• 센서학회지
• /
• 제19권2호
• /
• pp.137-141
• /
• 2010

In this paper, we fabricated silicon piezoresistive pressure sensor with dry etching technology which used Deep-RIE and etching delay technology which used SOI(silicon-on-insulator) wafer. We improved pressure sensor offset and its temperature dependence by removing oxidation layer of SOI wafer which was used for dry etching delay layer. Sensitivity of the fabricated pressure sensor was about 0.56 mV/V${\cdot}$kPa at 10 kPa full-scale, and nonlinearity of the fabricated pressure sensor was less than 2 %F.S. The zero off-set change rate was less than 0.6 %F.S.

• 전자공학회논문지A
• /
• 제30A권1호
• /
• pp.16-22
• /
• 1993

A via-hole process for reproducible and reliable GaAs MMIC fabrication is described. The via-hole etching process consists of two step dry etching. During the first etching step a BC $I_{3}$/C $I_{2}$/Ar gas mixure is used to achieve high etch rate and small lateral etching. In the second etching step. CC $L_{2}$ $F_{2}$ gas is used to achieve selective etching of the GaAs substrate with respect to the front side metal layer. Via holes are formed from the backside of a 100$\mu$m thick GaAs substrate that has been evaporated initially with 500.angs. thick chromium and subsequently a 2000.angs. thick gold layer. The fabricated via holes are electroplated with gold (~20$\mu$m thick) to form via connections. The results show that established via-hole process is satisfactory for GaAs MMIC fabrication.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2005년도 춘계학술발표대회 및 제8회 신소재 심포지엄 논문개요집
• /
• pp.55-55
• /
• 2005

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권8호
• /
• pp.731-735
• /
• 2003

Ti-indiffused LiNbO$_3$waveguide have been used to various high speed optical device based on electro-optic effect such as modulators, switches, and sensor, etc. In order to high speed modulation of optical modulator have, one of the further devices, needed to increasing of electrode surrounding air by LiNbO$_3$dry etching because of impedance matching for optical and RF phase velocity between waveguide and electrode. We studied property of LiNbO$_3$dry etching after waveguide patterning lot optical modulation by using neutral loop discharge (NLD) plasma.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제53권2호
• /
• pp.62-66
• /
• 2004

This paper investigated the characteristics of a newly developed high density hollow cathode plasma (HCP) system and its application for the etching of silicon wafers. We used SF$_{6}$ and $O_2$ gases in the HCP dry etch process. Silicon etch rate of $0.5\mu\textrm{m}$/min was achieved with $SF_6$$O_2$plasma conditions having a total gas pressure of 50mTorr, and RF power of 100 W. This paper presents surface etching characteristics on a crystalline silicon wafer and large area cast type multicrystlline silicon wafer. The results of this experiment can be used for various display systems such as thin film growth and etching for TFT-LCDs, emitter tip formations for FEDs, and bright plasma discharge for PDP applications.s.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.156-157
• /
• 2007

나노임프린팅 기술을 이용하여 원기둥형 나노 패턴을 갖는 도광판을 제작하였다. 나노 임프린트 공정을 이용하기 위해서는 니켈 스탬퍼가 필요하기 때문에 이를 제작하기 위하여 실리콘 웨이퍼 상에 건식식각을 이용하여 실리콘 몰드를 제작하였다. 제작된 실리콘 몰드를 전주도금을 이용하여 니켈 스탬퍼를 제작하였다. 제작된 니켈 스탬퍼를 사용한 나노임프린트 공정을 통해 원기둥 나노패턴을 갖는 도광판을 제작하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.62-62
• /
• 2010

근래 실리콘 나노선을 이용한 FET타입의 바이오 센서로의 응용 연구가 활발하다. 본 연구에서는 top-down 방식으로 제작한 실리콘 나노선의 전자수송 특성을 측정 분석하여 실리콘 나노선의 기하학적 변수에 따른 수송 변수를 추출하였다. 두께가 40 nm인 SOI wafer로부터 출발하여 일반적인 포토리소그라피와 건식식각 공정을 통하여 선폭이 100-300 nm 그리고 길이가 2-20 mm인 실리콘 나노선을 제작하고 resistance 및 transconductance를 측정하여 전하농도와 이동도의 선폭에 대한 의존도를 얻었다. 이를 바탕으로 bare surface, OH-activated surface, APTES-treated surface등 실리콘 표면상태에 따른 표면전하의 시간에 대한 진화과정을 모니터 할 수 있었으며, 또한 PBS 용액상태에서 pH를 변화시킴에 따른 전하수송 특성곡선의 변화를 연구하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2005년도 춘계학술발표대회 및 제8회 신소재 심포지엄 논문개요집
• /
• pp.73-73
• /
• 2005

• ETRI Journal
• /
• 제10권1호
• /
• pp.96-108
• /
• 1988

반도체 소자의 집적도가 증가하고 최소선폭이 감소함에 따라 소자가공시 그것이 중간중첩 정도(overlay accuracy)에 미치는 요인을 파악하였고, 광학적 노광장치에서 오는 한계성을 촛점심도(depth of focus) 측면에서 고찰하였으며, 차세대 노광장치인 전자빔 및 X-선 노광장치에 대해 그 장단점을 파악하여 $0.5\mum$ 이하 선폭 가공시 적당한 노광장치에 대해 기술하였다. 또한 이상적인 패턴 전사를 위한 건식식각시의 여러 문제점을 나열하고 그 해결책을 논하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2007년도 제32회 학술대회 초록집
• /
• pp.90-90
• /
• 2007