• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.51-52
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• 2011

본 연구에서는 전해 구리도금막과 SiN 피복층 사이의 힐락 (Hillock) 및 보이드 (Void) 결함에 미치는 전해 구리도금 공정 및 CVD SiN 피복층 증착 전 NH3 플라즈마 처리 효과에 대해 연구하였다. SiN 피복층 증착전 NH3 플라즈마 효과를 정량화하기 위해 실험계획법을 이용해 NH3 플라즈마 공정 인자가 힐락 결함의 밀도에 미치는 영향에 대해 고찰하였다. 실험결과, 힐락 결함의 밀도는 NH3 플라즈마 인가 시간에 비례한다는 것을 알았다. 보이드 결함의 경우, 구리 씨앗층 및 NH3 플라즈마 조건의 최적화를 통해 구리 씨앗층의 표면 조도를 최소화할 경우 보이드 결함이 최소화된다는 것을 알 수 있었다. 이는 구리 씨앗층의 표면 조도를 최소화함에 따라 전해 구리도금막의 결정립 크기가 커져 결정립 계면에 존재하는 불순물 양이 줄어들었기 때문인 것으로 사료된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.26 no.1
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• pp.1-7
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• 2016

RE : YAG ($RE=Nd^{3+}$, $Er^{3+}$) single crystals are laser diodes and generally grown by Czochralski method with controlling the various growth parameter. Since the defects occurred by temperature gradient or the rotation speed of solid-liquid growth interface act as the decline of crystal optical property during the growth procedure, crystalline quality improvement via defects analysis is necessary. The etch pit density (EPD) analysis was used to confirm the surface defect of grown RE : YAG single crystal and to select the area of transmission electron microscopy (TEM) analysis. Defects in the specimen produced by tripod polishing method such as buckling, rod shaped, bend contours by internal stress, segregation and others were observed by using 200 kV TEM and 300 kV FE-TEM.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.105-109
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• 1997

요소결정성장에 용매와 불순물이 주는 영향을 Monte Carlo법과 분자동역학법을 통해 분석하였으며 이를 통해 불순물인 Biuret이 결정의 Morphology에 대한 영향뿐만 아니라 내부격자에 용매인 물을 흡착시킨다는 것을 확인하였다. 또한 계면의 용매, 용질 그리고 격자층의 확산계수를 분석한 결과 용매인 물이 "Roughening Transition" 메커니즘으로 결정성장에 영향을 준다는 것을 밝혔다.다는 것을 밝혔다.

• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 1996.06a
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• pp.23-26
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• 1996

본 논문에서는 선형궤환 등화방식과 결정궤환 복조방식을 결합하여 차동 PSK 신호검출에 필요한 등화기 구조를 제안한다. 이 등화기의 출력을 등화기의 궤환부로 입력하기 앞서, 결정궤환 복조방식에 근거하여 적절히 변형함으로써 제안된 구조는 마치 결정궤한 등화기처럼 동작한다. 모의 실험 결과는 실제로 제안된 등화기가 기존의 차동검파 방식의 등화기 보다 월등한 성능을 나타내고, 동기검파를 위한 결정궤환 등화기에 근접한 성능을 가짐을 보여준다.

• Journal of the KSME
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• v.25 no.1
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• pp.2-8
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• 1985

기계설계의 초보자들은 가장 단순한 설계문제에 부딪치더라도 해답을 제시할 수 있는 형이나 모델의 부족 때문에, 만일 확고한 방안이나 방침이 주어지지 않는다면 끝없는 시행착오로 인해 설계방법을 잃어버리게 됨을, 설계를 처음 시작한 사람은 잘 알고 있다. 따라서 본 해설은 이 러한 점을 지양시키기 위해, 특히 기계설계에 있어 해석적인 방법이 없이 오직 경험에 의해 결 정되며 계산의 최종단계인 형상설정을, 숙련된 기계설계자는 물론 초보자도 신속하고 용이하게 처리할 수 있는 방안 및 지침서를 제공하고져 기술되었다. 또, 체계적이고 일발적인 형상결정 지침서를 기초로 하여 경험 및 불확정에 의존한 형상결정을 지양시킴은 물론, 기계설계의 형상 결정 단계에서 절대 필요한 창조능력 및 개발능력을 배양 시키는 데에 본 형상결정 지침서를 활용할 수 있겠다.

• Proceedings of the KSRS Conference
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• 2007.03a
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• pp.109-112
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• 2007

본 논문에서는 대축척 수치지도와 Quickbird 위성영상의 자동 보정을 영상공간에서 수행한다. 알고리즘은 보정변환식의 초기 계수값 결정과 정확한 변환계수 결정과정으로 나뉜다. 초기 계수값 결정은 보정변환식의 상수항을 결정하는 것으로 수치지형도의 지면개체와 영상에서 추출된 에지의 논리곱 연산을 적용하여 최적값을 추정하는 방식을 용한다. 보정 다항식의 정확한 변환계수를 결정하기 위하여 수치지형도의 지면 선형개체 점데이터와 영상의 에지개체 점데이터간 ICP 조정을 수행하였다. 제안된 방법의 정확도를 평가한 결과， 영상공간에서 1.72화소의 RMSE를 나타내었다.

• Proceedings of the Safety Management and Science Conference
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• 2000.05a
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• pp.71-76
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• 2000

본 논문에서는 우편사업의 효율적 운영을 위해 추진중인 우편집중국의 건설과 관련하여 기존에 발표된 우편집중국의 건설에 관한 연구보고서 등을 통해서 우편집중국의 운영에 관한 연구 둥을 분석한다. 또한, 우편집중국간의 우편수송경로결정 의사결정지원 시스템을 개발하기 위해 우편물 수송모델을 수송수단에 따른 복수계층 네트워크(Multi layer network)로 구성하여, 이를 다품목네트워크 흐름문제로 수송모델을 정의하고, 정수선형계획문제로 정식화하여 최적화 S/W LINGO를 이용하여 구한 해의 결과를 분석하여 향후 우편수송경로결정을 위한 의사결정지원시스템의 기본으로 활용하고자 한다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.1
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• pp.29-35
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• 1998

Substrates, SiC raw materials and graphite crucibles were purified for growing the high quality 6H-SiC single crystal ingot. Especially, XRD data of raw materials were analyzed before and after purification. We have grown 6H-SiC single crystal ingot up to 33 mm in diameter and 11 mm in length and SiC wafer for using the substrate and observing the internal defects was about 33 mm in diameter and 0.5 mm in thickness. Utilizing optical microscpe and Raman spectroscopy, internal defects density and crystallinity of the SiC wafer obtained by purification processes before crystal growth were measured. As a result, micropipe density and planar defect density were 100/$\textrm{cm}^2$ and 30/$\textrm{cm}^2$ respectively. Therefore, high quality 6H-SiC single crystal could be grown because internal defects density of 6H-SiC single crystal ingot was decreased by the purification processes before crystal growth.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.28 no.4
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• pp.152-158
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• 2018

PVT (Physical Vapor Transport) method has advantages in producing high quality, large scale wafers where many researches are being carried out to commercialize nitride semiconductors. However, complex process variables cause various defects when it had non-equilibrium growth conditions. Annealing process after crystal growth has been widely used to enhance the crystallinity. It is important to set appropriate temperature, pressure, and annealing time to improve crystallinity effectively. In this study, the effect of the annealing conditions on the crystalline structure variation of the AlN single crystal grown by PVT method was investigated with synchrotron whitebeam X-ray topography, electron backscattered diffraction (EBSD), and Rietveld refinement. X-ray topography analysis showed secondary phases, sub-grains, impurities including carbon inclusion in the single crystal before annealing. EBSD analyses identified that sub-grains with slightly tilted basal plane appeared and the overall number of grains increased after the annealing process. Rietveld refinement showed that the stress caused by the temperature gradient during the annealing process between top and bottom in the hot zone not only causes distortion of grains but also changes the lattice constant.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.4 no.1
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• pp.21-32
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• 1994

$CaF_2$ crystals were grown with various growth rates by Bridgman method, and the electrical properties of these were studied to examine the changes of ionic conductivities with growth rates by AC Impedance Analyzer. As the growth rates were higher, $CaF_2$ crystals were grown to polycrystals from single crystal. And as grain boundaries and various defects were altered, the ionic conductivities were changed dramatically. $YF_3$ added to $CaF_2$ for disorderizing $CaF_2$ structure and improving the number of $F^-$ carriers and vacancies in $CaF_2$ crystals. Then $Ca_{1-x}Y_XF_{2+X}$ crystals were gained. And the ionic conductivities of $Ca_{1-x}Y_XF_{2+X}$ crystals were investigated with $YF_3$ addition. The ionic conductivities of $CaF_2$ and $Ca_{1-x}Y_XF_{2+X}$ crystals with temperatures were compared. In addition, the effects of clusterings and defects on the electrical properties of solid electrolytes were researched.