• Journal of the Korean Society for Aviation and Aeronautics
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• v.1
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• pp.95-132
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• 1993

사람들은 누구나 시간과 장소를 구분하지 아니하고 의사결정을 내려야 할 상황에 처하게 된다. 특히 조종사의 경우에는 의사결정을 하여야 할 상황이 보다 시간적으로 제한되어 있고, 또 다른 어떤 경우보다 그 내용이 더 복잡하다는 특성을 가지고 있다. 특히 항공기 운항중 발생하는 조종사의 의사결정은 그 방법에 따라 결과는 아주 다른 양상으로 나타나게 되는데 합리적인 의사결정이 이루어졌다면 그 결과는 안전성과 경제성이 동시에 실현되지만 합리적으로 의사결정이 이루어지지 못하였다면 항공기 사고라는 최악의 사태로 이어지게 된다. 그러나 현실적으로는 조종사들이 사회, 문화적 특성과 개인적인 태도 및 성격에 따라 집단내 구성원들의 의사를 종합하여 의사결정을 얻지 못하고 경우에 따라서는 기장 개인의 능력에 따라 의사결정이 이루어지고 있는 실정이다. 이러한 점에 착안하여 본 연구에서는 조종사의 합리적인 의사결정에 영향을 미치는 요인들을 분야별로 내용을 분석하고 의사결정의 이론적 고찰을 통해 조종사의 합리적인 의사결정을 위한 방안을 제시하고자 하였다. 특히 조종사 자격 관리 및 능력개발 프로그램시 태도 변화를 위한 교육이 우선해야 한다는 것과 그리고 미국의 여러 기관에서 연구 수행한 결과를 인용하여 조종사의 태도분석방법을 소개함으로써 조종사 자신들이 직접 지니고 있는 위험한 태도 요소를 자각할 수 있도록 하였으며 이에 대한 행동상 지켜야 할 원칙을 제시하여 자신이 의사결정을 해야하는 경우 적용할 수 있도록 하였다. 앞으로 이와 관련하는 지속적인 연구를 함으로서 합리적인 의사결정을 위한 요인들의 상관관계를 분석하고 항공기 운항분야중에서 부분적이나마 정형적인 의사결정모델이 개발될 때 항공기 안전운항에 크게 기여할 것으로 기대된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.4
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• pp.528-535
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• 1997

$LiTaO_3$ single crystals of congruently melting composition were grown by the halogen lamp type floating zone system. Calcination and sintering parameters for the growth were established. Optimum crystal growth conditions were investigated by a controlling of growth rates, rotation speeds and atmospheres. Based on the melting aspect and the shape of molten zone, stable conditions could not be found in air or Na atmosphere. However the growth stability in Ar atmosphere was more regular than that in air or $N_2$. The grown crystals were characterized using Laue back reflection, Curie temperature, refractive index and transmittance. Curie temperature fluctuation in the section of the grown crystal part of top, body and tail was $1^{\circ}C$.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.9 no.8
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• pp.433-441
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• 2009

This paper searches for programs for creating increased employment in local society in important occupation sectors such as education and training services, insurance and social welfare services, culture and arts, housing and environmental service fields. As part of an improvement plan, while strengthening investment in education training infrastructure for the suppliers of social services, cooperation and coordination by the public and private sectors is necessary. Also necessary are identifying model social enterprises that are based upon joint efforts for success of social enterprises and publicity efforts necessary.

• Microbiology and Biotechnology Letters
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• v.42 no.3
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• pp.297-301
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• 2014

We examined the effect of ionic liquid on the crystallization efficiency of vancomycin in an increased surface area crystallization with silica gel. The crystallization efficiency was improved by the addition of ionic liquid, [BMIm][$BF_4$]. The addition of ionic liquid (20%, v/v) on the increased surface area crystallization with silica gel dramatically reduced the crystallization time by 6 folds (4 h), compared with the results of the case where the surface area-increasing material and ionic liquid had not been added. In addition, the crystal size of vancomycin was decreased and the crystal quality of vancomycin was improved by increasing the addition of ionic liquid.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.244-244
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• 2010

최근 활발히 연구되고 있는 AMOLED는 평판 디스플레이 분야를 이끌어 갈 차세대 선두 주자로 크게 주목 받고 있다. AMOLED는 전압 구동 방식인 AMLCD와 다르게 전류 구동 방식으로 a-Si TFT 보다 LTPS-TFT 사용이 요구되며, 대면적 기판으로 갈수록 결정립의 균일도가 매우 중요한 인자로 작용한다. 현재 양산이 가능한 AMOLED는 핸드폰이나 15인치 TV정도로 크기가 소형이며 대형 TV나 컴퓨터 모니터 등을 양산하기 위해 많은 방법이 시도되고 있다. 양산체제에서 사용되는 결정화 방법으로는 ELC가 가장 많은 부분을 차지하고 있다. 그러나 레이저를 사용하는 ELC 방법은 대면적으로 갈수록 레이저 빔 자체의 불균일성, shot to shot 불균일성, 레이저빔 중첩의 부정확도 등으로 인한 균일도의 부정확성이 커짐으로 인한 mura 현상이 나타나고 레이저 장비의 사용에 대한 비용 부담을 피할 수 없다. 따라서 non-laser 방식에 결정화 방법이 요구되나 SPC 경우는 상대적으로 고온에서 장시간이 걸리고, MIC 뿐만 아니라 MIC 응용 방법들은 금속 오염에 대한 문제가 발생하고 있는 실정이다. 이러한 문제로 인하여 결정립 크기의 균일도가 우수한 다결정 실리콘 박막을 제조하는 신기술에 대한 필요성이 매우 높은 실정이다. 본 연구에서는 비정질 실리콘 박막 상부 혹은 하부에 도전층을 개재하고, 상기 도전층에 전계를 인가하여 그것의 주울 가열에 의해 발생한 고열로 비정질 실리콘 박막을 급속 고온 고상 결정화하는 방법에 관한 기술인 JIC (Joule-heating Induced Crystallization) 결정화 공정을 개발하였다. 본 공정은 상온에서 수 micro-second 내에 결정화를 수행하는 것이 가능하며 도전층과 실리콘 박막 사이에 barrier층 삽입를 통하여 금속 오염을 막을 수 있으며 공정적인 측면에서도 별도의 chamber가 필요하지 않는 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 JIC 결정화 공정 조건에 따른 결정화 기구 및 JIC poly-Si의 미세구조 및 물리적 특성에 관한 논의가 이루어질 것이다.

• Proceedings of the Korea Inteligent Information System Society Conference
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• 1999.10a
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• pp.375-382
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• 1999

본 연구는 데이터마이닝 기법과 전문가 지식을 활용한 옵션가격 결정모형을 제시하는데 목적이 있다. 첫째, 데이터마이닝 기법 주의 하나인 인공신경망 기법을 활용하여 변동성과 옵션가격을 추정하고, 이를 전통적인 재무이론의 결과와 비교하였다. 인공신경망으로 추정된 변동성은 기존의 모형에 비해 개선된 성과를 보였으며, 가격결정모형은 대등한 성과를 보였다. 또한 모수적 기법과 비모수적 기법의 통합을 통해 성과의 개선을 가져올 수 있음을 보였다. 둘째, 시장 참여자들의 정보를 반영하여 옵션의 이론적 가격결정모형의 성과를 개선할 수 있는 사례기반추론시스템을 제안하였다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2004.10b
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• pp.121-123
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• 2004

의사 결정 지원 시스템에 대한 연구는 오래 전부터 진행되어 왔다. 의사 결정 지원 시스템은 많은 분야에 적용될 수 있고, 적용되는 환경에 따라서 다양한 특징을 가진다. 본 논문에서는 e-marketplace에서 공급자 선정을 위한 의사 결정 지원 시스템 구현을 위한 환경 및 시스템의 특징에 대해서 알아보고, e-marketplace에서의 공급자 선정을 위한 정색 기반 모델을 제시하고, 이를 구현함으로써 의사 결정 지원시스템이 e-marketplace에서 어떻게 구현될 수 있는지를 보인다.

• Bulletin of the Korean Space Science Society
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• 2004.04a
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• pp.62-62
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• 2004

망원경을 이용하는 위성의 광학관측으로부터 적경과 적위 또는 방위각과 고도각의 관측데이터를 얻을 수 있다. 이러한 세 쌍의 관측데이터를 이용해 위성의 궤도를 결정하는 방법을 예비궤도 결정법이라 하는데, Laplace, Gauss 및 double r-iteration 방법이 있다. 위성의 정밀궤도 결정을 위해서 광학, 레이더 및 레이저를 이용한 다수의 관측데이터가 필요하며, 특히 위성의 초기 궤도정보가 반드시 요구되는데, 이는 예비궤도 결정법을 통해서 얻을 수 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.64-64
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• 1999

다결정 실리콘-게르마늄(poly-SiGe)은 태양전지 및 TFT-LCD와 같은 소자 응용에 있어서 중요하게 연구되고 있는 물질이다. 우리는 수소화된 비정질 실리콘-게르마늄 (a-Si1-xGex:H) 박막을 증착시키고 고상결정화시키며 XRD(x-ray diffraction) 및 ESR (electron spin resonance) 측정을 수행하였다. PECVD 증착가스는 SiH4과 GeH4가스를 사용하였고 Ge의 성분비는 x=0.0, 0.1, 0.5 정도로 조절되었다. 기판은 Corning 1737 glass를 사용하였고, 기판 온도는 20$0^{\circ}C$ 이었다. 증착압력과 r.f. 전력은 각각 0.6Torr와 3W이었다. 증착된 SiGe 박막은 고상결정화를 위해 $600^{\circ}C$ N2 분위기에서 가열되고, 그에 따른 XRD 및 ESR spectrum의 변화를 관찰하였다. ESR 측정은 X-band 그리고 상온에서 행해졌다. 먼저 XRD 측정으로부터 박막의 고상결정화 정도를 알 수 있었고, 고상결정화 과정이 초기 핵형성 단계와 결정화 단계, 그리고 더 이상 결정화가 일어나지 않는 완료 단계로 구분될 수 있음을 보여주었다. X값이 증가함에 따라 결정화 시간은 훨씬 단축되었다. ESR로 측정된 스핀 밀도는 a-Si1-xGex:H 박막이 처음 가열됨에 따라 전체적으로 크게 증가했다가, 결정화가 일어나면서 다시 감소하여 나중에는 거의 변화가 없었다. ESR 신호의 초기 증가는 수소 이탈에 의한 dangling bond의 증가에 기인하며, 다음 단계의 감소 및 안정 상태는 결정화에 따른 결정경계 영역의 감소와 결함들의 안정성에 기인하는 것으로 생각된다. 그러나 흥미로운 것은 Si1-xGex 합금의 경우 가열시간이 증가됨에 따라 Si-db(Si-dangling bond)와 Ge-db에 의한 신호가 서로 분리되어 나타났으며, 이 Si-db 스핀 밀도와 Ge-db 스핀밀도의 변화정도는 x값에 크게 의존함을 보여준 것이다. 즉 순수한 a-Si:H의 경우 Si-db 의 스핀밀도의 증가시간은 4시간 정도였고, 그리고 다시 감소하였으며, x=0.1 인 박막에서 Si-db와 Ge-db의 변화 시간은 순수 S-db 변화의 경우와 거의 유사하였다. 그러나 x=0.5 샘플에서는 Si-db의 변화가 빨라져서 0.1 시간 안에 증가되었고, Ge-db의 변화는 더 빠르게 수 분 동안에 증가 된후 다시 감소하였다. 이것은 수소의 Si에 대한 친화력 뿐 만아니라 Si-H과 Ge-H 결합에너지가 주위 원자들의 구성에 크게 영향받을 수 있는 가능성을 제시해준다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.55.2-55
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• 1998

다견정 심리판-거l르마늄(JXlly-SiGe)은 TFT(thin-film transistor)와 갇븐 소자 응용에 있어서 중요한 불칠이다 .. LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) 방법으로 비정칠 SiGc (a-SiGe) 박막올 증 착시키고 고상결정화(SPC: solid-phase crystallization)시켜 poly-SiGc옹 얻는 것은 잘 알려져 있다. 그러 나 그러나 PF'||'&'||'pound;VD-SPC 방법올 이용한 poly-SiGc의 제조에 대해서는 아직 두드러지게 연구된 바 없다. 우리단 PF'||'&'||'pound;VD 방법으로 a-SiGc 박막올 증착시키고 고상캘정화시켜 poly-SiGc올 얻었 R며, :~ 결정성, G Gc 농도, 결정핍의 평끌 크기 눔올 XRD (x-ray diffraction) 방법으호 조사하였다. 특히 pr'||'&'||'pound;VD 증착시 가판온도,Gc 함유량 등이 고상화에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. P PECVD 장치는 터보펌프콸 사용하여 71저진공이 2xlOlongleftarrow5 Torr에 이르렀다. 가판윤 SiOOO) 웨이퍼륜 사용하고 기판 온도는 약 150- 35()"C 사이에서 변화되었다. 증착가스는 SiH4, GcH4, 112 등흘 썼다. 증착 압력과 r.f 전력용 각각 O.25ToIT와 3W로 일정하게 하였다 .. Gc 함유량(x)은 x x=O.O-O.5 사이에서 변화되었다 .. PECVD모 증착된 SiGc 박막들은 고상결정화를 위해 $\theta$X)"(:: Nz 분위기에서 24시간동안, 혹은 5OO'C에서 4열간 가열되었다. 고상결정화 후 poly-SiGc 박막은 SiGc(Ill), (220), (311) XRD 피크들올 보여주었으며, 각 피 크들은 poly-Si에 비하여 왼쪽으로 Bragg 각이 이동되었고, Vegard’slaw에 의해서 x의 값올 확 인할 수 있었다. 이것온 RBS 결과와 열치하였다. 약 150-350'C 사이에서 변화된 기판온도의 범위 에서 증착온도가 낮올수콕 견정립의 크기는 대체로 증가하는 것으로 나타났다 .. XHD로 추정된 형 균 결정립의 크기는 최대 약 3$\alpha$1m 정도였다. 또한 같끈 샘플뜰에 대해서 기판온도가 낮올수록 증착속도가 증가함옴 확인하였다 .. Gc 함유량이 x=O.1에서 x=O.5로 증가함에 따라서도 결정립의 크기와 SiGc 증착속도는 증가하는 것으로 나타났다 .. Hwang [1] , Kim[2] 둥의 연구자들은 Gc 함유 량이 증가함에 따라 결정 립 크기가 캄소하는 것올 보고하였으냐, Tsai [3] 둥은 반대의 결과플 보 고하고 Ge 힘유량의 증가시 결정립 크기의 증가에 대해 Gc의 Si보다 낮은 융점 (melting point) 올 강조한 바 있다. 결정립 크기의 증가는 대체로 SiGe 중착속도의 증가와도 관련이 있음올 볼 때, poly-SiGc의 경우에도 polv-Si의 고상화에서와 같이 증착속도가 빠를수록 최종적언 결정럽의 크기가 커지는 것으로 이해될 수도 있다 .. PECVD 증착시 증착속도의 증가는 증착된 박딱에서의 무켈서도를 증 가시킬 수 있음올 고려하면, 이라한 결파플온 p이y-SiGc의 고상결정화에서도 ploy-Si의 고상결정 화에서와 마찬가지로 초기 박막에서의 구조직 무절서도가 클수록, 고상결정화 후 결정 립의 크기 가 커칠 수 있음올 보여준다고 생각휠 수 있다,