• 제목/요약/키워드: 건식 전사

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$CO_2$ 클러스터 표면 처리를 이용한 그래핀 특성 향상에 관한 연구

  • Choe, Hu-Mi;Kim, Jang-A;Jo, Yu-Jin;Hwang, Tae-Hyeon;Lee, Jong-U;Kim, Tae-Seong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.655-655
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    • 2013
  • 그래핀은 높은 전자 이동도, 열전도도, 기계적 강도, 유연성 등의 고유한 특성으로 다양한 분야에 응용하기 위한 연구가 수행되고 있으며, 특히 전자 소자에의 적용에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 전자 소자에 적용하기 위해서는 성장 및 물성에 관한 규명, 응용 소자에 따른 특성 평가가 필요하다. 이러한 소자 특성은 그래핀 물성에 의한 영향이 기본적이지만 에칭, 전사 등의 공정 중 발생하는 오염, 표면 특성, 잔여물 등에 의한 물성 변화 또한 분석 및 제어에 관한 연구가 필요하다. 열화학증착법(thermal chemical vapor deposition)을 이용한 그래핀 합성은 구리 기판을 사용하며, 합성된 그래핀의 에칭, 박리 및 전사 공정이 있다. 이러한 공정 중 발생하는 오염 입자가 그래핀 표면에 흡착되거나, 제거되지 않은 PMMA 잔여물이 그래핀의 특성에 영향을 미치게 된다. 따라서 본 연구에서는 $CO_2$ 클러스터의 표면 충돌을 이용하여 이러한 오염 물질 및 잔여물을 제거하고 그래핀 표면을 평탄화하는 것에 관한 연구를 수행하였다. 가스 클러스터란 작동기체의 분자가 수십에서 수백 개 뭉쳐 있는 형태를 뜻하며 이렇게 형성된 클러스터는 수 nm 크기를 형성하게 된다. 그리고 짧은 시간의 응축에 의해 수십 nm 크기 까지 성장 하게 된다. 클러스터를 이용한 표면 처리는 충돌에 의한 제거에 기반 한다. 따라서 생성 및 가속되는 클러스터로부터 대상으로 전달되는 운동량의 정도가 세정 특성에 영향을 미치며 이는 생성되는 클러스터의 크기에 종속적이다. 생성 클러스터의 크기 분포는 분사거리, 유량, 분사 각도, 노즐 냉각 온도 등의 변수에 관한 함수이다. 본 연구에서는 이러한 변수들을 제어하여 클러스터를 이용한 그래핀 표면 처리 실험을 수행하였다. 평가는 클러스터 표면 처리 전과 후의 특성 비교에 기반 하였으며, 광학 현미경을 이용한 표면 형상 측정, 라만분광 분석, AFM을 이용한 표면 조도 측정, 그래핀 면저항 측정 결과를 비교하였다. 평가 결과를 통하여 표면 처리를 하지 않은 그래핀에 비하여 면저항과 표면 조도가 낮아지는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 클러스터 세정은 300 mm 웨이퍼 크기 이상의 대면적을 짧은 시간에 건식으로 세정할 수 있다는 장점이 있어 향후 최적화를 통해 그래핀 양산 시 특성 향상을 위한 후처리 방법으로 사용될 수 있음을 확인하였다.

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Enhancement of Light Extraction Efficiency of OLED Using Si3N4 Nano Pattern on Glass Substrate

  • Park, Sang-Jun;Jo, Jung-Yeon;Kim, Yang-Du;Yu, Sang-U;Heo, Ju-Hyeok;Seong, Yeong-Hun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.251.1-251.1
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    • 2014
  • Oraganic Light Emitting Diodes (OLED) 소자의 광추출 효율을 향상시키기 위한 방안으로 나노급 사이즈의 고 굴절률 패턴을 기판의 내부 패턴에 적용하였다. 100 nm 및 300 nm의 직경을 갖는 Si3N4 나노 패턴을 나노 임프린트 리소그래피와 건식 식각 공정을 통하여 OLED의 유리기판에 형성을 하였다. 그리고 Silicon On Glass (SOG) 물질을 패턴이 전사된 기판에 스핀 코팅으로 평탄화 공정을 진행 함으로써 OLED소자의 전기적인 특성이 떨어지는 문제점을 개선하였다. 그러고 나서 Si3N4 나노 패턴이 형성되고 평탄화 공정을 마친 기판상 OLED 소자를 제작하였다. OLED의 발광층에서 발생한 빛은 Si3N4 나노패턴에 의해 산란되어 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 본 연구에서 두 가지 종류 100nm, 300nm 높이의 Si3N4 나노패턴으로 높이에 따른 광 추출 효율을 비교하고자 OLED 소자를 제작하였다. 기판에 Si3N4 패턴이 형성된 OLED의 효율은 Si3N4 300nm에서 13.1% 증가하였다.

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수직형 LED 소자의 광출력 향상을 위한 나노 패터닝 공정

  • Byeon, Gyeong-Jae;Park, Hyeong-Won;Jo, Jung-Yeon;Lee, Seong-Hwan;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
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    • pp.32.2-32.2
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    • 2010
  • 본 연구에서는 고출력, 고휘도를 위해서 개발되고 있는 수직형 LED소자의 광출력향상을 위한 나노 패터닝 공정을 진행하였다. 수직형 LED는 기존 측면형 LED에 비해서 열방출 특성이 우수하고 대면적 칩으로 제작이 가능하기 때문에 높은 광출력이 필요한 조명 분야로의 적용이 가능하다. 하지만 수직형 LED 역시 기존 측면형 LED와 마찬가지로 질화갈륨 및 외부 공기와의 계면에서 전반사가 심하기 때문에 광추출효율이 낮은 문제점이 있으며 이를 해결하는 것이 큰 이슈가 되고 있다. 이를 해결하기 위해서 광결정 패턴을 LED 소자에 형성하여 광추출효율을 향상시키려는 연구가 활발히 진행되고 있으나 아직까지 수직형 LED 웨이퍼 전면적에 균일한 패턴을 형성할 수 있는 기술 개발이 미진한 상황이다. 본 연구에서는 유연 고분자 몰드를 이용한 대면적 나노 임프린팅 및 나노 프린팅 기술을 통해서 2 inch 수직형 LED 웨이퍼 전면적에 균일한 패턴을 전사하는 공정을 진행하였다. 구체적으로는 나노임프린트 및 건식식각 공정을 통해서 수직형 LED의 n형 질화갈륨 층에 높은 가로세로비의 광결정 패턴을 형성하였으며 이를 통해서 약 40% 정도의 광출력이 향상되었다. 또한 고 굴절률의 산화아연 나노 패턴 형성공정을 대면적 LED 기판에 시도하였다.

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Partially Dry-Transferred Graphene Electrode with Zinc Oxide Nanopowder and Its Application on Organic Solar Cells (ZnO 나노 분말 코팅 기반 건식전사 그래핀 전극 제작 및 유기태양전지 응용)

  • Jo, Yeongsu;Woo, Chae Young;Hong, Soon Kyu;Lee, Hyung Woo
    • Journal of Powder Materials
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    • 제27권4호
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    • pp.305-310
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    • 2020
  • In this study, partially dry transfer is investigated to solve the problem of fully dry transfer. Partially dry transfer is a method in which multiple layers of graphene are dry-transferred over a wet-transferred graphene layer. At a wavelength of 550 nm, the transmittance of the partially dry-transferred graphene is seen to be about 3% higher for each layer than that of the fully dry-transferred graphene. Furthermore, the sheet resistance of the partially dry-transferred graphene is relatively lower than that of the fully dry-transferred graphene, with the minimum sheet resistance being 179 Ω/sq. In addition, the fully dry-transferred graphene is easily damaged during the solution process, so that the performance of the organic photovoltaics (OPV) does not occur. In contrast, the best efficiency achievable for OPV using the partially dry-transferred graphene is 2.37% for 4 layers.

Special Purpose Company and Drama Production: A Case Study of KGCS (방송드라마 제작방식으로서 문화산업전문회사에 대한 연구: KGCS문화산업전문회사를 중심으로)

  • Yu, Konshik;Moon, Sanghyun
    • The Journal of the Korea Contents Association
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    • 제14권2호
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    • pp.172-180
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    • 2014
  • The purpose of this study is to examine how the Munjeonsa(SPC) has influenced the way terrestrial broadcasting networks produce drama. The study has three research objectives. First, this study investigates why the networks use SPC for drama production. Second, the study examines the features in the process of the setup and operation of SPC. Third, the study identifies the impacts of SPC on networks' drama production. This study analyzes which was produced by KBS SPC. The results of this study are as follows. First, networks introduce SPC to procure an enormous production costs and to manage the production system transparently and efficiently. Second, the feature of networks' SPC(KGCS SPC) is that it has a unique dual structure with main and project SPC. Third, SPC influences drama production system in various ways; revitalization of external investment, accounting transparency, growing of network's planning dramas, securing intellectual properties and revenue diversification.

Fabrication of Nanopatterned Oxide Layer on GaAs Substrate by using Block Copolymer and Reactive Ion Etching (블록 공중합체와 반응성 이온식각을 이용한 GaAs 기판상의 나노패터닝된 산화막 형성)

  • Kang, Gil-Bum;Kwon, Soon-Mook;Kim, Seoung-Il;Kim, Yong-Tae;Park, Jung-Ho
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • 제16권4호
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    • pp.29-32
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    • 2009
  • Dense and periodic arrays of nano-sized holes were patterned in oxide thin film on GaAs substrate. To obtain the nano-size patterns, self-assembling diblock copolymer was used to produce thin film of uniformly distributed parallel cylinders of polymethylmethacrylate (PMMA) in polystyrene (PS) matrix. The PMMA cylinders were removed with UV expose and acetic acid rinse to produce PS nanotemplate. By reactive ion etching, pattern of the PS template was transferred to under laid silicon oxide layer. Transferred patterns were reached to the GaAs substrate by controlling the dry etching time. We confirmed the achievement of etching through the removing oxide layer and observation of GaAs substrate surface. Optimized etching time was 90 to 100 sec. Pore sizes of the nanopattern in the silicon oxide layer were 20~22 nm.

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