LCD용 다결정 실리콘 TFT의 제조에 요구되는 고품위의 다결정 실리콘 박막을 60미만의 저온 공정으로 제조하는 기술로 비정질 박막의 고상 결정화(solid phase crystallization) 가 유망하다. 본 연구에서는 고진공 화학증착기를 이용하여 증착된 비정질 실리콘 막의 고상결정거동에 대해 연구하였다. 고상 결정화 속도 및 결정화 후의 결정성(결정립 크기 및 결함 밀도) 화학증착시의 증착가스의 종류(SiH4 혹은 Si2H6), 공정 압력, 증착 온도 등에 민감한 영향을 받으며 Si2H6가스의 사용, 증착 압력의 증가, 증착온도의 감소는 최종 결정립의 크기를 현저히 증가시킨다. 또한 증착전의 기초 진공도를 높임으로써 반응기 잔류 가스에 의한 산소나 탄소 등의 막내 유입이 감소되어 결정화 속도가 증가하고 결정성이 향상되었다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.11a
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pp.98-98
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2003
초내열성 결정화유리는 전기전자부품, 천체만원경의 반사경, 직화용 조리기기, 군사용 부품 등에 광범위하게 이용되고 있는데 이중 LAS 계가 가장 오랫동안 알려진 조성 계이다. 이 결정화유리는 주입성형후 열처리에 의하여 결정상을 생성하여 사용되는데 표면이 매우 낮은 조도를 갖는 것으로 알려져 있으나 실제로는 제조상에 조도가 높게 나타나는 문제점이 제기되고 있다. 따라서 본 연구에서는 미세조직적인 측면에서 이러한 점을 연구하고자 Li$_2$O-AL$_2$O$_3$-SiO$_2$를 주성분으로 하고 소량의 MgO와 핵생성제로서 TiO$_2$, ZrO$_2$를 사용하여 시편을 제조하였다. 제조된 결정화유리의 결정화도의 차이에 따라 AFM, $\alpha$-STEP등으로 표면의 조도를 정량화였다. 결정상의 종류, 크기, 결정화도, 결정상간의 간격 등이 표면의 조도에 어떻게 영향을 주는가 에 대하여 연구한 결과를 제시하였다.
표면성장법을 이용한 고강력, 고탄성률 섬유의 제조시, 결정화 온도에 따른 섬유 미 세구조와 물리적 성질의 상관 관계를 미세구조적, 열역학적 관점에서 규명하고자 초고분자 량 폴리에틸렌으로 섬유를 제조하고 결정화 온도에 따른 구조와 인장 성질의 변화를 용융 거동을 중심으로 관찰하였다, 일정길이하에서의 섬유의 용융인 제한 용융에서는 고분자 사 슬배좌의 구속으로 인해 사방정계-육방정계 전이가 일어났다 제한 용융 거동으로부터 라멜 라 구조와 펼쳐진 사슬 결정 부분을 분리할 수 있었으며 결정화 온도가 증가할수록 펼쳐진 사슬 결정의 양이 증가하였다. 결정화 온도가 증가할수록 쉬시-케밥구조에서 펼쳐진 사슬 구조로의 변화가 일어났으며 결정내의 결점도 줄어들었다. 결정화 온도가 증가할수록 구조 의 변화로 인해 인장 성질이 향상되었다. 인장 성질은 펼쳐진 사슬 결정의 양에 큰 영향을 받았다. 인장 강도는 펼쳐진 사릉의 양과 사슬내의 결점들에 의해 큰 영향을 받았으며 인장 탄성계수와 절단 신도는 인장 강도보다 펼쳐진 사슬의 양에 더 크게 영향 받았다.
Piston and anvil법으로 제작한 (P $b_{0.75S}$$b_{0.25}$)$_{45}$A $u_{55}$ 비정질의 결정화 과정을 시차열분석(DTA), X-선 회절, 전기저항의 온도 및 시간변화를 측정하여 결정화과정을 조사하였다. 두단계의 상변태를 거쳐 결정화가 되는데 첫번째 변태온도는 52.deg.C이며 A $u_{2}$Pb의 결정상이 나타난다. 두번째 변태온도는 253.deg.C이며 AuS $b_{2}$의 결정상이 나타난다. 일차변태는 핵생성 및 성장 반응에 의하여 이루어졌으며 이때의 활성화 에너지는 1.38Kcal/mol이다.다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.11a
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pp.70-70
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2003
금속용액을 이용하여 측면고상결정화 시킨 다결정 실리콘 박막내의 고각입계를 줄이기 위해 서 고온열처리를 실시하였다. SEM과 TEM을 이용하여 다결정 실리콘내의 바늘모양의 결정립의 폭의 증가를 관찰하였고, 결정 립내의 결함이 감소를 관찰하였다. 그리고 결정화된 다결정 실리콘의 표면 거칠기를 AFM이용하여 퍼니스에서 53$0^{\circ}C$에서 25시간 동안 결정화 시킨 시편과 이후 80$0^{\circ}C$에서 40분간 추가 고온 열처리시킨 시편을 비교한 결과 6.09$\AA$에서 4.22$\AA$으로 개선되었음을 확인할 수 있었다. 박막내의 금속에 의한 오염을 줄이기 위해 금속의 농도를 줄인 금속용액을 결정화에 사용하였다. 이때 저농도 금속용액을 사용하여 측면결정화시킨 다결정 실리콘 박막내의 소각입계를 이루는 결정립군의 크기가 고농도 금속용액을 이용하여 측면결정화시킨 경우보다 증가함을 확인 할 수 있었다. 박막트랜지스터를 제작하여 트랜지스터의 전기적특성을 살펴보았다. 전계이동도가 80$0^{\circ}C$ 고온 열처리에 의해서 53$\textrm{cm}^2$/Vsec 에서 95$\textrm{cm}^2$/Vsec 로 상승하였는데 이는 고온열처리에 의해서 측면결정화된 다결정 실리콘내의 트랩 밀도가 2.2$\times$$10^{12}$/$\textrm{cm}^2$ 에서 1.3$\times$$10^{12}$$\textrm{cm}^2$로 감소하였기 때문이다.
Park, SungTae;Choi, ByungHyun;Ji, MiJung;Kwan, YoungJin;Choi, HeonJin
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.11a
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pp.89.2-89.2
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2010
고체산화물 연료전지는 $800{\sim}1000^{\circ}C$인 고온에서 작동하므로 적용되는 밀봉재의 요구조건은 매우 중요하다. 본 연구에서는 SOFC 밀봉재로서 $SiO_2-B_2O_3-RO$계 결정화 유리를 선정하였으며 작동온도 부근에서 결정화를 유도하여 고온점성유동을 제어하고자 하였다. 따라서 $SiO_2-B_2O_3-RO$계에 RO인 CaO, SrO, BaO, MgO를 상호 치환하였을 때 결정상의 생성, 생성온도, 생성결정의 종류가 sealing 특성에 어떠한 영향을 주는가를 검토하였다. 결정화유리를 $800^{\circ}C$로 유지하였을 때 생성되는 주 결정상은 Calsium silicate, Strontium silicate, Barium silicate, Magnesium silicate이였으며 Strontium silicate 의 생성속도가 가장 빨랐으며 결정상은 불산으로 에칭하여 SEM으로 관찰하였다. Barium silicate를 유도한 결정화 유리가 $800^{\circ}C$에서 1000시간 유지하였을 경우 가장 내화학성이 우수하며 강도값도 154MPa로 가장 높았다. 또한 부분 결정화를 통해 $800^{\circ}C$ 점성유동이 제어됨을 고온현미경을 통해 관찰하였다.
Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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2002.04a
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pp.159-162
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2002
고분자 재료로써의 Poly(ethylene terephthalate)는 섬유, 필름, 용기등 다양한 용도로 널리 이용되고 있으며, 이 용도는 대부분 변형 및 배향 결정화의 응용에 그 근거를 두고 있다. 그러나 등방성 고분자의 결정화 과정에 대한 연구에 비해 배향에 의해 유도되는 결정화 과정의 경우 그 명확한 메카니즘이 밝혀지지 않았으며, 최근 고속방사 기술의 개발과 더불어 배향 결정화 과정에 대한 관심이 집중되고 있다. (중략)
The changes of properties were studied for the polypropylene(PP)/Nylon6 blends containing different kinds of compatibilizer made by either reactive extrusion of solution reaction. The compatibilizers were PP grafted with maleic anhydride (MAH) made by reactive extrusion and solution reaction. The grafted MAH contents were 0.3 wt %, and 2.7 wt %, respectively. The composition of the PP/nylon6 blend was fixed at 75/25 by weight. Blending was carried out with twin-screw extruder (L/D=30, ${\psi}=30$) at 300 rpm. As the content of PP-g-MAH was increased, the crystallization peak of Nylon6 decreased gradually then finally disappeared. Disappearance of crystallization peak of Nylon6 was mostly affected by grafted MAH content rather than the preparation method and the amount of compatibilizer. The portion of Nylon6 that could not crystallize in its normal crystallization temperature crystallized together with PP at the crystallization temperature of PP. So called concurrent crystallization was observed. Meanwhile two more peaks were observed during heating cycle. One was exothermic peak at $193^{\circ}C$ near to crystallization temperature of Nylon6, the other was endothermic peak at $215^{\circ}C$ that was $5^{\circ}C$ lower than normal endothermic peak of Nylon6. To analyze the peaks, nylon6 was annealed in the differential scanning calorimeter. As a result, the peak at $193^{\circ}C$ was crystallization peak of imperfect crystalline of Nylon6 and the other peak at $215^{\circ}C$ was melting peak of imperfect crystalline of nylon6.
We examined the effect of ionic liquid on the crystallization efficiency of vancomycin in an increased surface area crystallization with silica gel. The crystallization efficiency was improved by the addition of ionic liquid, [BMIm][$BF_4$]. The addition of ionic liquid (20%, v/v) on the increased surface area crystallization with silica gel dramatically reduced the crystallization time by 6 folds (4 h), compared with the results of the case where the surface area-increasing material and ionic liquid had not been added. In addition, the crystal size of vancomycin was decreased and the crystal quality of vancomycin was improved by increasing the addition of ionic liquid.
Applicability of crystallization kinetics on thermal analysis was investigated for PbO-TiO2-B2O3-BaO glass systems together with theoretical background of kinetics and electron microscopic observations on nu-cleation and crystallization. Kissinger equation can be used on DTA under the assumption that the nucleus density is fixed during DTA runs. Crystallization mechanism affected on the activation energy Ek obtained from powder samples which is used for domination of surface crystallization. Avrami parameter n that was obtained from Ozawa equation represented closely the crystallization mechanisms observed by an electron microscope. The modified Kissinger equation takes into account crystallization mechanism thereby pro-ducing the true activation energy of crystallization.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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