Microbial protein is one of the sources of protein in the rumen and can also be the source of glutamate production. Glutamic acid is used as fuel in the metabolic reaction in the body and the synthesis of all proteins for muscle and other cell components, and it is essential for proper immune function. Moreover, it is used as a surfactant, buffer, chelating agent, flavor enhancer, and culture medium, as well as in agriculture for such things as growth supplements. Glutamic acid is a substrate in the bioproduction of gamma-aminobutyric acid (GABA). This review provides insights into the role of glutamic acid and glutamic acid-producing microorganisms that contain the glutamate decarboxylase gene. These glutamic acid-producing microorganisms could be used in producing GABA, which has been known to regulate body temperature, increase DM intake and milk production, and improve milk composition. Most of these glutamic acid and GABA-producing microorganisms are lactic acid-producing bacteria (LAB), such as the Lactococcus, Lactobacillus, Enterococcus, and Streptococcus species. Through GABA synthesis, succinate can be produced. With the help of succinate dehydrogenase, propionate, and other metabolites can be produced from succinate. Furthermore, clostridia, such as Clostridium tetanomorphum and anaerobic micrococci, ferment glutamate and form acetate and butyrate during fermentation. Propionate and other metabolites can provide energy through conversion to blood glucose in the liver that is needed for the mammary system to produce lactose and live weight gain. Hence, health status and growth rates in ruminants can be improved through the use of these glutamic acid and/or GABA-producing microorganisms.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.22
no.1
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pp.461-467
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2021
Among the defect factors that can occur when a wafer-level lens is molded using a thermosetting material, the mold sticking problem of a molded lens during the release process can damage the molded substrate and deform the substrate at the wafer level. An experiment was conducted to examine the factors affecting the demolding force in the lens forming process. The demolding force was examined according to the coating material of the molds. The mold was surface-treated with ITO and Ti, followed by plasma treatment in an O2 atmosphere. A DLC coating was then performed, and the curing and releasability were examined. A coating method for the pull-off experiment was selected based on the results. To measure the demolding force according to the curing process conditions, a method of curing at a constant pressure and a method of curing at a constant position were applied. As a result, the TiO2 surface treatment reduced the release force. When cured by controlling the location, curing shrinkage can reduce the adhesion energy of the interface during curing, resulting in better demolding.
In this paper, parameter characteristics such as pH effect, isotherm, kinetic and thermodynamic parameters and competitive adsorption of dyes including malachite green (MG), direct red 81 (DR 81) and thioflavin S (TS), which have different functional groups, being adsorbed onto activated carbon were investigated. Langmuir, Freundlich and Temkin isotherm models were employed to find the adsorption mechanism. Effectiveness of adsorption treatment of three dyes by activated carbon were confirmed by the Langmuir dimensionless separation factor. The mechanism was found to be a physical adsorption which can be verified through the adsorption heat calculated by Temkin equation. The adsorption kinetics followed the pseudo second order and the rate limiting step was intra-particle diffusion. The positive enthalpy and entropy changes showed an endothermic reaction and increased disorder via adsorption at the S-L interface, respectively. For each dye molecule, negative Gibbs free energy increased with the temperature, which means that the process is spontaneous. In the binary component system, it was found that the same functional groups of the dye could interfere with the mutual adsorption, and different functional groups did not significantly affect the adsorption. In the ternary component system, the adsorption for MG lowered a bit, likely to be disturbed by the other dyes meanwhile DR 81 and TS were to be positively affected by the presence of MG, thus resulting in much higher adsorption.
Covalent organic frameworks (COFs) have shown promise in various applications, including molecular separation, dye separation, gas separation, filtration, and desalination. Integrating COFs into membranes enhances permeability, selectivity, and stability, improving separation processes. Combining COFs with single-walled carbon nanotubes (SWCNT) creates nanocomposite membranes with high permeability and stability, ideal for dye separation. Incorporating COFs into polyamide (PA) membranes improves permeability and selectivity through a synthetic interfacial strategy. Three-dimensional COF fillers in mixed-matrix membranes (MMMs) enhance CO2/CH4 separation, making them suitable for biogas upgrading. All-nanoporous composite (ANC) membranes, which combine COFs and metal-organic framework (MOF) membranes, overcome permeance-selectivity trade-offs, significantly improving gas permeance. Computational simulations using hypothetical COFs (hypoCOFs) demonstrate superior CO2 selectivity and working capacity relevant for CO2 separation and H2 purification. COFs integrated into thin-film composite (TFC) and polysulfonamide (PSA) membranes enhance rejection performance for organic contaminants, salt contaminants, and heavy metal ions, improving separation capabilities. TpPa-SO3H/PAN covalent organic framework membranes (COFMs) exhibited superior desalination performance compared to traditional polyamide membranes by utilizing charged groups to enable efficient desalination through electrostatic repulsion, suggesting their potential for ionic and molecular separations. These findings highlight COFs' potential in membrane technology for enhanced separation processes by improving permeability, selectivity, and stability. In this review, COF applied for the separation process is discussed.
$Ta_2O_5$ thin film IS a promising material for the high dielectrics of ULSI DRAM. In this study, $Ta_2O_5$ thin film was grown on p-type( 100) Si wafer by thermal metal organic chemical vapo deposition ( MCCVD) method and the effect of operating varialbles including substrate temperature( $T_s$), bubbler temperature( $T_ \sigma$), reactor pressure( P ) was investigated in detail. $Ta_2O_5$ thin film were analyzed by SEM, XRD, XPS, FT-IR, AES, TEM and AFM. In addition, the effect of various anneal methods was examined and compared. Anneal methods were furnace annealing( FA) and rapid thermal annealing( RTA) in $N_{2}$ or $O_{2}$ ambients. Growth rate was evidently classified into two different regimes. : (1) surface reaction rate-limited reglme in the range of $T_s$=300 ~ $400 ^{\circ}C$ and (2: mass transport-limited regime in the range of $T_s$=400 ~ $450^{\circ}C$.It was found that the effective activation energies were 18.46kcal/mol and 1.9kcal/mol, respectively. As the bubbler temperature increases, the growth rate became maximum at $T_ \sigma$=$140^{\circ}C$. With increasing pressure, the growth rate became maximum at P=3torr but the refractive index which is close to the bulk value of 2.1 was obtained in the range of 0.1 ~ 1 torr. Good step coverage of 85. 71% was obtained at $T_s$=$400 ^{\circ}C$ and sticking coefficient was 0.06 by comparison with Monte Carlo simulation result. From the results of AES, FT-IR and E M , the degree of SiO, formation at the interface between Si and TazO, was larger in the order of FA-$O_{2}$ > RTA-$O_{2}$, FA-$N_{2}$ > RTA-$N_{2}$. However, the $N_{2}$ ambient annealing resulted in more severe Weficiency in the $Ta_2O_5$ thin film than the TEX>$O_{2}$ ambient.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.26
no.2
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pp.94-101
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1989
Transport properties of 2DEG at AlGaAs/GaAs interface such as average electron energy, flight distance, each valley occupancy ratio, average electron velocity for various fields are investigated by MONTE-CARLO method. As the electric field increases, more electrons transit drastically from (000) valley to (000) upper valley. This phenomenon shows the nonstationary effect such as velocity overshoot. The duration of the transient decreases from about 1.4 psec for electric field E = 7KV/cm to about 0.7 psec for 12KV/cm. The average electron velocity during transient transport in 2DEG is about 8 times the steady-state velocity for E = 12KV/cm at room temperature. In comparison with bulk GaAs the peak velocity in the 2DEG is higher than that in even pure bulk GaAs at electric field E = 7 KV/cm. On the basis of the fact that the electrons in the 2DEG have larger peak velocity and shorter transient time of velocity than those in the bulk GaAs, it is suggested that the device with 2DEG may obtain higher mobility than that with bulk GaAs.
We have investigated the characteristics of $Al_{0.55}Ga_{0.45}N$/GaN heterostructures with and without low-temperature (LT) AlN interlayer grown by metalorganic chemical vapor deposition. The structural and optical properties were systematically studied by Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), X-ray diffraction (XRD), optical microscopy (OMS), scanning electron microscopy (SEM), and photoluminescence (PL). The Al content (x) of 55% and the structural properties of $Al_xGa_{1-x}N$/GaN heterostructures were investigated by using RBS and XRD, respectively. We carried out OMS and SEM experiments and obtained a decrease of the crack network in $Al_{0.55}Ga_{0.45}N$ layer with LT-AlN interlayer. A two-dimensional electron gas (2DEG)-related PL peak located at ${\sim}3.437eV$ was observed at 10 K for $Al_{0.55}Ga_{0.45}N$/GaN with LT-AlN interlayer. The 2DEG-related emission intensity gradually decreased with increasing temperature and disappeared at temperatures around 100 K. In addition, with increasing the excitation power above 3.0 mW, two 2DEG-related PL peaks were observed at ${\sim}3.411$ and ${\sim}3.437eV$. The observed lower-energy and higher-energy side 2DEG peaks were attributed to the transitions from the sub-band level and the Fermi energy level of 2DEG at the AlGaN/LT-AlN/GaN heterointerface, respectively.
Young Seuk Hong;Jeung Bae Kim;Hee Hyun Park;Dae Ryong Lee
Journal of the Korean Chemical Society
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v.33
no.1
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pp.97-105
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1989
This study deals with micellar effects on hydrolyses of p-nitrophenyl carboxylic esters(p-NPCE) mediated by 2-alkylbenzimidazole(R-BI) and sodium 2-alkylbenzimidazole-5-sulfonate(R-BISO$_3$Na) in aqueous and CTABr solutions. The reactions mediated by R-BI and R-BISO$_3$Na in micellar solutions are obviously slower than those by benzimidazole(BI) and sodium benzimidazole-5-sulfonate(BISO$_3$Na) respectively, and the reaction rates were decreased with increase of lengths of alkyl groups. This prestents a striking contrast to the reactions in aqueous solutions without added CTABr, of which the reaction rates are on approximately same levels. It seems due to steric effect of alkyl groups for R-BI and R-BISO$_3$Na in the Stern layer of micelle, and it is supported by measured activation parameters(${\Delta}H^{\neq},\;{\Delta}G^{\neq}\;and\;{\Delta}S^{\neq}$) of the reactions in aqueous and micellar solutions. In addition to nucleophilic ability of benzimidazole(BI) moiety of R-BISO$_3$Na on the reactions, these compounds with long alkyl groups(nonyl to pentadecyl) which form a micelle of themselves increase the reaction rates due to their micellar catalyses in aqueous solutions, not including CTABr. We measured the isotope effects to elucidate the mechanism of hydrolyses of p-nitrophenyl carboxylic esters, and the relative first order rate constant($k'_{H_2O}/k'_{D_2O}$) are on range of 2.5∼3.2. This range is too high to conclude that the hydrolyses of p-NPA mediated by various R-BISO$_3$Na proceed by nucleophilic mechanism. In other words, the reactions are assumed to proceed in part by general basic one, as compared with the reaction catalyzed by imidazole(IM) in aqueous solution.
Induced polarization (IP) effect is known to be caused by electrochemical phenomena at interface between minerals and pore water. Spectral induced polarization (SIP) method is an electrical survey to localize subsurface IP anomalies while injecting alternating currents of multiple frequencies into the ground. This method was effectively applied to mineral exploration of various ore deposits. Titanomagnetite ores were being produced by a mining company located in Gonamsan area, Gwanin-myeon, Pocheon-si, Gyeonggi-do, South Korea. Because the ores contain more than 0.4 w% vanadium, the ore deposit is called as Gwanin vanadiferous titanomagnetite (VTM) deposit. The vanadium is the most important of materials in production of vanadium redox flow batteries, which can be appropriately used for large-scale energy storage system. Systematic mineral exploration was conducted to identify presence of hidden VTM orebodies and estimate their potential resources. In geophysical exploration, laboratory geophysical measurement of rock samples is helpful to generate reliable property models from field survey data. Therefore, we performed laboratory SIP data of the rocks from the Gwanin VTM deposit to understand SIP characteristics between ores and host rocks and then demonstrate the applicability of this method for the mineral exploration. Both phase and resistivity spectra of the ores sampled from underground outcrop and drilling cores were different of those of the host rocks consisting of monzodiorite and quartz monzodiorite. Because the phase and resistivity at frequencies below 100 Hz are mainly dependent on the SIP characteristics of the rocks, we calculated mean values of the ores and the host rocks. The average phase values at 0.1 Hz were ores: -369 mrad and host rocks: -39 mrad. The average resistivity values at 0.1 Hz were ores: 16 Ωm and host rocks: 2,623 Ωm. Because the SIP characteristics of the ores were different of those of the host rocks, we considered that the SIP survey is effective for the mineral exploration in vanadiferous titanomagnetite deposits and the SIP characteristics are useful for interpreting field survey data.
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