• 제목/요약/키워드: 갭 정션

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금붕어의 동작 감지에 미치는 갭 정션의 역할: 시각운동 반응 측정 (The Role of Gap Junction in the Goldfish's Motion Detection Measured with Optometer Response)

  • 이영섭;윤영현;정창섭
    • 한국의학물리학회지:의학물리
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    • 제17권4호
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    • pp.252-259
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    • 2006
  • 갭 정션(gap junction)은 다양한 세포에 분포되어 있으며 분자 수준의 작은 물질들이 자유롭게 교환되는 전기적 시냅스다. 망막에서, 갭 정션의 차단이 동물의 동작 감지(motion detection)에 실제적으로 어떤 영향을 주는지에 대해서는 거의 조사되지 않았다. 본 연구에서는, 망막 세포간의 전기적 시냅스를 조절하는 약물이 금붕어의 동작 감지에 어떠한 영향을 주는지를 조사하기 위해 시각운동 반응(optometer response, OMR)이 사용되었다. 갭 정션 차단제인 carbenoxolone, 8-bromo cyclic AMP, sodium nitroprusside (SNP), 8-bromo-cyclic GMP 등의 초자체 내 주사는 광- 및 암-상태에서 모두 OMR을 감소시켰다. 광-상태에서 dopamine, SKF-38393 및 eticlopride의 주사는 OMR을 감소시킨 반면 SCH-23390의 주사는 OMR을 증가시켰다. 암-상태에서는 결과가 반대로 나타났다: 즉 dopamine, SKF-38393 및 eticlopride의 주사는 OMR을 증가시킨 반면 SCH-23390의 주사는 OMR을 감소시켰다. 이러한 결과는 망막 세포들 사이의 갭 정션이 금붕어의 동작 감지에 중요한 역할을 담당하고 있음을 시사한다.

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고밀도 나노선을 이용한 태양전지 구현 및 특성 분석

  • 김명상;황정우;지택수;신재철
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.323-323
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    • 2014
  • 기존의 태양전지 기술은 기술 장벽이 매우 낮고 대량 생산을 통한 단가 절감하는 구조를 가지고 있어 대규모 자본을 가진 후발 기업에게 잠식되기 쉽다. 그러나, III-V족 화합물 반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지는 기술 장벽이 매우 높은 기술 집약 산업이므로 독자적인 기술을 확보하게 되면 독점적인 시장을 확보 할 수 있어 미래 고부가 가치 산업으로 적합하다. 특히 III-V족 화합물 반도체 태양전지는 III족 원소(In, Ga, Al)와 V족 원소(As, P)의 조합으로 0.3 eV~2.5 eV까지 밴드갭을 가지는 다양한 박막 제조가 가능하여 다양한 흡수 대역을 가지는 태양전지 제조가 가능하기 때문에 다중 접합 태양전지 제작이 가능하다. 또한 III-V 화합물 반도체는 고온 특성이 우수하여 온도 안정성 및 신뢰성이 우수하고, 또한 집광 시 효율이 상승하는 특성이 있어 고배율 집광형 태양광 발전 시스템에 가장 적합하다. Si 태양전지의 경우 100배 이하의 집광에서 사용하나, III-V 화합물 반도체 태양전지의 경우 500~1000배 정도의 고집광이 가능하다. 이러한 특성으로 III-V 화합물 반도체 태양전지 모듈 가격을 낮출 수 있고, 따라서 Si 태양전지 시스템과 비교하여 발전 단가 면에서 경쟁력을 확보할 수 있다. III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널정션(tunnel junction)을 이용하면 광학적 손실과 전기적 소실을 최소화 하면서 다양한 밴드갭을 가지는 태양전지를 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지며 효율이 높은 다중접합 태양전지 제작이 가능하다. 이에 걸맞게 본연구에서는 화학기상증착장치(MOCVD)를 이용하여 InAsP 나노선을 코어 쉘 구조로 성장하여 태양전지를 제작하였다. P-type Dopant로는 Disilane (Si2H6)을 전구체로 사용하였다. 또한 Benzocyclobutene (BCB) 폴리머를 이용하여 Dielectric을 형성하였고 Sputtering 방법으로 증착한 ZnO을 투명 전극으로 사용하여 나노선 끝부분과 실리콘 기판에 메탈 전극을 형성하였다. 이를 통해 제작한 태양전지는 솔라시뮬레이터로 측정했을때 최고 7%에 달하는 변환효율을 나타내었다.

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