• Title/Summary/Keyword: 고밀도 가스

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Effect of methane gas hydrate formation of Anionic multichain type surfactant (음이온 멀티체인형 계면활성제의 메탄 가스 하이드레이트 형성시 효과)

  • Kwon, Young-Ah;Jeong, Kwang-Eun;Park, Jong-Mok;Kim, Chul-Ung;Chae, Ho-Jeong;Jeong, Soon-Yong;Yim, Jin-Heong;Lee, Ju-Dong
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.06a
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    • pp.712-715
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    • 2009
  • 본 연구에서는 고밀도, 고촉진 가스하이드레이트 생성 촉진제 (promoter)의 개발을 위하여 음이온성 멀티체인형 게면활성제를 제조하였다. 또한 각 계면활성제의 알킬그룹의 길이에 따라 같은 조건에서의 계면활성제의 촉진 효과를 비교하였다. $1^{\circ}C$에서 35bar,40bar로 압력을 달리하여 비교 실험하여 메탄 하이드레이트 생성속도를 측정하고, 각 조건에서의 계면활성제의 촉진 효과를 비교하였다. 알킬그룹의 길이가 짧을수록, 압력이 높을수록 촉진 속도가 빠르다. 또한 기존의 상용화된 SDS(Sodium dodecyl sulfate)보다 본 연구에서 제조한 C10의 음이온성 멀티체인형 계면활성제가 SDS 대비하여 소량으로도 충분한 효과를 나타냄을 확인하였다.

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Change of fatty acid compositions of rotifer according to enrichment diets and methods in the high density culture (고밀도 배양에 있어서 영양강화 방법 및 종류에 따른 rotifer의 지방산 조성의 변화)

  • PARK Heum Gi;LEE Kyun Woo;LEE Sang-Min;KIM Sung Koo;KIM Hyung Sun
    • Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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    • v.32 no.6
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    • pp.748-752
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    • 1999
  • This study was carried out to compare the growth and fatty acids composition of the rotifer (Brachionus rotundiformis) cultured in high density by the various enrichments and culture methods. The rotifer fed on condensed freshwater Chlorella was enriched with $\omega$-yeast, Algamac, Super Selco and marine Chlorella. In another culture method, the rotifer was cultured with enrichment supplements for 6 hours after feeding with condensed freshwater Chlorella supplement for 18 hour. The rotifer fed with condensed marine Chlorella for 24 hours without fieshwater Chlorella was used as a control group. Culture tanks (5 $\ell$ working volume) was immersed in a water bath ($28^{\circ}C$). The density of rotifer and dissolved oxygen level in water was stable in control group of rotifer cultured with condensed marine Chlorella for 24 hours and the n-3 HUFA content of rotifer was the highest among the rotifer culture methods. However, the density of rotifer and dissolved oxygen level in the groups of rotifers enriched with $\omega$-yeast, Algamac and Super Selco by methods were drastically decreased, The n-3 HUFA contents of rotifers enriched by Super Selco were higher than those of rotifer enriched by either $\omega$-yeast or Algamac in both methods. The results from this experiment indicated that supplementation of condensed marine Chlorella for 24 hour by the semi-continuous culture was effective for the improvement of the nutritional value of rotifer and it could provide the stable growth condition for rotifer culture in high density.

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High Density Planar Inductively Coupled Plasma Etching of GaAs in BCl$_3$-based Chemistries (BCl$_3$ 기반 가스를 이용한 GaAs의 고밀도 평판형 유도결합 플라즈마 식각)

  • ;;;;;;S.J. Pearton
    • Journal of Surface Science and Engineering
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    • v.36 no.5
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    • pp.418-422
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    • 2003
  • 평판형 유도결합 플라즈마 식각장비(inductively coupled plasma etcher)를 이용하여 각종 공정조건들에 따른 GaAs의 식각특성을 연구하였다. 공정변수들은 ICP 소스파워(0-500 W), RIE 척파워(0-150 W), 가스 종류($BCl_3$, $BCl_3$/Ar, $BCl_3$/Ne) 및 가스혼합비였다. $BCl_3$ 가스만을 이용하여 GaAs를 식각한 경우보다 25%의 Ar이나 Ne같은 불활성 기체를 혼합한 $15BCl_3$/5Ar, $15BCl_3$/5Ne 가스를 이용한 경우의 식각률이 더 우수한 것을 확인하였다. 그리고 50% 이하의 Ar이 혼합된 $BCl_3$/Ar의 경우는 높은 식각률 (>4,000 $\AA$/min)과 평탄한 표면(RMS roughness : <2 nm)을 얻을 수 있었지만 지나친 양(>50%)의 Ar의 혼합은 오히려 표면을 거칠게 하거나 식각률을 떨어뜨리는 결과를 가져왔다. 그리고 20 sccm $BCl_3$, 100 W RIE 척파워, 300 W ICP 소스파워, 공정압력이 7.5 mTorr인 조건에서의 GaAs의 식각결과는 아주 우수한 특성(식각률: ∼ 4,000, $\AA$/min, 우수한 수직측벽도: >$87^{\circ}$, 평탄한 표면: RMS roughness : ∼0.6 nm)을 나타내었다.

Caracteristic of Ru thin films using ECR Plasma (ECR 플라즈마를 이용한 Ru 박막의 식각특성)

  • 함동은;이순우;안진호
    • Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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    • 2002.11a
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    • pp.123-127
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    • 2002
  • DRAM용 capacitor의 차세대 전극물질 후보 중의 하나인 Ru 박막을 고밀도의 ECR 플라즈마를 이용하여 식각 특성 및 식각 메커니즘을 알아보고자 하였다. 식각시 Ru은 oxygen들과 결합을 하여 RuO2 화합물들을 생성하고 RuO2 화합물들은 다시 oxygen들과 결합을 함으로써 휘발성이 강한 RuOx 화합물들을 생성하였다. 하지만 이러한 식각이 이루어지기 위해서는 oxygen이온들에 의한 충돌이 필요하며, Cl과 F 가스들을 첨가가 의해 충돌 이온의 에너지가 증가되어 RuO2와 O radical들의 반응성을 향상시켰다. 이에 휘발성이 좋은 RuO4들의 형성속도를 증가시킴으로써 식각 속도를 향상시킬 수 있었다.

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적외선 우주 망원경을 이용한 별 탄생 과정 연구

  • Lee, Jeong-Eun
    • The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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    • v.36 no.1
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    • pp.81.1-81.1
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    • 2011
  • 별 탄생 과정은 코어라 불리는 고밀도의 분자운이 중력붕괴를 거쳐 중심에 원시성을 만들고 원반을 통해 코어로부터 원시성으로 물질을 유입하는 과정이다. 이 과정에서 방출되는 광자는 원반이나 envelope에 있는 먼지 티끌들에 의해 흡수되어 적외선이나 서브밀리미터 영역에서 재 방출된다. 뿐만 아니라, 가스도 outflow에 의한 충격파 등에 의해 수 백도이상까지 데워져 적외선 영역에서 방출선을 만들게 된다. 그러므로 별 탄생 연구에 있어서 적외선 관측은 매우 중요하다. 최근 고감도, 고분해능의 적외선 우주 망원경들의 활약으로 별 탄생 과정에 대한 이해가 한 층 깊어지고 있기에, 이들 적외선 우주 망원경들을 이용한 별 탄생 관련 연구들을 소개하고자 한다.

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Processing of Metallic Materials by Gas Atomized Spray Forming (고성형성 합금 제조를 위한 가스 분무성형 공정)

  • Baik, K. H.;Seok, H. K.
    • Transactions of Materials Processing
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    • v.14 no.7 s.79
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    • pp.587-594
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    • 2005
  • 분무성형공정은 급냉응고 및 결정입자 제어에 따른 고품위 소재 개발의 장점과 함께 고밀도 near-net-shape 제품의 제조가 가능한 합금제조기술이다 분무성형체의 미세조직은 적층표면에 도달하는 액적들의 평균 열용량, 즉 고상분율에 의하여 결정되며, 이는 액적의 비행과정에서의 분사가스-액적간의 열전달과 적층표면에서의 열유입과 열유출 속도에 영향을 받는다. 실제 다양한 공정변수들이 복합적으로 미세조직 형성과정에 영향을 미치지만, 균일한 미세조직을 얻기 위하여서는 적층표면에서의 온도와 고상분율을 항상 일정하게 제어하여야만 한다 즉, 적층표면 온도를 분무 성형공정중에 지속적으로 측정하여 이를 공정 제어 시스템에 feedback하여 원하는 적층표면온도를 유지하도록 공정변수를 제어하는 것이 필수적이다. 분무성형에 제조된 성형체는 합금원소의 편석이 없고 미세한 등방성의 결정립으로 이루어진 특징적인 미세조직을 나타낸다 이와 같은 미세조직으로 인하여 분무성형체는 우수한 성형성과 기계가공성을 나타내며, 또한 분무성형-후속가공된 최종 제품은 잉곳주조에 의하여 제조된 것과 비교하여 크게 향상된 기계적 성질을 가진다.

생물분야 적용위한 플라즈마 집속장치의 전극별 극자외선 특징 분석

  • Kim, Jin-Han;Lee, Jin-Yeong;Choe, Eun-Ha
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.518-518
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    • 2013
  • 자외선이 생체를 파괴하거나 탄생시킬 수 있는 중요한 요소라는 것은 잘 알려져있다. 이 때문에 생체 시료를 보통 자외선 파장대인 250~350 nm보다 짧은 10 nm 영역에 있는 극자외선에 노출되었을 때 그 상호작용 및 변화를 찾아서 분석하는 것을 목표로 삼는다. 먼저 이에 대한 기초내용으로, 앞으로 활용하게 될 플라즈마 집속장치에서의 전극형태에 따른 EUV 광원의 특성을 알아보는 실험을 진행하였다. 이 실험은 집속 플라즈마 발진장치의 2가지 전극인 마테르 (Mather) 형태의 전극과, 초사이클로이달 핀치(Hypercycloidal pinch) 핀치 형태의 전극에서 발진된 극자외선(Extreme Ultraviolet : EUV) 집속 플라즈마의 전자온도와, 전자밀도, power를 분석하였다. 그리고 EUV 광원 발생장치에 Ar 가스와, Ne-Xe 가스내 환경에서 2 종류의 전극에 의해 만들어진 고밀도 플라즈마로부터 발생된 EUV의 특성을 알아보았다.

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Study on In-doped ZnO films deposited by RF magnetron sputtering (RF 스퍼터링을 이용하여 증착한 In-doped ZnO 박막에 관한 연구)

  • Park, Se-Hun;Park, Sang-Eun;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.92-92
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    • 2008
  • ZIO(Indium-doped Zinc Oxide) 박막은 고밀도, 고순도 ZIO($In_2O_3$ : 3.33, 6.50, 9.54, 12.44, 15.22 wt%) 타겟 5개를 이용하여 RF 마그네트론법으로 기판온도 RT에서 non-alkali 유리 기판위에 증착하였다. 스퍼터 가스로서는 Ar 가스를 사용하였다. $In_2O_3$ 9.54 wt%인 타겟을 이용하여 RT에서 증착한 박막이 가장 낮은 비저항 $9.13{\times}10^{-4}{\Omega}cm$를 나타내었다. ZIO 박막의 전기적 특성은 Hall 효과 측정장비, 박막의 결정구조는 X-선 회절(XRD), 광학적 특성은 UV 측정장비를 사용하여 측정하였다.

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Pyrolysis Characteristic and Ignition Energy of High-Density Polyethylene Powder (고밀도 폴리에틸렌 분진의 열분해성과 착화에너지)

  • Han, Ou-Sup;Lee, Jung-Suk
    • Journal of the Korean Institute of Gas
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    • v.18 no.3
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    • pp.31-37
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    • 2014
  • The aim of this work is to provide new experimental data on the pyrolysis characteristics and the minimum ignition energy (MIE) by using the same high-density polyethylene (HDPE) powder in domestic HDPE dust explosion accident. To evaluate the explosion sensitivity of HDPE, thermo-gravimetric analysis (TGA), differential scanning calorimeter (DSC) and MIE apparatus (MIKE-3, K$\ddot{u}$hner) was conducted. The measurements showed the volume median diameter of $61.6{\mu}m$ but the particle number density of 98 % in the range $0.4{\sim}4{\mu}m$. The ignition temperature from the results of TGA and DSC in HDPE dust layers was observed in the range of $380{\sim}490^{\circ}C$. MIE was measured under 1 mJ in the HDPE dust concentration of $1200{\sim}1800g/m^3$, it was found that the ratio of particle number density in the range $0.4{\sim}4{\mu}m$ was very high (98%).

RF Power Conversional System for Environment-friendly Ferrite Core Inductively Coupled Plasma Generator (환경친화형 페라이트 코어 유도결합 플라즈마 고주파 전력 변환 장치)

  • Lee, Joung-Ho;Choi, Dae-Kyu;Kim, Soo-Seok;Lee, Byoung-Kuk;Won, Chung-Yuen
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.20 no.8
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    • pp.6-14
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    • 2006
  • This paper is a study about a proper method of plasma generation to cleaning method and a high frequency power equipment circuit to generation of plasma that used cleaning of chamber for TFT-LCD PECVD. The high density plasma required for cleaning causes a possibility of high density plasma more than $1{\times}10^{11}[EA/cm^3]$. It apply a ferrite core of ferromagnetic body to a existing ICP form. In case of power transfer equipment on 400[kHz] high frequency to generation of plasma it makes certain a stable switching operation in condition of plasma through using a inverter form for general purpose HB. And it demonstrates the performance of power transfer equipment using methods of measurement which use a transformer of series combination the density of plasma and the rate of dissolution of $NF_3$ in condition of $A_r\;and\;NF_3$.