• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.1
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• pp.14-19
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• 2001

The crystal size was determined as a function of reaction temperature, during the crystallization process of NaX zeolite. The measured rate constants for linear growth were as 0.0441$\mu\textrm{m}$/h at $80^{\circ}C$, 0.0595$\mu\textrm{m}$/h at $90^{\circ}C$ and 0.0972$\mu\textrm{m}$/h at $100^{\circ}C$, respectively. The activation energy calculated from the relation between the linear growth rate an the reaction temperature was 43.243kJ/mol. The reaction of crystal growth were revealed as 20 days at $80^{\circ}C$, 16 days at $90^{\circ}C$ and 9 days at $100^{\circ}C$, respectively. Both the final product crystal size an the crystallization time were decreased with increasing reaction temperature.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.29 no.3
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• pp.140-142
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• 2019

AlN (Aluminum Nitride) crystal which could be used to substrates for UV LEDs was grown by PVT ((Physical Vapor Transport) method. 3 inch AlN single crystal with a thickenss of 4 mm was grown using Polycrystalline seed for 120 hours. In this report, a result of 3 inch polycrystalline bulk AlN growth behavior using large size crucible and growth condition were reported.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.11 no.2
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• pp.38-49
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• 1974

운모기판에 증착한 비정형 셀레니움 박막의 결정성장의 형태와 그 변태속도에 대하여 연구하였다 열처리된 박막에서 비정질성분은 CS2에 용해되나 결정질은 아무 변화없이 남아 있으므로 쉽게 현미경을 이용하여 그 모양을 조사할 수 있다. 결정은 (30$^{\circ}$~10$0^{\circ}C$ 온도 범위에서) 박막과 운모기관의 경계면을 따라서 원형상(구상 결정의 이차원 적 모양) 중심으로 부터 일정 속도로 자란다. 또한 필라멘트 형태의 결정이 원형상 결정의 비 규칙적인 부분에서 박막을 뚫고 위로 자란다. 이들 필라멘트형 결정은 자유표면에 도달하여 새로이 자유표면을 따라서 원형상으로 자라게 된다. 경계에 있는 원형상 결정의 두께는 약 500$\AA$정도이고 이것이 비정질 세레니움 박막에서 보이는 "어두어 지는" 현상의 원인이 되고 있음이 밝혀졌다. 원형상 결정은 아주 조그마한 결정 "도메인"으로 구성되어 있으며 이들 "도메인"의 축 방향은 경계면과 나란하고 반경방향에 수직으로 되어 있다. 고온처리에서 얻어지는 규칙적인 결정은 이들 "도메인"이 모여서 "라멜라"를 형성하여 중심부에서부터 뻗어나가고 이들 "라멜라"간의 공간은 불규칙적으로 나열된 "도메인"으로 연결되어 있으며, 고분자 결정에 비하여 훨씬 두껍다. 반경 방향으로의 결정성장 속도는 아주 순도가 높은 박막에서는 시간에 따라 일정하고 주어진 온도에서 재현성이 아주 좋다. 이 실험에서 측정된 성장속도는 지금까지 발표된 어느 실험에서 관측된 것보다 빠르고 또 자유표면에서 자라는 속도에 비해서 약 백 여배나 빠르다. 결장 성장의 온도 의존은 u=6$\times$1015 exp[-32.7(kcal/mol)/RT] cm/sec로 표시할 수 있다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.27-31
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• 1997

액상법에 의한 단분산 ZnS입자의 합성을 60~9$0^{\circ}C$에서 행하여, 반응조건이 ZnS입자의 형태에 미치는 효과를 검토했다. ZnS입자의 형태는 반응 시간의 경과와 더불어 단분산으로부터 다분산 혹은 응집체로 변화하였다. 반응 온도 60~9$0^{\circ}C$에서 초기 농도적이 중간값이고, 반응시간이 짧을 경우 입경 0.2~0.8$\mu\textrm{m}$의 구상 단분산 입자를 얻었다. 또한 Ag$_2$NO$_3$, EtOH용액, $0^{\circ}C$에서, Ag$_2$S에 의한 ZnS의 균일 피복이 가능하였다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.173-179
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• 1997

출발원료로 ferric nitrate, ethylene glycol, acethyl acetone 혼합용액을 사용하여 dip-coating된 $\alpha$-Fe$_2$O$_3$막을 제조하였다. coating을 위한 혼합용액의 시간의 경과에 따른 용액내의 가교(polymerization) 효과를 관찰하기 위해서 적외선 분광기(FT-IR)을 사용하였고, 막 형성 시 유기물 분해 및 결정화 시작 온도를 확인하기 위하여 FT-IR, XRD, DSC 등을 이용하여 분석을 행하였다. 또한 각 조건에서 제조된 막은 X-선 회절 분석을 통해 결정상을 확인 하였으며, SEM을 통하여 막의 두께 변화에 대하여 관찰하였다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.81-85
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• 1997

철질화물 및 Mo-Si계 규화물을 합성하기 위하여 실온 메카노케미칼 공정을 적용하였다. 메카노케미칼 처리는 고에너지 유성형 볼밀장치를 사용하였고 용기는 진공배기 후 암모니아 혹은 아르곤 가스로 충전시킨 후 벌밀처리를 행하였다. 분말의 특성평가는 XRD, DTA/DSC, SEM 및 EPMA 등에 의하여 행하였다. 철질화물의 경우 실온에서 최대 23.3 at.%N의 $\varepsilon$상 질화물을 얻을 수 있었다. 또한 Mo-SirP의 경우 100시간 메카노케미칼 처리시킴으로서 MiSi$_2$규화물을 합성할 수 있었으며 얻어진 분말의 결정립은 25cm로 매우 미세한 결정립의 분말재료임이 확인되었다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.21-25
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• 1997

우수한 세라믹스 제조를 위해서는 작은 입자지름, 좁은 입도분포, 구형의 입자형태, dopant와 matrix가 균일한 고용체를 갖고, 응집입자가 없으며 고순도인 원료 분말의 제조가 선행되어야 한다. 이를 위하여 본 연구에서는 수열 합성법을 이용하여$\alpha$-Al$_2$O$_3$, $\alpha$-SiO$_2$, PZT, PSZT, BTO등의 미세분말을 제조하는 공정에서 반응온도, 광화제의 양과 종류, 반응시간, 출발물질의 양과 종류, 전처리공정, 교반공정 등이 평균입자지름과 결정성 및 입도분포에 미치는 영향을 조사하였다. 그결과 미세분말의 종류에 관계없이 반응온도, 반응시간, 성장기질의 농도, 종자결정의 농도 등이 증가할수록 평균입경은 커지며, 광화제의 농도가 증가할수록 평균 입자지름이 작아지고, 광화제의 농도가 종자결정의 농도가 증가할수록 입도분포가 좁아짐을 알 수 있었다. 특히 $\alpha$-SiO$_2$에 대해 수열합성실험으로부터 평균입자지름과 수열합성의 조업변수간의 특성방정식을 얻었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.160-161
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• 2009

마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착(MPCVD) 시스템을 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 나노결정질 다이아몬드 박막을 증착하였다. 공정압력, 마이크로웨이브 전력, Ar/$CH_4$ 조성비를 일정하게 놓고 기판온도를 $400^{\circ}C$ 및 $600^{\circ}C$, 증착시간을 0.5, 1, 4시간으로 변화시켜 박막의 성장 과정을 관찰하였다. 성장 초기에 약 30 nm 크기의 나노 결정립으로 이루어진 구형 입자가 형성되어 시간의 경과에 따라 입자들이 성장하고 4시간 이후에는 입자들이 서로 붙어 완전한 박막을 형성함을 관찰하였다. 같은 증착시간에서 기판온도가 $400^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$로 증가함에 따라 다이아몬드 입자의 크기가 증가하였다. 시간의 경과에 따라 기판 위에서 입자들이 차지하는 면적의 비율은 증가하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.6 no.2
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• pp.129-140
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• 1996

In this study, we have prepared corundum ($\alpha$-Al_{2}O_{3}$) single crystals from aluminum hydroxides by hydrothermal growing process and have investigated the reaction conditions. The hydrothermal conditions were mainly affected by reaction temperature, seed crystal and reaction time. Especially, seed crystal has strong effects on the particle size and crystallity of products. By adding seed crystal in Japanese gibbsite solution as the nutrient, hydrothermal reaction was performed for 2 hours at the reaction temperature of $460^{\circ}C$, to produce corundum powders which had weight mean particle diameter of $11\;\mu\textrm{m}$ with hexagonal crystal, Without adding seed crystal in Russian gibbstite solution, corundum powders that have weight mean particle diameter of $6\;\mu\textrm{m}$ with hexagonal crystals were also formed after 2 hours operation at the reaction temperature of $420^{\circ}C$.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.2
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• pp.324-333
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• 1997

Porous alumina specimens with 80~92% relative densities were prepared from ultrasonic spray pyrolyzed alumina Powders by sintering at $1600^{\circ}$~ $1700^{\circ}C$. The exaggerated grain growth appeared to high sintering temperature and long soaking time. The microstructural development during sintering was investigated using image analysis. In the study of grain growth kinetics for sintering for spray prolyzed alumina powder, the activation energy for normal grain growth was 386.77 kJ/mol.