• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.527-534
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• 1998

Thin film deposition of InN, which is a less-studied III-nitride compound semiconductor because of the difficulty if crystal growth, was performed by rf reactive sputtering method using In target and $N_2$reactive gas. The structrual, electrical, and optical properties of the produced films were measured and disussed according to the sputtering parameters such as deposition pressure, rf power, and substrate temperature. From the result of deposition pressure, rf power, and substrate temperature, we could obtain optimal conditions of 5m Torr, 60W, $60^{\circ}C$ for preparing InN thin film with high crystallinity, low carrier concentration, and high Hall mobility. The carrier concentration, Hall mobility, and optical bandgap of the fabricated InN thin films at optimal condition were $6.242\times10^{18}cm^{-3}, 212.526cm^2/V\cdot$ｓ, and 1.912eV, respectively.

• 비파괴검사학회지
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• 제22권1호
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• pp.32-37
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• 2002

산업현장에서 수소는 설비를 손상시킬 수 있는 주원인 중의 하나이며, 종종 설비를 파괴시키는 사고를 발생시킨다. 수소손상에 의한 결정립계의 공동 또는 미세균열은 강재의 파괴인성과 강도를 떨어뜨리는 원인이 되고, 따라서 과거 제한적인 방법으로 수소손상을 평가하기 위한 시도가 수행되었다. 본 연구에서는 초음파를 적용하여 수소손상을 검출하고 평가하기 위한 연구를 수행하였다. 미세조직 시험에 의해 확인된 시험편을 이용하여 초음파의 속도와 감쇠계수를 구한 결과, 수소손상에 의해서 초음파 속도는 감소하고 감쇠는 현저하게 증가하는 것으로 나타났다. 이러한 결과를 바탕으로 수소손상을 검출하기 위한 신뢰성 있는 평가법을 제시하였다.