• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.24 no.4
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• pp.295-301
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• 1980

The electrical conductivity of solid electrolyte $RbAg_4I_5$ single crystal was studied at various temperatures. The four-probe method was used in measuring the conductance with an ac signal imposed on the specimen. The ionic conductivity was $0.284 ohm^{-1} cm^{-1}\;at\;25^{\circ}C$, and the activation energy for $Ag^+$ ion migration was calulated to be 1.70 kcal/mole. These values agree well with those reported for polycrystalline samples. Reactions at $Ag/RbAg_4I_5$ interface were studied by cyclic voltammetry with a silver reference electrode. It was found that silver ion is reversibly reduced at silver surfaces below zero volt, and iodide was oxidized above +0.67 volt.The anodic current arising from the oxidation of the electrode was small in magnitude initially over a wide range of potential, but, after silver was cathodically deposited on the electrode, reversing the potential sweep to the anodic direction resulted in a sharp peak of anodic current.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.4
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• pp.13-19
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• 2010

MOSFET with deuterium-incorporated gate oxide shows enhanced reliability compared to conventional MOSFET. We present an alternative process whereby deuterium is delivered to the location where the gate oxide reside by an implantation process. Deuterium ions were implanted using two different energies to account for the topography of the overlaying layers and placing the D peak at the top of gate oxide. A short anneal at forming gas was performed to remove the D-implantation damage. We have observed that deuterium ion implantation into the gate oxide region can successfully remove the interface states and the bulk defects. But the energy and the dose of the deuterium implant need to be optimized to maintain the Si substrates dopant activation, while generating deuterium bonds inside gate oxide. CV and IV characteristics studies also determined that the deuterium implant dose not degrade the transistor performance.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.11 no.2
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• pp.45-49
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• 2001

Effects of multilayer structure and annealing condition on the soft magnetic properties of sputtered Fe/CoNbZr multilayers were investigated. We observed a minimum coercivity (1.1 Oe) at 5 nm thick Fe layer and the maximum permeability (2300) at 15 nm Fe layer and high saturation magnetization in the as-deposited state. As a result of increase of Fe grain size, coercivity increases with increasing Fe layer thickness. Degradation of ${\mu}$ at the thin Fe layer region may be due to the intermixed phase of high magnetostriction, such as CoFe. Optimum annealing condition was obtained through annealing at 300 $^{\circ}C$ for 40 min (${\mu}$=2500, H$\sub$c/=0.35 Oe). Enhancement of permeability was observed in the temperature range of 250∼300$^{\circ}C$. These results may closely be related with lowering the anisotropy energy by lattice deformation (0.4%) and enhanced uniaxial anisotropy.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.6 no.4
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• pp.235-241
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• 1996

Co/Pd and Co/Pt multilayered thin films for perpendicular magnetic recording media were fabricated by sput¬tering method and the effects of the sputtering pressure during the formation of Pd or Pt underlayers on the magnetization behavior and coercivity of the multilayers were investigated. It was found that the coercivity of Co/Pd multilayers was strongly dependent on the sputtering pressure of underlayer and could be enhanced to a large extent merely by increasing the sputtering pressure of underlayer, while in case of Co/Pt films, the degree of coercivity enhancement by controlling the sputtering pressure of underlayer was almost negligible. Coercivity variation of Co/Pd and Co/Pt multilayers with the underlayer material and deposition pressure of underlayer could be well explained in terms of the interface roughness of multilayer films induced by underlayer topology, which could also be correlated to the change of perpendicular anisotropy energy and magnetic reversal feature with the sputtering pressure of underlayer. Kerr rotation angle was hardly affected by the preparation conditions of underlayers.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.4
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• pp.341-347
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• 1998

We analyzed photoreflectance (PR) characterization of the $Al_xGa_{1-x}As$ epilayer grown by molecular beam epitaxy (MBE) method. The band-gap energy $(E_0)$ satisfying low power Franx-Keldysh (LPFK) due to GaAs buffer layer is 1.415 eV, interface electricall field $(E_i)$ is 1.05$\times$$10^4$V/cm, carrier concentration (N) is $1.3{\times}10^{15}\textrm{cm}^{-3}$. In PR spectrum intensity analysis at 300 K the $A^*$ peak below $(E_0)$ signal is low and distorted because of residual impurity in sample growth. The trap characteristic time ${\tau}_i$ of GaAs buffer layer is about 0.086 ms, and two superposed PR signal near 1.42eV consist of the third derivative signal of chemically eteched GaAs substrate and Franz-Keldysh oscillation (FKO) signal due to GaAs buffer layer.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.306.2-306.2
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• 2014

전자기기의 휴대성과 이동성이 강조되고 있는 현대사회에서 비휘발성 메모리는 메모리 산업에 있어 매우 매력적인 동시에 커다란 잠재성을 지닌다. 이미 공정의 한계에 부딪힌 Flash 메모리를 대신하여 10nm 이하의 공정이 가능한 상변화 메모리(Phase-Change Memory, PRAM), 스핀 주입 자화 반전 메모리(Spin Transfer Torque-Magnetic RAM, STT-MRAM), 저항 변화 메모리(Resistive Random Access Memory, ReRAM)가 차세대 비휘발성 메모리 후보로서 거론되고 있으며, 그 중에서도 ReRAM은 빠른 속도와 낮은 소비 전력, CMOS 공정 호환성, 그리고 비교적 단순한 3차원 적층 구조의 특성으로 인해 활발히 연구되고 있다. 특히 최근에는 질화물 또는 질소를 도핑한 산화물을 저항변화 물질로 사용하는 ReRAM이 보고되고 있는데, 이들은 동작전압이 낮을 뿐만 아니라 저항 변화(Resistive Switching, RS) 과정에서 일어나는 계면 산화를 방지할 수 있으므로 ReRAM의 저항 변화 재료로서 각광받고 있다. 그러나 Cell 단위의 ReRAM 소자를 Crossbar Array 구조에 적용시켰을 때 주변 Cell과의 저항 상태 차이로 인해 전류가 낮은 저항 상태(LRS)의 Cell로 흘러 의도치 않은 동작을 야기한다. 이와 같이 누설 전류(Leakage Current)로 인한 상호간의 간섭이 일어나는 Cross-talk 현상이 존재하며, 공정의 간소화와 집적도를 유지하면서 이 문제를 해결하는 것은 실용화하기에 앞서 매우 중요한 문제이다. 따라서, 본 논문에서는 Read 동작 시 발생하는 Cell과 Cell 사이의 Cross-talk 문제를 해결하기 위해 자가 정류 특성(Self-Rectifying)을 가지는 실리콘 질화물/알루미늄 질화물 이중층(Si3N4/AlN Bi-layer)으로 구성된 ReRAM 소자 구조를 제안하였으며, Sputtering 방법을 이용하여 제안된 소자를 제작하였다. 전압-전류 특성 실험결과, 제안된 구조에 대한 에너지 밴드 다이어그램 시뮬레이션 결과와 동일하게 Positive Bias 영역에서 자가 정류 특성을 획득하였고, 결과적으로 Read 동작 시 발생하는 Cross-talk 현상을 차단할 수 있는 결과를 확보하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.89-89
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• 2017

가속기 기술을 이용한 재료에의 표면처리기술은 일정에너지를 가지는 이온이 재료표면에 충돌함으로서, 스퍼터링, 이온주입, 미세구조 변화 등의 현상을 이용하여 재료표면의 특성을 변화시켜 기계적, 화학적, 광학적, 전기적 특성 등을 변화시키는 표면개질기술에 활용되어져 왔다. 이러한 이온빔 표면처리기술은 이온의 종류나 시편의 제한 없이 치밀한 원자혼합물을 형성하고, 계면형성이 없고, 또한 저온공정이 가능하므로, 정밀도가 요구되는 부품의 내마모성과 내부식성 등을 포함한 기본적인 표면특성 뿐만 아니라 전기전도도, 친소수특성, 내광성 등 표면에 관계된 특성을 개선시키는 역할을 하며, 이온빔 믹싱, 이온빔 스퍼터링, 이온빔 전처리 후 코팅 등의 복합공정을 통해 보다 개선된 표면특성을 가지는 박막제조공정에 적용될 수 있다. 본 발표에서는 지난 10년간 가속기기술을 응용한 이온빔 장치기술 개발현황을 발표하고, 이러한 장치를 활용하여 이온빔 표면처리기술 사례인 내광성/내스크래치성 향상 고분자, 정전기방지, 초친수 표면처리, 기체투과도제어, 자외선차단 필름, 고속에칭기술 등의 기술개발 현황을 발표하고자 한다. 한국원자력연구원 양성자가속기연구센터에서는 수백 keV급의 이온빔 표면처리 장치 이외에도 100MeV 선형 양성자가속기를 이용하여 2013년부터 다양한 분야의 양성자빔/이온빔 이용자들에게 이온빔 장치와 20MeV와 100MeV 이용시설에서 양성자빔/이온빔 서비스를 제공하고 있다. 2016년 기준 이용자수는 양성자가속기 392명, 이온빔장치 279명이며, 이용자 수행과제는 양성자가속기, 이온빔장치 각각 130여개 과제가 수행되었다. 이러한 이용자들의 빔이용연구를 통해 20여편의 논문투고, 10여편의 특허출원의 성과를 얻었으며, 나노분야, 생명공학분야 등의 다양한 분야에서의 빔이용기술을 통해 활발한 연구가 이루어질 것으로 예상된다.

• Analytical Science and Technology
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• v.8 no.2
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• pp.107-116
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• 1995

The critical micelle concentration(CMC) of CTAB was determined with changes in absorbance at 202nm band of 4-biphenyl acetate($BPA^-$). With $BPA^-$ as a probe, the effect of temperature on CMC of CTAB has been observed between $30^{\circ}C{\sim}70^{\circ}C$. In this range of temperature the values of CMC are $1.18{\times}10^{-4}{\sim}2.02{\times}10^{-4}M$. The free energy(${\Delta}G^{\circ}m$) and enthalpy(${\Delta}H^{\circ}m$)for the micellization of CTAB was negative and the entropy(${\Delta}S^{\circ}m$) was a large positive value. The micellization of CTAB is considered as a spontaneous process and to involve a phase transition. The orientational binding of 4-biphenyl acetate anion to the CTAB micelle interface has been studied with $300MHz\;H^1-NMR$ data. The change in chemical shift of proton in CTAB as well as those of the protons in $BPA^-$ have been investigated by increasing the mole fraction of the anion in the mixed solutions. The changes in chemical shift with increasing mole fraction of anion($BPA^-$) indicate the formation of mixed micelle between CTAB and $BPA^-$. The changes in chemical shifts of methylene protons in CTAB, demonstrate the penetration of $BPA^-$ into the palisade layer of the CTAB micelle.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2009.11a
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• pp.80-80
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• 2009

패키징 구조의 발전이 점차 중요한 문제로 대두되어, 칩의 집적 기술의 발전에 따라 실장기술에서도 고속화, 소형화, 미세피치화, 고정밀화, 고밀도화가 요구되고있다. 최근 선진국을 중심으로 전자 전기기기 및 부품의 실장기술에서도 환경 친화적인 기술을 요구함에 따라, 저에너지 공정 및 무연 실장 기술에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 기존의 SOP(Small Out-line Package), QFP(Quad Flat Package) 등은 소형화, 다핀화, 고속화, 실장성에 한계가 있기 때문에, SMT(Surface Mount Technology) 형식으로 된 BGA(Ball Grid Array)가 휴대형 전화를 비롯한 기타 전자 부품 실장에 널리 사용되고 있다. BGA ball shear 법은 BGA 모듈의 생산 및 취급 중에 발생할지도 모르는 기판에 수평으로 작용하는 기계적인 전단력에 BGA solder ball이 견딜 수 있는 정도를 측정하기 위해 사용되는 시험법이다. 전단 시험에 의한 전단 강도의 측정 외에 전기전도도 측정, 파면 관찰, 이동거리(displacement), 유한요소 해석법 등을 병행하여 시험법의 신뢰성 향상에 대한 연구가 이루어지고 있다. 본 실험에서는 지름이 $500{\mu}m$인 Sn-3.5Ag 솔더볼을 이용하여 세라믹 기판을 접합하여 BGA 패키지를 완성하였다. 상부 기판에 솔더볼을 정렬시켜 리플로우 방법으로 접합 한 후 솔더볼이 접합된 상부 기판과 하부 기판을 접합 하여 시편을 제작하였다. 접합된 시편들은 $150^{\circ}C$에서 0~800시간 열처리를 실시하였고, 열처리를 하면서 각각 $3{\times}10^2A/cm^2,\;5{\times}10^3A/cm^2$의 전류를 인가하였다. 시편들을 전단 시험기를 이용하여 솔더볼의 기계적 특성 평가를 하였으며, 계면 반응을 관찰하였다.

• Journal of the Korean Society of Clothing and Textiles
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• v.17 no.3
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• pp.380-390
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• 1993

Effect of interfacial electrical conditions on adhesion of ${\alpha}-Fe_2O_3$ particles to PET fabric and the removal of ${\alpha}-Fe_2O_3$ particles from PET fabric, were investigated as functions of pH, electrolyte and ionic strength. The ${\zeta}$ potential of PET fiber and ${\alpha}-Fe_2O_3$ particles in the electrolyte solution were measured by streaming potential and microelectrophoresis methods respectively. The potential energy of interaction between ${\alpha}-Fe_2O_3$ particles and PET fabric were calculated by using the heterocoagulation theory for a sphere-plate model. The negative ${\zeta}$ potential of ${\alpha}-Fe_2O_3$ particle and PET fiber increased with pH, and then decreased certain pH and isoelectric points of ${\alpha}-Fe_2O_3$ particles and PET fiber were pH 6.5 and pH 3.5, respectively. The negative ${\zeta}$ potential of ${\alpha}-Fe_2O_3$ particle and PET fiber affected by electrolytes, were relatively high with polyanion electrolytes in solutions and were low with neutral salts. However, at surfactant solution, ${\zeta}$ potential was levelled off. The influence of the ionic strength on the ${\zeta}$ potential of ${\alpha}-Fe_2O_3$ particle was small but the negative ${\zeta}$ potential of PET fiber increased with the ionic strength. In the presence of anionic surfactant, the ${\zeta}$ potential of ${\alpha}-Fe_2O_3$ particle and PET fiber increased regardless of solution conditions. The interaction energy between ${\alpha}-Fe_2O_3$ particle and PET fabric increased with pH. The interaction energy was relatively high with polyanion electrolytes in solution, and the influence of ionic strength on the interaction energy was small, and the effective thickness of electrical double layer increased with decreasing the ionic strength.