• The Journal of Engineering Research
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• v.1 no.1
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• pp.15-22
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• 1997

The crystallization behaviours of cordierite gel derived from sol-gel method and glass prepared from conventional melting method with or without $TiO_2$ as nucleants are compared. The densification temperature of gel is $810^{\circ}C$ and its chemical structure identified by IR analysis is same as that of glass melted by conventional method. The beginning crystallization temperature of gel is $965^{\circ}C$ lower than that of melted glass with 10wt% $TiO_2$, which is $978^{\circ}C$. The crystalline phases developed from gel during heat treatment are identified as spinel, $\beta$-quartz solid solution and $\alpha$-cordierite crystal and crystalline phases in case of glass are (Mg,Al)TiOn and $\beta$-quartz solid solution and $\alpha$-cordierite crystal, respectively. The crystallization in melted glass with nucleants occurs through bulk crystallization and in case of that without nucleants surface crystallization occurs, while the crystallization in gel is internal crystallization from interface between particles formed after densification.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.2 no.2
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• pp.47-52
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• 1992

결정화 유리에서의 결정화도 측정, 혹은 소결체에서의 잔류 유리량을 측정할 때 가장 유용한 방법을 찾아내기 위하여 현재까지 보고되어 있는 방법중에서 Ohlberg와 Benedetti의 XRD를 이용한 방법과 IR을 이용한 Hirose의 방법을 선정하여 코디어라이트 조성의 유리와 β-코디어라이트의 혼합물에 대하여 결정화도를 측정하였다. 이들 측정 방법중에서 Ohlberg의 방법은 표준시료가 준비되었을 경우 약 5%의 오차를 보였으며, Benedetti의 방법은 Ohlberg의 방법보다 큰 오차를 보였지만 표준시료를 필요로 하지 않았다. Hirose의 방법은 적은 결정화도 범위에서만 적용가능한 방법인 것으로 보여졌다.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 2003.04a
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• pp.333-334
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• 2003

Poly(trimethylene terephthalate)(PTT)는 결정화 속도가 빠른 결정성 고분자로 최근들어 섬유화에 성공한 이후 활발한 연구가 진행되고 있다. 그러나 U의 빠른 결정화속도와 높은 결정화도 때문에 제품 제조시 곤란을 받고 있다. 한편, PET의 경우 비결정성 고분자인 poly(ethylene isophthalate)(PEI)를 공중합시켜 유리전이온도와 결정화도를 낮추고 결정화속도를 늦추어 PET 섬유의 염색성 및 투명도를 향상시키고, 저온에서의 공정처리를 가능하게 할 수 있다[1-3]. (중략)

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.190-190
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• 2003

현재 a-Si TFT는 평판 디스플레이 소자로서 주로 사용되고 있으나 점차 고속응답속도 특성, 고화질이 요구됨에 따라 높은 전계효과 이동도를 가진 poly-Si TFT로 대체하기 위한 연구가 진행되고 있으며 특히 poly-Si TFT를 상용 유리 기판에 적용하기 위해 비정질 실리콘의 저온 결정화에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 극박막의 Ni을 선택적으로 증착하여 전계 유도방향성 결정화 (Field Aided Lateral Crystallization : FALC) 공정을 이용하여 결정화를 진행하였으며 전계를 인가하지 않은 경우와 전계를 인가한 경우, 전계 세기에 따른 결정화에 대하여 비교하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.141-142
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• 2008

다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 만들기 위해 가장 많이 사용되는 제작방법은 비정질 실리콘을 기판에 형성한 뒤 결정화 시키는 방법이다. 고온에서 장시간 열처리하는 고상 결정화(SPC)와 레이저를 이용한 결정화(ELA)가 자주 사용되어진다. 그러나 SPC의 경우는 고온에서 장시간 열처리하기 때문에 유리 기판이 변형될 수 있고 ELA의 경우 장비가격이 비싸고 표면일 불균일하다는 문제점이 있다. 본 연구에서는 이 문제를 해결하기 위해서 화학 기상 증착법(저온 공정)을 이용하여 비정질 실리콘 박막을 증착 시키고, 이를 금속 촉매를 이용하여 금속 유도 결정화 방법(MIC)으로 결정화 시키는 공정을 이용하였다. 유리 기판 상부에 버퍼 층을 형성한 후 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD)을 이용하여 비정질 실리콘을 증착하고 Ni-solution을 이용하여 얇게 Ni 코팅하고 그 시료를 약 $650^{\circ}C$의 Rapid Thermal Annealing(RTA) 공정을 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 연구를 진행하였다. Ni 코팅시간은 20분, RTA 공정은 5시간의 진행시간을 거쳐야 최적의 결정화 정도를 만들어낸다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.32 no.3
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• pp.276-284
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• 1988

The crystallization behaviours of poly(ethylene terephthalate) modified by 1, 3-propane diol, 1, 5-pentane diol, 1, 6-hexane diol, or poly(ethylene glycol) of molecular weight 300 as a third component were studied by isothermal and nonisothermal crystallization. When the content of the third diol was about 4 mol %, the isothermal crystallization rate at the same supercooling below the melting temperature and the nonisothermal crystallization rate at the same overheating above the glass transition temperature were increased more by the shorter flexible diol unit. On the contrary the nonisothermal crystallization rate at the same supercooling below the melting temperature was increased more by the longer flexible diol unit.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.12 no.4
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• pp.210-214
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• 2002

The crystallization behavior of amorphous silicon (a-Si) film was investigated by using Cu-field aided lateral crystallization (Cu-FALC) process below $450^{\circ}C$. The lateral crystallization was induced from the Cu deposited region outside of pattern toward the Cu-free region inside of the pattern by applying an electric field during heat treatment. As expected, the lateral crystallization toward Cu-free region proceeded from negative toward positive electrode side. The occurrence of Cu-FALC phenomenon was interpreted in terms of dominant diffusing species in the reaction between Cu and Si. Even at the annealing temperature of $350^{\circ}C$, the large dendrite-shaped branches were formed in the crystallized region and the polarity in the lateral crystallization was clearly observed. Consequently, we could successfully crystallize the a-Si at the temperature as low as $350^{\circ}C$ by an electric field of 30 V/cm with fast crystallization velocity of 12 $\mu$m/h.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.4 no.1
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• pp.94-102
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• 1993

The effects of temperature and of $Na_2O$ and $SiO_2$ contents on the crystallization of zeolite A were studied, by examining crystallization curves and particle size distributions of final products at various crystallization conditions. Crystallization process could be simulated adopting the assumptions of constant linear growth rate and equilibrium between amorphous solid phase and soluble species. Rate constants were determined by comparing the simulated crystallization curves with experimental data. Rate constant for linear growth increased with temperature and crystallization rate at different mole ratio of $Na_2O/H_2O$ correlated reasonably well with increase of soluble species. The rate constant of crystallization did not increase with increase in mole ratio of $Na_2O/H_2O$, but the rate of nuclei formation and the fraction of soluble species were enhanced. The rate constants for linear growth of zeolite A were determined as $0.07{\sim}0.24{\mu}m{\cdot}min^{-1}$ at these experimental conditions Apparent activation energy was estimated as $49kJ{\cdot}mol^{-1}$.

• Polymer(Korea)
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• v.39 no.1
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• pp.151-156
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• 2015

Herein, novel porous structures were fabricated from monomer solutions of dimethylsiloxane and benzene by directional crystallization in twice. First, a honeycomb-like structure was fabricated by $1^{st}$ directional crystallization of solvent. By infiltration of the solution and subsequent $2^{nd}$ directional crystallization, novel structures of different pores in the honeycomb-like structure were fabricated. The porous materials prepared by the repeated directional crystallization have higher indentation modulus and hardness than those of the samples prepared by single directional crystallization. When a higher solution concentration was used in $2^{nd}$ directional crystallization, the maximum increase (indentation modulus: 2140% increase, indentation hardness: 2330% increase) was obtained. On the other hand, porosity and contact angle were lower in the samples from $2^{nd}$ directional crystallization than those from $1^{st}$ directional crystallization. A large decreases was observed, when a relatively high concentration was used in $2^{nd}$ directional crystallization (porosity: 21% decrease, contact angle: 36% decrease).

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.9
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• pp.900-904
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• 1996

비정질 실리콘의 표면에 Ni과 Pd를 형성하여 측면으로의 결정화 속도를 향상시켰다. Ni에 의해 비정질 실리콘이 측면으로 결정화될 때 그 성장 속도는 50$0^{\circ}C$에서 3w$\mu\textrm{m}$/hour였으며 이때의 활성화 에너지는 2.87eV로 나타났다. Pd의 경우는 Pd2Si의 형성에 의해 압축 응력이 유발되어 Pdrks의 간격이 좁을수록 측면으로의 결정화 속도가 증가하였다. Ni과 Pd을 각각 다른 부분에 증착시키고 결정화시키면 Ni에 의해 측면으로 결정화되는 속도가 Ni만으로 결정화시킬 때 보다 약 2배 이상의 측면결정화 속도를 보였다.