본 연구에서는 ITZO를 용액으로 제작하여, $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 표면 및 광학적 특성을 분석하였다. 열처리 전 처리시간(0초~70초)을 가변하여 $O_2$ 플라즈마 처리하였다. 박막의 표면 상태를 RMS (Root Mean Square)로 비교하였다. 처리 전 표면의 거칠기는 1.38 nm이고, 50초에서 0.67nm로 표면의 상태가 좋아지며, 이후에는 RMS가 증가하여 표면 상태가 안 좋아짐을 확인하였다. 50초까지는 $O_2$ 플라즈마 처리를 통해 표면 상태의 개선된 효과를 얻을 수 있지만, 70초 이후에는 표면이 에칭되어 저하된 특성을 보이는 것을 확인하였다. 광학적 특성은 투과도와 밴드갭으로 차이를 확인하였다. 가시광선 영역 (380 nm~770 nm)에서의 투과도는 92%에서 90%로 감소하였고, 밴드갭은 3.64eV에서 3.57eV로 줄어들었다. $O_2$ 플라즈마 처리 시간에 따라 개선효과를 얻을 수 있지만, 70초 이후에는 표면에 결함을 야기하여 표면 및 광학적 특성의 저하를 보였다.
낙뢰에 대한 전력계통의 적절한 보호를 위해서 피뢰기/아킹혼의 적절한 보호작동 설계가 필요하다. 피뢰기/아킹혼은 낙뢰에 의해 이상전압 발생시 섬락 동작을 통하여 계통을 보호하므로, 절연파괴 특성에 대한 상세한 연구가 필요하다. 본 논문에서는 피뢰기/아킹혼의 섬락동작에 직접적인 영향을 주는 절연갭의 미세조정에 따른 절연파괴 특성에 대한 연구를 실험적으로 수행하였다. 실험 결과, 갭간격이 증가할수록 절연파괴전압은 증가하고, 그 증가폭은 지수적으로 감소하는 전형적은 방전 특성을 확인하였으며, 그 상세한 변화 값을 측정하였다. 또한 표준 갭간격에서의 섬락특성과 섬락전압 분포도를 구하여 절연협조 상태를 분석하였다.
전자빔증착기를 이용하여 적외선영역에서 직접천이형 에너지갭을 갖는 III-V족 2원화합물반도체인 InSb박막을 제작하여 전기-자기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 증착된 박막의 X-선회절법으로 분석한 결과, 열처리온도 5$25^{\circ}C$, 열처리시간 30분 열처리한 박막에서 In2O3피크가 없어지고, InSb피크만 나타났으며, 이때의 격자상수 a0=6.49$\AA$이었다. 기판온도가 증가할수록 InSb박막의 결정화가 일어나 전자이동도는 증가하고 비저항은 감소하였다. 온도 100~300K, 자계 500~9000 gauss범위에서 van der ppauw법에 의한 홀효과를 측정한 결과 증착된 박막의 전도형은 n형이었고, 상온에서 캐리어농도는 2.5$\times$10-16cm-3이었으며, 캐리어농도는 2.83$\times$104$\textrm{cm}^2$/V-sec이었다. 적외선 분광기로 측정한 InSb박막의 광학적 에너지갭은 기판온도가 증가할수록 InSb의 에너지갭에 해당하는 값으로 이동하였으며, 기판온도 30$0^{\circ}C$, 열처리온도 5$25^{\circ}C$일 때 측정한 값은 0.173eV였다.
공기 갭을 갖는 일축성 기판위에 마이크로 패치 안테나의 공진 주파수가 full-wave approach와 모멘트 계산법을 이용하여 연구되었다. 일축성 매질내의 구성관계식을 통하여 제안된 구조에서의 파수영역 다이애딕 그린 함수를 유도하였으며 이 결과로부터 전계 적분 방정식을 수식화하였다. 갤러킨 모멘트법을 사용하여 전계 적분 방정식을 이산화 하였으며 기저함수의 선택은 수치 해석적 수렴을 고려하여 패치 위의 실제 전류밀도와 가장 유사한 형태인 정현적 기저함수를 선택하였다. 전사모의 실험 결과의 타당성을 검증하기 위해서 기존의 결과와 비교하여 일치된 결과를 얻었다. 공기 갭의 두께와 패치 길이, 이방성 비의 변화에 따른 공진 주파수가 제시되고 분석되었다.
최근 전세계적으로 유가상승 및 환경에 대한 관심이 증대되면서 자동차 업계에서는 차량 경량화를 통한 연비향상에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 대표적인 기술개발 사례로서 초경량 철강 차체의 개발을 들 수 있다. 이는 고장력강을 적용함으로써 강성을 증대시킴과 동시에 두께감소에 의한 경량화를 이루고자 추진되고 있다. 하지만 고장력강은 자체의 높은 강성을 지니고 있는 반면, 일반 강종에 비해서 스프링백이 크고 용접성도 많이 떨어지는 제약을 안고 있다. 아크 용접법 중 하나인 AC pulse MIG 용접은 DCEP (direct current electrode positive) 와 DCEN (direct current electrode positive) 구간이 주기적으로 반복하는 용접법으로 스패터 발생이 거의 없으며 특히 갭 접합성이 우수하여 자동차 차체 조립공정에 적용되고 있다. 본 연구에서는 자동차 차체용 AHSS 소재의 겹치기 용접 실험을 통해 실제 생산라인에서 용접 이음부에 발생되는 갭에 대해 강건한 용접 공정 조건을 제시하였다. 먼저 고속카메라 촬영을 통해 AC pulse MIG 용접에서 EN ratio 변화에 따른 와이어 용융현상을 분석 하였으며 단면마크로, 인장시험, 인장 파단면 분석을 통해 겹치기 용접에서 0~2mm 사이의 갭 발생에 강건한 용접 조선을 제시하였다.
트랜지스터 응용 등에 관한 연구가 활발해 지면서 에너지 밴드갭이 0 eV에 가까운 그래핀 이외의 밴드 갭 조절이 가능한 MoS2 (molybdenum disulfide), BN (boron nitride), Bi2Te3 (bismuth telluride), WS2 (tungsten disulfide) 등과 같은 이차원 Transition Metal DiChalcogenides (TMDC) 물질이 반도체 물질로 각광받고 있다. 특히 MoS2의 경우 단결정 덩어리 상태에서는 약 1.3 eV의 밴드갭을 가지나 두께가 줄어들어 두 층일 경우에는 약 1.65 eV, 단일층이 되면 약 1.9 eV의 밴드갭을 가져 박막 층수에 따라 에너지 밴드갭 조절이 가능한 것으로 알려져있다. 하지만 두께 조절이 가능하면서 대면적, 고품질을 가지는 MoS2 박막 합성은 아직 제한적이라 할 수 있으며 새로운 방법 및 물질에 대한 연구가 지속적으로 이루어 지고 있다. 따라서 본 연구에서는 다양한 층수를 지니는 MoS2 합성을 위해 나노 두께의 MoS2 박막을 CF4 plasma 를 이용하여 layer etching 진행하고 CF4 plasma 100초 etching 진행한 2 layer 두께의 MoS2를 기준으로 H2S plasma를 이용하여 treatment 진행하였다. 물리적, 화학적 분석은 Raman spectroscopy, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy), AFM (Atomic Force Microscopy) 등을 이용해 진행하였고 이를 통해 MoS2 layer 감소 및 damage recovery 등을 확인하였다.
실제(實際)GDP와 잠재(潛在)GDP의 차이로 정의되는 GDP갭의 변화는 경기변동(景氣變動)을 반영하는 동시에 실물경제의 흐름과 물가압력을 연계하는 거시경제변수라고 할 수 있다. 그러나 통상적인 의미의 GDP갭은 경기변동의 근원적(根源的) 요인(要因)(sources of business cycle) 에 대한 설명력이 결여되어 있음을 감안하여 본고(本稿)에서는 주로 경제의 총수요(總需要) 측면에 초점을 맞추어 GDP갭을 추정하였다. 추정된 GDP갭의 변화패턴이 경기변동의 정점(頂點)및 저점(底點)과 거의 일치(一致)하는 동시에 과거 경제운영 과정에서의 주요 정책변화(政策變化)와 일관성(一貫性)을 보이고 있어 현실경제에 대한 설명력이 높은 것으로 평가(評價)된다. 또한 추정된 GDP갭은 수요봉인(需要奉引)에 의한 물가상승(物價上昇)과 밀접하게 연계되어 있으며, 총통화(總通貨) 및 금리(金利)의 변화(變化)와도 높은 상관관계를 나타내고 있다. 경기변동(景氣變動)의 요인(要因)을 수요(需要)측면과 공급(供給)측면으로 구분하여 살펴본 결과 수요변화는 단기적인 성장효과에도 불구하고 장기적(長期的)으로는 물가(物價)에 보다 큰 영향을 미치고 있는 반면, 공급측면의 변화는 장단기(長短期) 모두에 있어서 성장(成長)과 물가(物價)에 지속적인 영향을 미치는 것으로 추정되었다. 또한 물가안정을 위한 총수요긴축(總需要緊縮)에 수반되는 단기적인 성장둔화(成長鈍化) 효과가 상대적으로 큰 것으로 나타나고 있으며, 우리 경제의 높은 해외의존도(海外依存度)로 인하여 해외(海外)로부터의 공급충격에 따른 실물부문(實物部門)의 경기변동이 적지 않았다는 결과가 도출되었다. 이러한 실증분석 결과의 시사점은 (1) 물가안정에 수반되는 경제적(經濟的) 비용(費用)이 크므로 처음부터 물가압력(物價壓力)이 확대되지 않도록 경제(經濟)를 안정적(安定的)으로 운영하는 것이 바람직하며, (2) 자본자유화(資本自由化) 등의 진전으로 실물부문뿐만 아니라 금융부문(金融部門)도 해외(海外)로부터의 공급충격에 직면하게 될 것으로 예상되므로 임금(賃金) 등의 요소비용(要素費用) 안정과 함께 구조조정(構造調整) 및 경쟁(競爭) 촉진(促進) 등을 통하여 경제의 체질(體質)을 개선(改善)하는 노력이 요구된다는 것으로 요약할 수 있다.
본 논문은 갭 슬리브 모노폴 구조를 갖는 DTV 실내 수신용 안테나를 제안하였다. 제안한 안테나는 슬리브 모노폴 기본 구조와 갭 슬리브를 이용하였다. 안테나를 최적화 하기위해 복사기와 슬리브 사이 갭 조정, 슬리브와 그라 운드 사이 갭을 조정하였다. 안테나 파라미터 특성을 확인하기 위해 ANSYS사의 HFSS를 이용하였다. 안테나 제작을 위해 비유전율이 4.7인 FR4 유전체 기판을 사용하였다. 안테나의 크기는 $213{\times}40{\times}1.6mm$이다. 제작된 안테나의 주파 수대역은 432MHz~827MHz이고, 대역폭은 395MHz이다. 최대 안테나 이득은 2.19dBi이다. 시뮬레이션과 측정 데이터 를 비교분석한 결과 간격 슬리브 구조를 갖는 DTV 실내 수신용 안테나의 실용화 가능성을 확인할 수 있었다.
GDP갭(gap)이란 잠재GDP와 실제GDP의 격차로서 산출갭(Output gap)이라고도 한다. 잠재GDP는 노동, 자본 등 생산요소를 완전히 활용하여 달성할 수 있는 최대GDP라고 정의할 수 있다. GDP갭은 수요-공급간 불균형을 의미한다고 할 수 있으며 이러한 특성 때문에 물가 및 고용안정을 추구하는 중앙은행들은 정책수행과정에서 GDP갭을 중요한 정보변수로 활용하고 있다. 본 연구에서는 우리나라의 GDP갭을 그간 선행연구에서 사용하였던 필터링 방법에 의해 분해함으로써 GDP갭 변동을 야기하는 주요 요인이 무엇인지 살펴보았다. Fox 등 (2003)와 Fox와 Zurlinden (2006)에서 사용되었던 Super Smoother 알고리즘을 이용하여 우리나라의 명목GDP갭을 분해해 본 결과 이론적인 설명에 부합하는 것으로 나타났다. 명목GDP갭률 변동의 상당부분은 잔차인 총요소생산성으로 설명됨을 알 수 있었는데, 이는 최근들어 급격한 기술변화 및 환경변화 등 생산성 변화가 GDP변동에 큰 영향을 주고 있음을 의미한다. 다른 나라의 경우와 마찬가지로 국내물가의 영향력도 높은 것으로 나타났지만 대외 의존도가 높은 우리 경제의 특성상 교역조건의 변동 역시 상대적으로 명목GDP 움직임에 큰 영향을 주고 있는 것으로 분석되었다.
본 연구에서는 a-InGaZnO (IGZO) 활성층에 대기분위기에서 열처리 온도를 각각 $150^{\circ}C$, $250^{\circ}C$, $350^{\circ}C$ 실시하여 전자구조와 광학적 특성분석 및 화학적 결합 상태의 변화를 알아보고, 이러한 물성 변화에 따른 소자의 특성을 알아 보았다. 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성은, IGZO 박막에 후 열처리 공정온도 후 제작한 박막 트랜지스터는 $150^{\circ}C$에서 3.1 cm2/Vs의 전계 효과 이동도와 0.38 V/decade의 문턱전압 이하 기울기를 보였으나, $350^{\circ}C$에서는 8.8 cm2/Vs의 전계 효과 이동도와 0.20 V/decade의 문턱전압 이하 기울기로 더 향상된 박막 트랜지스터의 전기적 특성 결과를 관측하였다. 전기적 소자 특성의 변화와 활성층 IGZO 박막 특성 변화와의 상관관계를 조사하기 위하여 X-ray Absorption Spectroscopy (XAS)과 Spectroscopy Ellipsometry (SE)로 측정된 흡수 스펙트럼을 통하여 3 eV 이상의 광학적 밴드 갭은 기존에 보고 되었던 a-IGZO와 유사한 특성을 보이고 있음을 확인하였고, 이러한 측정, 분석법들을 통해 후 열처리 공정 온도에 따른 밴드 갭 부근의 결함준위의 양 변화와 가전자대의 전자구조의 변화에 따라 전기적 특성이 달라짐을 확인 할 수 있었다. 또한, X-ray Photoemission Spectroscopy (XPS)를 통해 측정한 O-1s를 통해 Oxygen deficient state와 밴드 갭 부근의 결함준위와의 상관관계를 도출해낼 수 있었다. 이는 a-IGZO 활성층에 후 열처리 공정 온도 변화에 따라서 전자구조의 혼성변화와 밴드 갭 부근의 결함준위의 양의 변화, 에너지 준위의 변화 및 이와 연관된 화학적 상태 변화가 박막 트랜지스터의 특성 변화를 예상할 수 있다는 결과를 도출하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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