• Bulletin of the Korea Photovoltaic Society
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• v.1 no.1
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• pp.15-23
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• 2015

실리콘(결정질, 비정질)을 기반으로 하는 태양전지는 현재 태양전지 시장의 약 95% 이상을 차지하고 있다. 양자점 태양전지나 나노 태양전지와 같은 차세대 태양전지 기술들이 개발되고 있으나 향후에도 태양전지 시장에서 실리콘 기반의 태양전지가 차지하는 비율은 과반을 상회할 것으로 예상된다. 본 논문에서는 실리콘 기판을 기반으로 하는 태양전지의 현황과 고효율화 기술 동향 및 향후 전망에 대해 논하려고 한다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.2
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• pp.197-202
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• 1995

The surface morphology and grain growth of amophous silicon (a-Si) films deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) have been investigated as a function of deposition and in sltu annealing condition. The film deposited at the amorphous to polycrystalline transition temperature has an extra-rough, rugged surface with (311) t.exture. At the same deposition temperature, the grain structure tends to shirr. from the polycrystalline to the amorphous phase with increasing the film thickness. It is found that nucleation of a-Si during in situ annealing at the transition temperature without breaking the vacuum starts to occur from surface Si atom migration in contrast to a heterogeneous nucleation during film deposition.

• Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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• v.32 no.5
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• pp.297-304
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• 2019

In this research, crack propagation in a silicon anode during two-phase lithiation was evaluated using a cohesive zone model. The phase transition from crystalline silicon to lithiated silicon causes compressive yielding due to the high volume expansion rate. Li-ion diffuses from the surface of the silicon to its core, and the complex deformation mechanisms during lithiation cause tensile hoop stress along the surface. The Park-Paulino-Roesler (PPR) potential-based cohesive zone model that guarantees consistent energy dissipation in mixed-mode fracture was adopted to simulate edge crack propagation. It was confirmed that the edge crack propagation characteristics during lithiation from the FEM simulation results coincided with the real experimental results. Crack turning observed from real experiments could also be predicted by evaluating the angles of maximum tensile stress directions.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.1
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• pp.15-21
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• 1993

Silane과 Disilane를 사용하여 화학증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 미세구조를 증착온도의 변화에 따라 조사하였다. Silane과 Disilane의 증착온도는 각각 550에서 640.deg.C와 485에서 620.deg.C로 변화시켰다. Disilane은 silane에 비해 반응성이 크고 비정질에서 결정으로 변하는 전이온도는 약 20.deg.C정도 높았다. 전이온도에서 증착한 시편은 실리콘 source에 관계 없이 (311)조직의 거친 표면으로 되어있었다. 900.deg.C에서 열처리하는 동안 비정질로 부터는 (111)쌍정립계를 갖는 수지상의 결정성장을 하였다. 반면에 다결정 상태로 증착한 시편은 열처리하는 동안 구조가 거의 변하지 않았고 매우 작은 결정립으로 이루어진 주상구조를 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.08a
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• pp.59-59
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• 2009

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.08a
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• pp.284-284
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• 2009

• Electrical & Electronic Materials
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• v.20 no.4
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• pp.39-46
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• 2007

• Electrical & Electronic Materials
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• v.18 no.1
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• pp.5-10
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• 2005

• Electrical & Electronic Materials
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• v.24 no.3
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• pp.28-36
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• 2011

• Electrical & Electronic Materials
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• v.19 no.7
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• pp.3-12
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• 2006