Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.274-274
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2009
고효율 결정질 실리콘 태양전지 구조를 갖기 위해서는 기본적으로 광포획 기능이 고려된 기판이 고려되어야 한다. 본 실험에서는 2-step 습식공정을 이용하여 기판의 반사율을 기존 대비 절반 이하로까지 줄일 수 있는 저반사율을 갖는 표면구조를 얻을 수 있었다. 일반적인 텍스처링 공정을 NaOH와 TMAH등을 이용하여 10um이하의 피라미드 구조를 통해 평균반사율을 10~13%수준을 얻었고, metal assist etching을 이용하여 추가적인 나노 텍스처링을 적용하였다. 전체적인 2-step에칭을 적용하여 평균 반사율을 5%이하까지 줄일 수 있었다. 이는 전반적으로 나노구조 형성으로 인하여 단파장쪽의 반사율이 적게 나오고 IR 파장쪽의 반사율도 같이 낮아짐으로써 저반사율이 달성되었다. 2-step을 이용한 나노 텍스처링 공정 최적화와 반사방지막을 증착하여 이에 대한 효과를 연구하였다.
Kim, Su-Min;Kim, Yeong-Do;Park, Seong-Eun;Lee, Hae-Seok;Kim, Dong-Hwan
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.485.2-485.2
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2014
Cz-Si 태양전지가 빛에 노출 되거나 소수 캐리어를 주입하는 경우 시간이 경과함에 따라서 전환 효율이 점점 감소하는 문제가 발생하는데 일반적으로 광열화(Light Induced Degradation) 현상이라고 명명한다. 이러한 현상은 준안정상태로 존재하는 결함들에 의해서 발생되는 것으로 연구되고 있으며 대표적인 결함으로 Cz-Si 물질 내부에 존재하는 B-O 결합이 있다. 광열화가 발생하는 명확한 기전은 아직 연구중에 있지만, 최근의 몇몇 연구결과들이 B농도와 O농도 사이의 상호관계에 대하여 밝혀냈다. 본 연구에서는 실시간으로 LID 현상을 관측하였으며, 초기상태와 비교하여 LID 이후에 열화 되는 특성들을 살펴보았다.
This paper presents the technology of selective emitter for high efficiency crystalline silicon solar cell. The effect of selective emitter is analyzed by using the simulation program for solar cell, PC1D. The selective emitter shows better spectral response in short wavelength regions compared to homogeneous emitter. Therefore, the efficiency of solar cell with selective emitter can be improved by changing the sheet resistance from 60 $\Omega/\square$ to 120 $\Omega/\square$. In addition, the power loss of solar cell can be minimized by optimizing width and gap of the finger electrodes on the selective emitter.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2009.05a
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pp.54.2-54.2
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2009
결정질 실리콘 태양전지의 알루미늄 후면전극이 패시베이션층의 공극을 통하여 확산됨으로써 국부 후면전계(local back surface field)가 형성되는 후면 점접촉 구조를 제조하였으며, 이에 대한 공정조건 및 특성을 연구하였다. 후면 패시베이션층은 실리콘 기판과 금속전극사이에 삽입됨으로써 표면 재결합속도를 낮추고, 후면 반사도를 높여 광흡수 경로를 증가시킬 수 있다. 고가의 사진식각기술 대신에 저가의 단순한 공정인 레이저 식각기술을 사용하여 후면 패시베이션층에 균일하고 잘 정렬된 공극 패턴을 형성할 수 있었다. 레이저 식각 조건 및 소성조건에 따른 Al 확산 국부 후면전계의 단면 형상을 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 관찰하였으며 이에 대한 전기적, 광학적 특성 변화를 조사하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.271-271
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2010
고효율 실리콘 태양전지를 제작하기 위하여 surface passivation, 레이저와 lithography기술들이 연구되어 지고 있다. 결정질 실리콘 태양전지의 기판의 두께가 점점 얇아지면서 surface-to-volume 비율이 증가되어 surface passivation은 매우 중요하다. surface passivation은 크게 2가지 방법으로 진행되고 있으다. 첫 번째는 Si의 dangling bond의 passivation과 surface recombination process 제어에 기초를 두고 있다. 일반적으로 박막을 이용한 실리콘 passivation은 $SiO_2$, SiN, a-Si, $Al_2O_3$박막 4가지가 이용되어 왔다. 본 연구에서는 p-type SoG기판위에 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 $Al_2O_3$박막의 negative fixed charge의 internal electric field로 surface passivation을 연구하였다. TMA와 $H_2O/O_3$을 사용하여 ALD $Al_2O_3$를 10~30nm두께를 갖도록 증착하였다. 표면 처리 조건, $Al_2O_3$박막 두께, ALD 공정 조건과 후열처리등에 따른 실리콘의 특성, carrier lifetime변화를 측정하여 효과적인 field induced passivation을 제시하고자 한다.
Park, In-Gyu;Yun, Myoung-Soo;Hyun, Deoc-Hwan;Jin, Beop-Jong;Choi, Jong-Yong;Kim, Joung-Sik;Kang, Hyoung-Dong;Kwon, Gi-Chung
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.19
no.4
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pp.314-318
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2010
We fabricated a plasma texturing for multi-crystalline silicon cells using reactive ion etching (RIE). Multi-crystalline Si cells have not benefited from the cost-effective wet-chemical texturing processes that reduce front surface reflectance on single-crystal wafers. Elimination of plasma damage has been achieved while keeping front reflectance to extremely low levels. We will discuss reflectance, quantum efficiency and conversion efficiency for multi-crystalline Si solar cell by each RIE process conditions.
There has been increasing concerns for the problems of water security in countries, caused by the frequent occurrence of localized drought due to the climate change and uncertainty of water balance. The importance of fresh water is emphasized as considerable amount of usable fresh water is utilized for power generation sector producing electricity. PV power system, the source of renewable energy, consumes water for the every steps of life cycle: manufacturing, installation, and operation. However, it uses relatively less water than the traditional energy sources such as thermal power and nuclear power sources. In this study, to find out the use of water for the entire process of PV power system from extracting raw materials to operating the system, the footprint of water in the whole process is measured to be analyzed. Measuring the result, the PV water footprint of value chain was $0.989m^3/MWh$ and the water footprint appeared higher specially in poly-Si and solar cell process. The following two reasons explain it: poly-Si process is energy-intensive process and it consumes lots of cooling water. In solar cell process, deionized water is used considerably for washing a high-efficiency crystalline silicon. It is identified that PV system is the source using less water than traditional ones, which has a critical value in saving water. In discussing the future energy policy, it is vital to introduce the concept of water footprint as a supplementary value of renewable energy.
In this paper, the optimized doping condition of crystalline silicon solar cells with 156 ${\times}$ 156 mm2 area was studied. To optimize the drive-in condition in the doping process, the other conditions except drive-in temperature and time were fixed. After etching 7 ${\mu}m$ of the surface to form the pyramidal structure, the silicon nitride deposited by the PECVD had 75~80 nm thickness and 2 to 2.1 for a refractive index. The silver and aluminium electrodes for front and back sheet, respectively, were formed by screen-printing method, followed by firing in $400-425-450-550-850^{\circ}C$ five-zone temperature conditions to make the ohmic contact. Drive-in temperature was changed in range of $828^{\circ}C$ to $860^{\circ}C$ and time was from 3 min to 40 min. The sheet resistance of wafer was fixed to avoid its effect on solar cell. The solar cell fabricated with various conditions showed the similar conversion efficiency of 17.4%. This experimental result showed the drive-in temperatures and times little influence on solar cell characteristics.
Crystalline silicon photovoltaic module certification began in 2007. "Renewable Energy Equipment Certification Scheme" was implemented until July 28, 2015. Then, the scheme was changed to "KS Certification Scheme" since July 29, 2015. A total of 2,331 models have been certified by 2016. The proportion of multi crystalline modules in certified products is higher than that of mono crystalline modules, and Korean modules account for 78% of the total certification modules. Chinese solar cells account for the highest percentage of 40% of the total modules and 62.4% of modules certified in 2016 use Chinese solar cells. With the development of technology, module power is continuously increasing, and efficiency is also rising. The average efficiency of mono crystalline module is 0.74% higher than the average of multi crystalline module. As a result of comparing domestic module with Chinese module, the highest efficiency of mono crystalline module and multi crystalline module and the average efficiency of mono crystalline module are higher than those of Chinese module, but the average efficiency of multi crystalline module is similar to that of Chinese module.
Solar panels are modules made up of many cells, like the N-type monosilicon, P-type monosilicon, P-type multisilicon, amorphous thin-film silicon, and CIGS solar cells. An efficient photovoltaic (PV) power is important to use to determine what kind of cell types are used because residential solar systems receive attention. In this study, we used 3-type solar panels - such as N-type monosilicon, P-type monosilicon, and CIGS solar cells - to investigate what kind of solar panel on a house or building performs the best. PV systems were composed of 3-type solar panels on the roof with each ~1.8 kW nominal power. N-type monosilicon solar panel resulted in the best power generation when monitored. Capacity Utilization Factor (CUF) and Performance Ratio (PR) of the N-type Si solar panel were 14.6% and 75% respectively. In comparison, N-type monosilicon and CIGS solar panels showed higher performance in power generation than P-type monosilicon solar power with increasing solar irradiance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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