• Title/Summary/Keyword: 고분해능 전자현미경

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PRAM 소자를 위한 GST의 결정화 및 HRTEM분석

  • 박유진;이정용;김성일;염민수;성만영;김용태
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2005.09a
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    • pp.73-77
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    • 2005

  • 고분해능 투과전자현미경을 이용하여 PRAM소자의 상변화물질인 $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}(GST)$의 결정화에 관해 미세구조 분석을 수행하였다. 결정성을 측정하는 일반적인 방법인 XRD법에 비해 고분해능 투과전자현미경을 이용한 미세구조 분석은 XRD에서 분석할 수 없는 결정화 초기 양상을 분석할 수 있을 뿐만 아니라, 소자내부의 국부적인 영역과 같이 특정한 영역에서의 결정구조 및 원자배열에 관한 분석이 가능하였다. 이를 통해 GST박막의 전기적 특성이 결정립 크기에 직접적으로 연관성이 있음을 밝혀내었다. GST의 결정구조 및 원자배열에 관해서는, 제한시야전자회절 기법을 통해 준안정상에서의 GST는 FCC 구조를 가지고 안정상의 GST는 hexagonal 구조를 가짐을 보여주었으며, 고분해능 이미지 관찰을 통해 원자단위로 GST의 결정성을 규명하였다.

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High-resolution Transmission Electron Microscopy of Ordered Structure for Lead Magnesium Niobate Solid Solutions ($Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ 고용체에서 고분해능 투과전자현미경을 이용한 구조 규칙화에 대한 연구)

  • Park, Kyeong-Soon
    • Applied Microscopy
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    • v.27 no.1
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    • pp.101-109
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    • 1997

  • The nonstoichiometric ordering of Mg and Nb cations in undoped and La-doped lead magnesium niobate solid solutions has been investigated by means of high-resolution transmission electron microscopy and computer image simulation. High-resolution lattice images were obtained under various microscope imaging conditions and objective apertures. Computer image simulations were performed for a wide range of sample thickness, defocusing value, and long-range order parameter. The simulated images revealed that the lattice images of the ordered regions were predominantly dependent on the long-range order parameter. From the comparisons of the experimental and simulated images for the ordered regions, the long-range order parameter approximately ranged 0.2 to 0 7. It was also found that the ordered structure has a $(NH_4)_3-FeF_6$ structure, which consists of alternating Mg- and Nb-preferred sublattices along the (111) directions.

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An Analysis of Structural Characteristics in Amorphous Vanadium Oxide ($V_2$$O_5$) Cathode Film for Thin Film Batteries after Cycling by High-resolution Electron Microscopy (HREM) (고분해능 투과전자 현미경을 이용한 박막 전지용 비정질 산화 바나듐 양극 박막의 충-방전에 따른 구조변화 분석)

  • 김한기;성태연;전은정;옥영우;조원일;윤영수
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.3
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    • pp.274-279
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    • 2001

  • Pt/Ti/Si 기판 위에 성장시킨 박막 전지용 비정질 산화 바나듐 박막에 고상 전해질 박막 LiPON을 이용하여 전고상형 박막전지를 제작하여 충-방전 시험을 시행하였다. 이렇게 제작된 전고상형 박막전지는 500 사이클 이상까지 평균 15$\mu$Ah의 방전용량을 나타내었으나 초기 사이클 영역부터 방전 용량의 감소가 일어나기 시작했다. 박막 전지의 방전 용량 감소에 따른 비정질 산화 바나듐 박막의 구조적 특성 변화를 관찰하기 위하여 고분해능 현미경 분석을 시행하였다. 충-방전을 하지 않은 초기의 산화 바나듐 박막은 입계를 갖지 않고 다결정 특성을 보이지 않는 완전한 비정질 특성을 보였고 이는 TED 결과와 일치하였다. 그러나 450번의 반복적인 충-방전을 시행한 후의 비정질 산화 바나듐 박막 내에는 microcrystalline 형태의 산화 바나듐의 형성됨을 고분해능 전자 현미경 분석을 통해 발견할 수 있었다. 비정질 산화바나듐 박막의 방전 용량 감소의 원인인 Li의 비가역적 탈-삽입은 비정질 내에 형성된 microcrystalline에 의해 유발된다고 사료된다. 또한 LiPON 전해질 박막과 산화 바나듐 박막사이의 계면에 Li 이온과 산화바나듐과의 반응에 의해 형성된 계면 층에 발견할 수 있었는데 이러한 계면 층 역시 Li 확산과 계면 저항에 영향을 주어 방전 용량 감소에 원인으로 작용한다.

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Investigation method of the growth mode transition in a strained semiconductor heterostructure by transmission electron microscopy (변형량이 걸린 반도체 이종 접합 구조에서의 성장 방식 변화에 대한 투과 전자 현미경 연구 방법)

  • Im, Yeong-Su;Lee, Jeong-Yong
    • 한국전자현미경학회:학술대회논문집
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    • 1999.11a
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    • pp.54-58
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    • 1999

  • GaAs 위에 증착된 ZnTe 박막의 계면 구조를 투과 전자 현미경을 이용하여 관찰하였다. 2-빔 조건을 사용하여 관찰된 계면에서 모아레 즐무늬가 관찰되었으며, 이러한 모아레 줄무늬의 생성원리를 규명하였다. 또한 고분해능 투과 전자현미경상으로부터 얻어진 결과와 비교하여 ZnTe의 성장방식 전이 및 섬 구조를 가지는 ZnTe 박막의 여러 가지 구조적 성질들 - 섬의 크기, 변형량, $60^{\circ}$ 전위의 분포 등 - 에 대해 밝혔다. 이러한 결과들은 큰 변형량이 걸린 반도체 이종 접합 구조의 해석에 일반적으로 적용될 수 있다.

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