된다. Pspice 시뮬레이션을 통해 12개의 IGBT를 직렬로 구성하여 설계된 구조의 게이트 회로를 적용, 최대 10kV 펄스 출력 조건에서 안정적인 동작을 확인하고 설계를 검증하였으며 1200V 급 IGBT를 사용하여 실제 스위치 스택과 게이트 구동회로 모듈을 1리터 이내의 부피로 고밀도화하여 제작하였다.

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Current status of automatic translation service by artificial intelligence specialized in Korean astronomical classics (천문 고문헌 특화 인공지능 자동번역 서비스의 현황)

  • Seo, Yoon Kyung;Kim, Sang Hyuk;Ahn, Young Sook;Choi, Go-Eun;Choi, Young Sil;Baik, Hangi;Sun, Bo Min;Kim, Hyun Jin;Choi, Byung Sook;Lee, Sahng Woon;Park, Raejin
    • The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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    • v.46 no.2
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    • pp.64.3-65
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    • 2021
  • 인공지능 기계학습에 의한 한문고전 자동번역기는 승정원일기 뿐만 아니라, 한국 고문헌 중 천문 기록에 특화되어 한자로 된 천문 고전을 한글로 번역해 서비스하고 있다. 한국천문연구원은 한국지능정보사회진흥원이 주관하는 2019년도 Information and Communication Technology 기반 공공서비스 촉진사업에 한국고전번역원과 공동 참여하여 이 자동 번역기 개발을 완료한 것이다. 이 번역기의 개발 목적은 초벌 번역 수준일지라도 문장 형태의 한문을 한글로 자동 번역하는 것이며, 이 연구는 현재 번역기 운용 현황을 서비스 별로 분석하고자 한다. 자동 번역관련 서비스는 크게 3가지이다. 첫째, 누구나 웹 접속을 통해 사용 가능한 한문고전 자동번역 대국민 서비스이다. 1년간 자체 시험을 거쳐 2021년 1월 12일 시험판을 오픈하여 운용 중에 있다. 둘째, 기관별로 구축된 코퍼스와 도메인 특화된 번역 모델 등을 관리할 수 있는 한문고전 자동번역 확산 플랫폼 서비스이다. 대국민 서비스와 함께 클라우드 기반으로 서비스되며, 한국고전번역원이 관리를 담당한다. 셋째, 자동번역 Applied Programmable Interface를 활용한 한국천문연구원 내 자체 활용이 가능한 천문고전 자동번역 서비스이다. 서비스 현황 분석은 기관별 관리 서비스에 해당되는 한문고전 자동번역 확산 플랫폼에서 집계하여 제공하는 대시보드의 통계 기능을 활용한다. 각 서비스별 문장과 파일 번역 이용 건수, 번역 속도, 평균 자수 뿐만 아니라, 번역 모델 프로필에 따른 이용률 분석이 가능하다. 이에 따른 주요 분석 중 하나인 올해 전체 번역 이용 건수는 한 해 각 기관의 평균 방문자수 대비 87% 성과 목표에 해당되는 약 38만 건에 근접할 것으로 예측된다. 이 자동 번역기는 원문 해독 시간을 단축시키는 효과와 함께 미번역 천문 고문헌의 활용성을 높여 다양한 연구에 기여할 것이다.

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Classic novel class criticism: teacher as a storyteller (고전소설 수업 비평 : "이야기꾼"으로서의 교사에 대한 주목)

  • Park, Su-jin
    • Journal of Korean Classical Literature and Education
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    • no.33
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    • pp.45-82
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    • 2016
  • Class, the fundamental unit of school education and the meeting place of teacher and students, plays an important role in study of the subject matter of education. Class criticism is material to the theory or method that helps researchers deeply understand and analyze class phenomena or teachers' actions during a class. In this study, I make a critique on the features of a classic novel class as attempt to expand on new prospects in the field of research on classical literature education. The classic novel class in this class criticism is typical one, which reads the work analytically. Nevertheless, the teacher turns the students' vague repulsion into empathy and helps them appreciate and internalize the work. Students' empathy and response are reflected in the interpreting-centered class because the teacher's insights about the work and experience, knowledge, and method of literature education are projected during the class. Especially, a situation in which the teacher spends a relatively long time narrating the background of the work clearly shows the value and meaning disseminated in a classic novel class. Based on the aforementioned, attempts to collect a variety of cases of a classic novel class and to understand the meaning of these cases have to be part of future research. The research on the attributes of a class such as criticism of classic novels enables us to renew introspection to discover classical literature education.

High Current Behavior and Double Snapback Mechanism Analysis of Gate Grounded Extended Drain NMOS Device for ESD Protection Device Application of DDIC Chip (DDIC 칩의 정전기 보호 소자로 적용되는 GG_EDNMOS 소자의 고전류 특성 및 더블 스냅백 메커니즘 분석)

  • Yang, Jun-Won;Kim, Hyung-Ho;Seo, Yong-Jin
    • Journal of Satellite, Information and Communications
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    • v.8 no.2
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    • pp.36-43
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    • 2013
  • In this study, the high current behaviors and double snapback mechanism of gate grounded_extended drain n-type MOSFET(GG_EDNMOS) device were analyzed in order to realize the robust electrostatic discharge(ESD) protection performances of high voltage operating display driver IC(DDIC) chips. Both the transmission line pulse(TLP) data and the thermal incorporated 2-dimensional simulation analysis as a function of ion implant conditions demonstrate a characteristic double snapback phenomenon after triggering of bipolar junction transistor(BJT) operation. Also, the background carrier density is proven to be a critical factor to affect the high current behavior of the GG_EDNMOS devices.