• 제목/요약/키워드: 계면에너지

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Pt/$\beta$-Sic 접촉의 열처리에 따른 특성변화

  • 나훈주;정재경;엄명윤;김형준
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.79-79
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    • 2000
  • 탄화규소는 그 전기적, 열적 기계적 안정성 때문에 새로운 반도체 재료로서 주목받고 있는 물질이다. 탄화규소를 이용하여 전자소자를 제조하기 위해서는 ohmic 접촉과 Schottky 접촉을 형성하는 전극물질의 개발이 선행되어야 하며, 고온, 고주파, 고출력용 반도체 소자를 제조하기 위해서는 전극의 고온 안정성 확보가 필수적이다. 따라서 탄화규소 소자의 응용범위는 전극에 의해서 제한된다고 할 수 있다. 일반적으로 전극을 증착한 후 원하는 접촉 특성을 얻기 위해서는 열처리 과정을 거쳐야 하며 접촉의 특성이 열처리에 의해 영향을 받는 것으로 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 열처리가 금속/탄화규소 접촉의 특성에 미치는 영향을 알아보고자 하였으며, 이를 바탕으로 우수한 Schottky 다이오드의 제작 가능성을 타진해보고자 하였다. 유기실리콘 화합물 원료인 TEMSM(bis-trimethysilylmethane)을 사용하여 실리콘 기판위에 단결정 $eta$-Sic 박막을 증착하였다. 기판의 영향을 줄이기 위하여 $\beta$-Sic 박막의 두께가 $1.5mu extrm{m}$ 이상인 시편을 사용하였다. 전극으로는 Pt를 사용하였으며, 전극 증착은 DC magnetron sputter를 이용하였다. 전기적인 특성을 분석하기 위하여 전류-전압, 커패시턴스-전압 특성을 분석하였고, XRD와 AES를 이용하여 계면에서의 반응을 알아보았다. Hall 측정 결과 모든 $\beta$-Sic 박막은 약 2$\times$1018cm-3 정도의 도핑 농도를 갖는 n형 탄화규소임을 확인하였다. Pt/$\beta$-Sic 접촉은 열처리 전에는 ohmic 접촉 특성을 보였으나 열처리 후에는 Schottky 접촉의 특성을 나타냈다. 전기적 특성 분석을 통하여 열처리 온도가 증가할수록 에너지 장벽의 높이가 증가하는 것을 알 수 있었다. 이상적인 Pt/$\beta$-Sic 접촉의 특성을 보이는 것은 전극 증착시 sputtering에 의하여 계면에 발생한 결함이 도너의 역할을 하여 에너지 장벽의 두께를 감소시켜 tunneling을 촉진하기 때문인 것으로 판단된다. 열처리 후 접촉 특성이 변화하는 것은 이러한 결함들의 소멸 때문으로 생각된다. AES 분석을 통하여 열처리시 Pt가 $\beta$-Sic 내부로 확산하는 것을 알 수 있었으며, 이 때 Pt가 $\beta$-Sic 와 반응하여 계면에 실리사이드가 형성됨으로써 Pt/$\beta$-Sic 계면이 보다 안정한 탄화규소 박막 내부로 이동하게 되고 계면의 결함 농도가 줄어드는 것이 접촉 특성 변화의 원인이라 할 수 있다. 열처리 온도가 증가함에 따라 계면이 점점 $\beta$-Sic 내부로 이동하여 결함농도가 낮아지기 때문에 tunneling 효과가 감소하여 에너지 장벽이 높아지게 된다. Pt를 ohmic 접촉과 Schottky 접촉 전극물질로 이용하여 제작한 Schottky 다이오드는 ohmic 접촉 형성시 Schottky 접촉에 발생하는 wputtering 손상에 의하여 좋은 정류특성을 얻지 못하였다. 따라서 chmic 접촉 전에 Schottky 접촉의 passivation이 필요한 것으로 판단된다.

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Effect of $Ar^+$ RF Plasma Treatment Conditions on Interfacial Adhesion Energy Between Cu and ALD $Al_2O_3$ Thin Films for Embedded PCB Applications ($Ar^+$ RF 플라즈마 처리조건이 임베디드 PCB내 전극 Cu박막과 ALD $Al_2O_3$ 박막 사이의 계면파괴에너지에 미치는 영향)

  • Park, Sung-Cheol;Lee, Jang-Hee;Lee, Jung-Won;Lee, In-Hyung;Lee, Seung-Eun;Song, Byoung-Ikg;Chung, Yul-Kyo;Park, Young-Bae
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • 제14권1호
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    • pp.61-68
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    • 2007
  • Interfacial fracture energy(${\Gamma}$) between $Al_2O_3$ thin film deposited by Atomic Layer Deposition(ALD) and sputter deposited Cu electrode for embedded PCB applications is measured from a $90^{\circ}$ peel test. While the interfacial fracture energy of $Cu/Al_2O_3$ is very poor, Cr adhesion layer increases the interfacial fracture energy to $39.8{\pm}3.2g/mm\;for\;Ar^+$ RF plasma power density of $0.123W/cm^2$, which seems to come from the enhancement of the mechanical interlocking and Cr-O chemical bonding effects.

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Effect of Co Interlayer on the Interfacial Reliability of SiNx/Co/Cu Thin Film Structure for Advanced Cu Interconnects (미세 Cu 배선 적용을 위한 SiNx/Co/Cu 박막구조에서 Co층이 계면 신뢰성에 미치는 영향 분석)

  • Lee, Hyeonchul;Jeong, Minsu;Kim, Gahui;Son, Kirak;Park, Young-Bae
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • 제27권3호
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    • pp.41-47
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    • 2020
  • The effect of Co interlayer on the interfacial reliability of SiNx/Co/Cu thin film structure for advanced Cu interconnects was systematically evaluated by using a double cantilever beam test. The interfacial adhesion energy of the SiNx/Cu thin film structure was 0.90 J/㎡. This value of the SiNx/Co/Cu thin film structure increased to 9.59 J/㎡.Measured interfacial adhesion energy of SiNx/Co/Cu structure was around 10 times higher than SiNx/Cu structure due to CoSi2 reaction layer formation at SiNx/Co interface, which was confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy analysis. The interfacial adhesion energy of SiNx/Co/Cu structure decreased sharply after post-annealing at 200℃ for 24 h due to Co oxidation at SiNx/Co interface. Therefore, it is required to control the CoO and Co3O4 formation during the environmental storage of the SiNx/Co/Cu thin film to achieve interfacial reliability for advanced Cu interconnections.

Understanding of Protein Adsorption to Contact Lens Hydrogels with Varying Surface Energy (콘택트렌즈용 하이드로젤 계면에너지에 따른 단백질 흡착현상의 이해)

  • Jeon, So-Ha;Noh, Hye-Ran
    • Polymer(Korea)
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    • 제36권3호
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    • pp.338-343
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    • 2012
  • Interfacial properties of commercially available soft contact lens hydrogels were studied to understand thermodynamic phenomena of protein adsorption. Hydrogel particles ($1{\times}1mm^2$) with varying water wettability were exposed to bovine serum albumin solutions for an hour. The remained albumin solutions were analyzed with Bradford assay method. The amount of protein adsorbed to hydrogels increased with protein solution concentrations following Langmuir isotherm. The partition coefficient ($P$) and Gibbs free energy cost of dehydrating the surface region by protein displacement upon adsorption increased with increasing hydrophilicity of contact lens. Understanding of physical chemistry in protein adsorption to contact lens materials enabled elucidating relationships between surface energy and albumin adsorption capacity.

InSb 적외선 감지 소자용 $Si_3N_4$, $SiO_2$ 절연막 계면 특성 연구

  • Park, Se-Hun;Lee, Jae-Yeol;Kim, Jeong-Seop;Kim, Su-Jin;Seok, Cheol-Gyun;Yang, Chang-Jae;Park, Jin-Seop;Yun, Ui-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.163-163
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    • 2010
  • 중적외선 영역 ($3{\sim}5\;{\mu}m$)은 공기 중에 존재하는 이산화탄소나 수증기에 의해 흡수가 일어나지 않기 때문에 군사적으로 중요한 파장 영역이며, 야간에 적을 탐지하는데 응용되고 있다. InSb는 77 K에서 중적외선 파장 흡수에 적합한 밴드갭 에너지 (0.228 eV)를 갖고 있으며, 다른 화합물 반도체와 달리 전하 수송자 이동도 (전자: $10^6\;cm^2/Vs$, 정공: $10^4\;cm^2/Vs$)가 매우 빠르기 때문에 적외선 화상 감지기 재료로 매우 적합하다. 또한 현재 중적외선 영역대에서 널리 사용되는 HgCdTe (MCT)와 대등한 소자 성능을 나타냄과 동시에 낮은 기판 가격, 소자의 제작 용이성 때문에 MCT를 대체할 물질로 주목 받고 있다. 하지만, 기판과 절연막의 계면에 존재하는 결함 때문에 에너지 밴드갭 내에 에너지 준위를 형성하여 높은 누설 전류 특성을 보인다. 따라서 InSb 적외선 소자의 구현을 위하여 고품질의 절연막의 연구가 필수적이라고 할 수 있겠다. 절연막의 특성을 알아보기 위해, n형 InSb 기판에 플라즈마 화학 기상 증착법 (PECVD)을 이용하여 $SiO_2$, $Si_3N_4$를 증착하였으며, 증착 온도를 $120^{\circ}C$에서 $240^{\circ}C$까지 $40^{\circ}C$ 간격으로 변화하여 증착온도가 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 절연막과 기판의 계면 특성을 분석하기 위하여 77 K에서 커패시턴스-전압 (C-V) 분석을 하였으며, 계면 트랩 밀도는 Terman method를 이용하여 계산하였다 [1]. $Si_3N_4$를 증착하였을 경우, $120{\sim}240^{\circ}C$의 증착 온도에서 $2.4{\sim}4.9{\times}10^{12}\;cm^{-2}eV^{-1}$의 계면 트랩 밀도를 가졌으며, 증착 온도가 증가할수록 계면 트랩 밀도가 증가하는 경향을 보였다. 또한 모든 증착 온도에서 flat band voltage가 음의 전압으로 이동하였다. $SiO_2$의 경우 $120{\sim}200^{\circ}C$의 증착온도에서 $7.1{\sim}7.3{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$의 계면 트랩 밀도 값을 보였으나, $240^{\circ}C$ 이상에서 계면 트랩밀도가 $12{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$로 크게 증가하였다. $SiO_2$ 절연막을 사용함으로써, $Si_3N_4$ 대비 약 25% 정도 낮은 계면 트랩 밀도를 얻을 수 있었으며, 모든 증착 온도에서 양의 전압으로 flat band voltage가 이동하였다. 두 절연막에 대한 계면 트랩의 원인을 분석하기 위하여 XPS 측정을 진행하였으며, 깊이에 따른 조성 분석을 하였다. 본 실험에서 최적화된 $SiO_2$ 절연막을 이용하여 InSb 소자의 pn 접합 연구를 진행하였다. Be+ 이온 주입을 진행하고, 급속열처리(RTA) 공정을 통하여 p층을 형성하였다. -0.1 V에서 16 nA의 누설 전류 값을 보였으며, $2.6{\times}10^3\;{\Omega}\;cm^2$의 RoA (zero bias resistance area)를 얻을 수 있었다.

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Behavior of Oil-Water Interface between Tandem Fences (이중 유벽 사이의 기름과 물의 계면의 거동)

  • Kang Kwan Hyoung;Lee Choung Mook
    • Journal of the Korean Society for Marine Environment & Energy
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    • 제2권2호
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    • pp.70-77
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    • 1999
  • The disturbance of oil-water interface confined between tandem fences caused by a sequence of traveling vortices below the interface is investigated. The traveling vortices are assumed to be those detached from the tip of the fore fence. The potential flow is assumed and the density interface is replaced as a sheet of vortex. The shape of the interface is predicted by tracing a finite number of marker particles placed at the interface. The velocity of the marker particles is determined by the Biot-Savart integral along the vortex sheet plus the contribution from the traveling point vortices. The rate of change of vortex-sheet strength is predicted by using an evolution equation for vorticity. The calculated results obtained for various conditions demonstrate that the large amplitude of interfacial wave following the moving vortek can be generated by the vortices.

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Comparison of Shear Strength and Shear Energy for 48Sn-52In Solder Bumps with Variation of Reflow Conditions (리플로우 조건에 따른 Sn-52In 솔더범프의 전단응력과 전단에너지 비교)

  • Choi Jae-Hoon;Oh Tae-Sung
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • 제12권4호통권37호
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    • pp.351-357
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    • 2005
  • Comparison of shear strength and shear energy of the 48Sn-52In solder bumps reflowed on Cu UBM were made with variations of reflow temperature from $150^{\circ}C$ to $250^{\circ}C$ and reflow time from 1 min to 20 min to establish an evaluation method for the mechanical reliability of solder bumps. Compared to the shear strength, the shear energy of the Sn-52In solder bumps was much more consistent with the solder reaction behavior and the fracture mode at the Sn-52In/Cu interface, indicating that the bump shear energy can be used as an effective tool to evaluate the mechanical integrity of solder/UBM interface.

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Removal of Heavy Metals using Surfactant Micellar-Enhanced Ultrafiltration (계면활성제의 미셀흡착을 이용한 한외여과시스템에서의 중금속 제거)

  • 한광희;양현수
    • Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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    • 한국막학회 1995년도 추계 총회 및 학술발표회
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    • pp.29-30
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    • 1995
  • 산업폐수는 종종 희석용액 내에 많은 유독성 물질을 함유하고 있다. 산업폐수를 처리하는 분리공정으로 역삼투막과 한외여과와 같은 막분리 기술은 분리 공정이 간단하고 상변화없이 폐수용량을 크게 감소시킬 수 있고 에너지 소모가 작은 장점을 가지고 있어 그 적용이 확산되고 있다. 계면활성제의 흡착성을 이용한 한외여과 막분리는 높은 막투과속도와 계면활성제의 높은 선택성이 결합된 것인데, Sodium Dodecyl Sulfate(SDS)와 같은 계면활성제를 이용하여 폐수로부터 불용성 중금속 이온과 독성의 유기물질을 분리하는 데에 적용할 수 있다. 임계미셀농도(CMC) 이상에서의 농도에서, 60~200 계면활성제 분자들이 거대분자나 미셀을 형성하면서 서로 응집된다. 그러므로 음으로 하전된 미셀과 결합된 금속 음이온은 2,000에서 10,000 범위의 분자량을 가지는데 역삼투막(RO)보다 작은 압력에서 상당히 큰 막투과속도를 가진 한외여과막에 의해 선택적으로 제거될 수 있다 본 연구의 목적은 중공사 한외여과막의 막투과속도에 미치는 인자들의 영향과, 계면활성제의 흡착성을 이용한 중공사 한외여과 막분리계 성능에 미치는 금속의 형태, S/M 몰비등의 효과를 결정하는데 있다.

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Separation of Surfactants by UF Membrane (UF막에 의한 계면활성제의 분리)

  • 안순철;송근호;이광래
    • Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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    • 한국막학회 1998년도 추계 총회 및 학술발표회
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    • pp.137-139
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    • 1998
  • 계면활성제는 섬유, 의약품, 화장품, 식품, 조선, 토목, 건축, 광업, 가정용 세제 등 인간생활에 폭넓게 이용되고 있다. 계면활성제의 사용범위가 넓어짐에 따라 계면활성제 자체의 오염성 때문에 분리대상 물질이나 재사용을 위한 회수물질로 간주되고 있다. 특정물질의 분리$\cdot$회수를 위한 분리막 기술은 공정이 간단하고 상변화를 수반하지 않으므로 에너지 소모가 작은 장점들을 가지고 있어 폐수처리, 수처리, 대기오염 방지등에 이용되고 있다. 본 연구에서는 비교적 소수기가 짧아서 저온에서도 잘 녹고, 세정성이 양호하여 세제, 유화제, 섬유제품의 침투제로 널리 이용되고 있는 음이온 계면활성제 SDS와 SLS용액의 한외여과에 대한 투과실험을 수행하였다. 또한 음이온 계면활성제와 인체에 유해한 금속이온($Cd^{++}, Cu^{++}, Zn^{++}$) 혼합물에 대한 제거실험을 실시하였다.

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Interfacial and Surface Energies Evaluation of Modified Jute and Hemp Fibers/Polypropylene (PP)-Maleic Anhydride Polypropylene Copolymers (PP-MAPP) Composites using Micromechanical Technique and Contact Angle Measurement (미세역학시험법과 접촉각 측정을 통한 변형된 Jute와 Hemp섬유 강화 Polypropylene (PP)-Maleic Anhydride Polypropylene Copolymers (PP-MAPP) 복합재료의 계면 및 표면에너지 평가)

  • Park, Joung-Man;Son, Tran Quang;Jung, Jin-Gyu;Kim, Sung-Ju;Hwang, Byung-Sun
    • Journal of Adhesion and Interface
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    • 제7권2호
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    • pp.1-11
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    • 2006
  • Interfacial evaluation of the untreated and treated Jute and Hemp fibers reinforced different matrix polypropylene-maleic anhydride polypropylene copolymer (PP-MAPP) composites were investigated by micromechanical technique and dynamic contact angle measurement. For the statistical tensile strength of Jute and Hemp fibers, bimodal Weibull distribution was fitted better than the unimodal distribution. The acid-base parameter on the interfacial shear strength (IFSS) of the natural fiber composites was characterized by calculating the work adhesion, $W_a$. The effect of alkaline, silane coupling agent on natural fibers were obtained with changing MAPP content in PP-MAPP matrices. Alkaline treated fibers made the surface energy to be higher due to removing the weak boundary layers and thus increasing surface area, whereas surface energy of silane treated Jute and Hemp fibers decreased due to blocked high energy sites. MAPP in the PP-MAPP matrix caused the surface energy to increase due to introduced acid-base sites. Microfailure modes of two natural fiber composites were observed clearly differently due to different tensile strength of natural fibers.

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