• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.178-178
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• 2015

SAP 씨앗층용 구리필름에 대한 결정구조와 에칭속도의 상관관계를 알아보았다. 그 결과, 저지수 면보다는 고지수면이 우선적으로 성장되어 있는 구리피막이 높은 에칭속도를 나타내었다. 이와 같은 우선결정방위와 에칭속도의 관계를 결정구조적인 관점에서 해석하였다.

• Annual Conference of KIPS
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• 2022.11a
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• pp.255-256
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• 2022

임상의사결정지원시스템(Clinical Decision Support System)은 환자의 질병을 진단하고 치료할 때 의사결정을 도와주는 시스템이다.[1] 본 논문에서는 블록체인과 XAI 기술을 활용해 임상의사결정지원시스템의 아키텍처를 제안한다. 제안 아키텍처는 데이터의 중앙화, 의료데이터의 보안을 블록체인기술로 해결하고 블록체인을 기반으로 한 보반 기술인 DID 기술을 활용해 데이터의 신뢰성과 보안성을 확보하였다. 또한 XAI 모듈을 활용해 예측 결과의 신뢰도와 투명성도 제공해 의료인의 의사결정을 지원하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.11 no.7
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• pp.615-621
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• 2001

We carried out the kinetic model calculations in order to estimate the nucleation rates for two kinds of half-loop dislocations in highly strained hetero-epitaxial growths; $60^{\circ}$dislocations and twinning dislocations. The surface defects and the stress concentration effects were considered in this model, and the remaining elastic strain of the epilayers with increasing film thickness was taken into account by using the modified Matthews' relation. The calculations showed that the stress concentration effect at surface imperfections is very important for describing the defect generation in highly mismatched epitaxial growth. This work also showed that the stress concentration effect determined the type of dislocation nucleating dominantly at early growth stages in accordance with our XTEM (cross-section transmission electron microscopy) defect observation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.208.1-208.1
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• 2014

반도체 공정이나 디스플레이 공정에는 세라믹 부품이나 금속 부품이 많이 포함되어 있는데 이들 부품이 공정중에 발생하는 플라즈마 또는 여러가지 부산물에 의하여 부품의 표면에 다양한 코팅층이 형성된다. 그리고 이러한 공정에 들어가는 부품은 플라즈마 또는 각종 산에 취약한 특성을 나타내는데 이에 대하여 해결하기 위하여 세라믹 부품의 표면에 용사코팅이나 각종 물리, 화학적 방법을 이용하여 표면에 코팅층을 형성한다. 이렇게 형성된 코팅층중 특히 용사코팅에 의하여 형성된 코팅층은 플라즈마 공정이나 각종 부식성 산에 의하여 박리 또는 크랙이 발생하게 된다. 이러한 특성은 용사코팅층의 특성상 발생하고 있는 물리적 흡착에 의하여 흡착된 계면에서 박리가 발생할 가능성이 크게 된다. 이러한 현상을 줄이기 위하여 고열원을 통하여 열처리 실험을 실시한다. 특히 전자빔이나 레이저 열원은 고온 급속 가열에 의하여 고융점인 세라믹 용사코팅층 및 금속 코팅층을 재용융 및 응고과정을 통하여 미세구조를 변화시킨다. 특히 전자빔 열처리는 진공중에서 코팅층의 열처리를 행함으로써 코팅층 내에 있는 기공을 제거하거나 불순물을 제거하기에 용이하다. 본 연구에서 수행된 열처리는 기 코팅된 세라믹이나 금속재의 표면을 다량의 Electron의 Flux를 통하여 표면의 온도를 Melting point 직하 온도까지 상승하였다가 응고시킴으로써 코팅층의 특성을 변화시켰다. 이렇게 열처리된 시험편의 XRD를 통해 결정구조를 파악하고, SEM, OM을 통하여 기공의 제거, 결함의 제거 등을 확인하였으며 경도 변화를 통하여 물리적 특성의 변화를 함께 확인하였다. 평가 결과 결정구조의 변화와 더불어 경도등의 상승효과가 발생하였으며 코팅층 내에 존재하는 결함이 감소함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2005.11a
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• pp.310-312
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• 2005

무선 Ad-hoc 네트워크상에서 hidden node problem을 해결하기 위해 도입된 RTS/CTS의 사용여부는 네트워크의 처리량(throughput)에 영향을 미친다. 이는 RTS/CTS가 hidden node problem을 해결해주지만 거기에서 발생하는 overhead 때문에 처리량이 떨어질 수도 있기 때문이다. 기존 관련 연구에서는 RTS/CTS의 사용여부를 패킷의 크기에 따라 달리 해야 한다고 말하고 있다. 그리고 이를 구현하기 위해서 RTSThreshold라는 값을 사용하고 있다. 만약 이 값보다 패킷의 크기가 작으면 RTS/CTS는 사용 되지 않고, 만약 이 값보다 패킷의 크기가 크면 RTS/CTS가 사용된다. 이렇게 RTS/CTS의 사용여부를 결정해주는 RTSThreshold값을 결정하기 위해선 네트워크의 처리량에 영향을 줄 수 있는 모든 인자들을 고려해 보아야 할 것이다. 조사한 바에 의하면 이미 관련 연구에서 physical preamble의 크기, 노드의 수, 그리고 data rate와 RTSThreshold와의 관계를 연구 했었지만, 그밖에 네트워크의 처리량에 영향을 줄 수 있는 carrier sense range나 네트워크의 크기와의 관계는 연구가 되지 않았었다. 따라서 본 논문에서는 이 두가지 인자와 RISThreshold와의 관계를 살펴보고자 모의실험을 수행하였고 그 결과를 분석하였다. 두 인자가 어느 정도 RTSThreshold를 결정하는데 영향을 줄 것이라 예상했었지만, 실험 결과를 분석한 결과 carrier sense range나 네트워크의 크기는 RTSThreshold를 결정하는데 크게 영향을 주지 않는 것으로 나타났다.

• Journal of Digital Convergence
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• v.8 no.3
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• pp.63-77
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• 2010

The purpose of this study is to determine potential effects of region marketing activities on attraction of domestic or overseas business. In order to meet the goal, this study set a research model and hypotheses on the basis of preceding reference literatures and case studies. This study identifies management environment, life environment, marketability, investment supporting environment as the variables of investment decision and urban attitude. As a result, it was found that marketability and investment supporting environment had positive effects on urban attitudes and investment decision, and urban attitudes had positive effects on investment decision as well.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2005.05b
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• pp.1413-1416
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• 2005

본 연구에서는 인접하는 유역과 어떠한 동적인 상호작용없이 유출이 독립적으로 결정되는 자연방류형 단일저류지를 대상으로 기존의 연구에서 임계지속기간 결정에 빈번히 이용되었던 최대첨두유량 발생시간, 최대저류용량 발생시간, 최대 저류비 발생시간을 기준으로 한 임계지속기간을 산정하여 분석하므로써 자연방류형 단일저류지의 임계지속기간의 결정에 있어 합리적인 성과를 도출하고자 하였다. 적용결과, 최대 저류용량을 기준으로 한 경우에는 저류지 규모와 같은 제약조건을 가져오게 되고, 최대 저류비를 기준으로 한 경우에는 강우지속기간에 따라 저류비는 지속적으로 감소하므로 두 기준을 통하여 임계지속기간을 결정하는 것은 적합하지 않은 것으로 판단되었다. 따라서 허용방류량 고정개념을 통하여 최대 저류비, 최대 저류용량을 통하여 임계지속기간을 산정하였다. 그 결과 자연방류형 단일 저류지에서는 최대 저류용량을 통하여 적정 임계지속기간을 검토할 수 없는 것으로 판단되었다. 그러므로 최대 저류비를 이용하여 자연방류형 저류지에서의 최대 저류비를 발생시키는 시간분포를 정리한 결과 전체적으로 Huff 2분위가 최대 저류비를 발생시키는 것으로 나타났다. 그리고 첨두저류비 변화율을 검토한 결과 매우 제한적인 조건이기는 하지만 허용방류량 고정개념을 이용한 경우에 한하여 지속기간별 최대 첨두유량의 임계지속기간과 자연방류형 단일저류지의 임계지속 기간을 동일하게 간주하는 것이 큰 무리는 아닌 것으로 판단되었다.

• Industry Promotion Research
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• v.1 no.2
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• pp.13-17
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• 2016

ZTO films were annealed in a vaccum atmosphere conditions to research the temperature dependency of current-voltage characteristics. The ZTO film annealed in a vacuum became an amorphous structure but films annealed in an atmosphere condition had a crystal structure. The defects or depletion layer were formed by the electron-hole combination after annealing processes, and the electrical properties were changed depending on the crystal structure, binding energy and the variation of carriers. ZTO became more crystal-structural with increasing the annealing temperature, and the current increased at ZTO film annealed at $150^{\circ}C$ with Schottky contact.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.1 no.1
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• pp.26-38
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• 1991

The fundamental conditions for growing $r-6Bi_2O_3{\cdot}SiO_2$(BSO) single crystal plates by EFG(Edge-defined Film-fed Growth) method, were investigated and characterization, quality test, property measurement were performed for obtained BSO single crystal plates. The opti$\mu$ growing conditions determined in this study were as follows: ${\cdot}$temperature gradient;$24^{\circ}C/cm$ ${\cdot}$pulling rate;2.0mm/h. BSO Single crystal plates grown at the above optimum conditions did not include secondary phase or grain boundary and were confirmed as single crystals by X-ray analysis. IT was found that the single crystal plates had <100> growth direction. G defects, ie pore, void inclusion, striation, were not detected in the single crystal plate under polarizing microscope but dislocations(microscopic defect) were found and dislocation density was $5.1\times10^5/cm^2$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.14 no.1
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• pp.24-28
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• 2005

A typical method for obtaining poly-Si films is the solid phase crystallization(SPC) of amorphous Si. Advantages of SPC are uniformity, process quality and low cost of production. However, high process temperature and long process time prevent the employment of SPC process on thermally susceptible glass substrate. In this parer, we propose a new method that applies an alternating magnetic field during crystallization annealing in an alternating magnetic field crystallization(AMFC) system for lowering process temperature and shorter process time of SPC. When we crystallized, in the case of SPC, annealing time is 24 hours at 570℃. But in the case of AMFC, annealing time is only 20 minutes at the same temperature.