• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
• /
• v.21 no.8
• /
• pp.20-26
• /
• 2007

A high ignition voltage is required to turn on the metal halide discharge(MHD) lamp. The igniter with high frequency resonance circuit needs more devices, such as sidac, arc-gab, SCR(silicon control rectifier), DIAC and so of which increase the complexity and decrease the reliability of the ignitor. This paper analyzes and designs a simple LC resonance type igniter without any extra switch devices. Moreover, the igniter will not influence the steady-state operation of the lamp. Through the mathematical analysis, the computer simulation and experiment results of a prototype ballast for 1[kW] metal halide lamp(MHL) lamp, the proposed igniter was verified to be effective.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2011.05a
• /
• pp.24-24
• /
• 2011

ZnO 직접 천이형의 와이드밴드갭 화합물 반도체로써 높은 엑시톤 결합 에너지를 가짐으로 해서 광전자나 광학디바이스로의 넓은 응용범위를 갖고 있다. 최근들어 ZnO의 비선형 광학 특성이 보고 됨으로써 새로운 광학 재료로서의 연구도 기대되고 있다. 본연구에서는 새로운 주기적 반전 구조를 제안함으로 해서 극성을 가지는 화합물 반도체의 비선형 광학 디바이스로의 응용 범위를 넓히고자 한다. ZnO는 Wurtzite 구조를 가짐으로 해서 성장 방향으로 Zn-극성 및 O-극성을 가지게 된다. 이런 자연 발생적인 극성에 의해 물리적, 화학적, 광학적 특성들이 바뀌게 됨으로, 극성의 제어는 재료의 특성을 극대화 시키기 위해 아주 중요한 항목이 되어 있습니다. 본 연구에서는 손쉽고 재현성이 확보되는 방법으로써, CrN 와 Cr2O 3의 완충층을 제안하여 ZnO 극성의 제어를 이루었고, 제안된 극성 제어 방식을 이용하여 주기적으로 Zn-극성과 O-극성이 배열된 구조(PPI 구조)를 형성 하였다. 패터닝과 재성장 방법을 통해서 다양한 구조와 사이즈의 1D, 2D PPI ZnO를 제작하는데 성공하였다. 주기적인 반전구조의 제작을 확인하기 위해 PRM(piezo response miscosocpy)이라는 방법을 통하여 주기적 극성 선택성을 확인하였으며, TEM과 PL 분석법을 통하여 구조적 광학적 특성을 분석하였다. 새롭게 제안된 극성 제어 방식을 이용하여 제작된 PPI 구조를 이용하여 비선형 광학소자로의 응용성을 확인하였다. 본발표에서는 PPI ZnO 구조의 형성방법, 분석 및 응용에 대한 제안과 결과가 논의될 것이다.

• The Journal of Society for e-Business Studies
• /
• v.9 no.3
• /
• pp.145-154
• /
• 2004

Class extraction of object or component based software development methodology is the major factor for software quality. Each method has the class definition and extraction method however there are some troubles when the beginners try. Especially, the conceptual gap results to make the class extraction hard. This research suggests three diagrams to support it. They are Information diagram, Behavio diagram and Management diagram. They specify which services a stakeholder wants, which information to support the service, which actions to solve the service and who has the responsibility for those. Any analysis process which takes class extraction can utilize these diagrams.

• KDI Journal of Economic Policy
• /
• v.13 no.3
• /
• pp.31-53
• /
• 1991

본고(本稿)에서는 구조적(構造的) 재정수지(財政收支) 분석(分析)을 통하여 1972년 이후의 중앙정부(中央政府) 재정운용(財政運用)을 경기조절적(景氣調節的) 측면(側面)에서 평가(評價)하고 향후(向後) 정책방향(政策方向)을 모색해 보고자 하였다. 분석결과에 의하면 구조적(構造的) 재정수지(財政收支)는 1970년대 중반까지 계속 적자(赤字)를 보여 왔으나, 1970년대 후반 이후의 재정적자축소노력(財政赤字縮小努力)으로 인해 1980년대에는 실제재정수지(實際財政收支)의 적자(赤字)에도 불구하고 구조적(構造的)으로는 흑자기조(黑字基調)로 반전하였던 것으로 나타났다. 그러나 1988년 이후 중앙정부(中央政府) 세출규모(歲出規模)의 빠른 증대로 인하여 구조적(構造的) 재정수지(財政收支)는 다시 적자기조(赤字基調)가 심화되고 있는 것으로 나타났다. 또한 재정(財政)의 경기조절적(景氣調節的) 역할(役割)을 평가해 볼 경우, 세입(歲入)의 자동조절적(自動調節的) 변화분(變化分)은 경기변동(景氣變動)에 의해 발생되는 명목(名目)GNP갭의 15~18%를 흡수함으로써 총수요안정(總需要安定)에 중요한 역할을 하는 것으로 나타난 반면, 구조적(構造的) 재정기조(財政基調)의 변화(變化)는 1980년대 초반을 제외하고는 경기동행적(景氣同行的) 추세(趨勢)를 보이고 있는 것으로 나타나 그동안 재정부문(財政部門)의 경기조절적(景氣調節的) 역할수행(役割遂行)이 미흡했던 것으로 판단된다. 따라서 향후(向後) 재정적자문제(財政赤字問題)의 대두를 방지하기 위해서는 예산운용(豫算運用)의 효율화(效率化) 추진(推進) 및 담세율제고(擔稅率提高) 등의 수지개선노력(收支改善努力)이 요구되며, 아울러 과다한 추경편성(追更編成)의 지양(止揚) 등으로 재정(財政)의 경기조절적(景氣調節的) 역할(役割)을 강화해야 할 것으로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2010.06a
• /
• pp.387-387
• /
• 2010

최근 ZnO 박막은 투명 박막, 태양전지, LED 등으로의 응용을 위한 새로운 기능성 박막으로 활발히 연구되어 지고 있다. ZnO 기반의 투명 박막 트랜지스터는 상온에서 증착 가능하여 유리기판을 이용한 광학소자와 플라스틱 기판을 이용한 플럭서블 소자 같은 차세대 전자소자를 구현 할 수 있다. 본 연구에서는 RF Magnetron Sputtering System을 이용하여 coming 1737 유리기판 위에 ZnO 박막을 공정압력에 따라 증착하고, 투명 반도체에 적합한 활용을 위한 구조적, 광학적 분석을 실시하였다. 박막 증착 조건은 초기 압력 $1.0{\times}10^{-6}$Torr, RF 파워는 100W, Ar 유량은 100sccm, 그리고 증착온도는 상온이었다. 증착 압력은 $7.0{\times}10^{-3}$, $2.0{\times}10^{-2}$, $7.0{\times}10^{-2}$Torr로 변화시켰다. 표면 분석 (SEM, AFM) 결과 증착압력이 고진공으로 변화함에 따라 결정립들이 감소하였고 RMS roughness값이 낮아졌다. 그리고 XRD 분석을 통해 피크강도는 증가하고 FWHM은 감소함을 보이고 있는데 이는 결정성이 좋아짐을 나타낸다. 그리고 광학 투과도를 통해 가시광 영역에서의 높은 투과도(85% 이상)을 확인하였고, 고진공으로 변화함에 따라 밴드갭이 넓어지는 것을 확인하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
• /
• v.27 no.4
• /
• pp.96-106
• /
• 2012

차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭($E_g=3.4eV$)과 고온($700^{\circ}C$) 안정성 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF(Radio Frequency) 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자로서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 차세대 GaN 전력소자의 주요 특성을 소개하고 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구 프로젝트 분석을 통한 GaN 전력소자 연구개발 방향 및 GaN 전력소자 시장과 주요 특허 현황을 살펴보았다. 또한 국내의 주요 연구개발 현황과 현재 수행 중이거나 완료된 연구개발 과제를 간략하게 언급하였다. 이러한 연구개발 현황분석을 통하여 GaN 기술의 중요성과 함께 국산화의 시급성을 강조하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2015.07a
• /
• pp.1169-1170
• /
• 2015

공기를 주 절연매질로 사용하는 전력기기의 소형화 추세속에서 제품의 절연성능을 확보하기 위해 '절연배리어'인 고체절연물이 사용된다. 고체절연물의 연면 절연성능은 운전 환경에서 발생된 수분 및 오염원 등에 영향을 받기 쉽기 때문에, 다양한 오염도 조건에서 고체절연물의 연면 절연파괴특성 분석이 필요하다. 본 논문에서는 전력기기에 폭넓게 적용되는 있는 고체절연물에 대하여 평등전계가 모의된 평판 - 평판 전극 실험 조건에서 연면거리 및 오염도를 정량화한 전기전도도에 따른 AC 연면 절연파괴특성을 분석하였다. 그 결과, AC 연면 절연파괴전계는 고체절연물 재질에 관계없이 단(短) 갭에서 연면거리에 대한 의존성을 거의 보이지 않았다. 또한, PC 연면 절연파괴전계는 BMC 및 에폭시 대비 높았으며, 이것은 재질에 따른 연면 절연파괴 형태 및 표면의 소수성 차이와 관련이 있는 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.338.1-338.1
• /
• 2014

비정질 산화물 반도체(Amorphous Oxide Smeiconcuctor)를 이용하여 투명 박막 트랜지스터의 채널층으로 많은 연구가 진행되고 있다. 투명 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용되고 있는 IGZO박막은 비정질임에도 불구하고 높은 이동도와 넓은 밴드갭을 갖고 있는 것으로 알려져 있다. 본 연구는 RF magnetron sputtering법으로 유리기판 위에 IGZO박막을 증착시켰으며 소결된 타겟으로는 In:Ga:ZnO를 각각 1:1:2mol%의 조성비로 혼합하여 이용하였으며, $30{\times}30mm$의 XG Glass 유리기판에 sputtering 방식으로 증착하였다. 박막 증착 조건은 초기압력 $3.0{\times}10^{-6}Torr$, 증착 압력 20mTorr, 반응가스 Ar 25sccm, 공정 변수로는 RF Power 25W, 50W, 75W, 100W 각각 변화를 주어 실험을 진행 하였으며, 증착온도는 실온으로 고정 하였다. 분석 결과로 RF Power 25W 일 때 XRD 분석결과 Bragg's 법칙을 만족하는 피크가 나타나지 않는 비정질 구조임을 확인하였으며, AFM 분석결과 0.5 mm 이하의 Roughness를 가졌다. UV-Visible-NIR 측정 결과 가시광선 영역에서 87%이상의 투과도를 나타냈으며, Hall 측정 결과 Carrier concentration $3.31{\times}10^{19}$, Mobility $10.9cm^2/V.s$, Resistivity $1.8{\times}10^{-2}$, 투명 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용 가능함을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.333.2-333.2
• /
• 2014

RF 스퍼터링 방법을 이용하여 제작된 IGZO 박막 트랜지스터 및 단막을 제조하여 UV처리 유무에 따른 전기적 특성을 평가하였다. IGZO 박막 트랜지스터는 Bottom gate 구조로 제조되었으며 UV처리 이후 전계효과 이동도, 문턱전압 이하 기울기 값등 모든 전기적 특성이 개선된 것을 확인 하였다. 이후 UV처리에 따른 소자의 전기적 특성 개선에 대한 원인을 분석하기위해 물리적, 전기적, 광학적 분석을 실시하였다. XRD분석을 통해 UV처리 유무에 따른 IGZO박막의 물리적 구조 변화를 관찰했지만 IGZO박막은 UV처리 유무에 상관없이 물리적 구조를 갖지 않는 비정질 상태를 보였다. IGZO 박막 트랜지스터의 문턱전압 이하의 기울기 값과을 통하여 반도체 내부에 존재하는 결함의 양을 계산한 결과 UV를 조사하였을 때 결함의 양이 감소하는 결과를 얻었으며 이 결과는 SE를 통해 밴드갭 이하 결함부분을 측정하였을 때와 같은 결과였다. 또한 UV처리 전에는 shallow level defect, deep level defect등의 넓은 준위에서 결함이 발견된 반면 UV처리 이후에는 deep level defect준위는 없어지고 shallow level defect준위 역시 급격하게 감소한 것을 볼 수 있었다. 결과적으로 IGZO 박막의 경우 UV처리를 함에 따라 결함의 양이 감소하여 IGZO박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 증가 시킬 뿐 아니라 문턱전압 이하 기울기 값을 감소시키는 원인으로 작용하게 된다는 결과를 도출하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.204-204
• /
• 2010

본 연구에서는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 RF파워의 변화에 따라 증착한 a-IGZO 박막의 n-형 반도체 활용 특성과 관련된 구조적, 광학적, 전기적 특성 변화를 연구하였다. 기판은 corning 1737 유리 기판을 사용하였고, 유기 클리닝 후 즉시 챔버 내부에 장착되었다. IGZO 타겟은 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$, ZnO 분말을 각각 1:1:2mol% 조성비로 혼합하여 소결한 타겟을 사용하였다. 박막 증착 조건으로 초기 압력 $2.0{\times}10^{-6}\;Torr$, 증착압력 $2.0{\times}10^{-2}\;Torr$, 반응가스 Ar 50sccm, 증착온도는 실온으로 고정하였으며, 공정변수로 RF 파워를 25W, 50W, 75W, 100W로 변화시키며 시편을 제작하였다. AFM 분석결과 RF 파워가 증가함에 따라 거칠기가 증가하였으며, XRD 분석결과 Bragg's 법칙을 만족하는 피크가 나타나지 않는 비정질 구조임을 확인할 수 있었다. Hall측정 결과 100W에서 $10cm^2/V^{-1}s^{-1}$이상의 우수한 이동도 특성을 보였으며, 가시광선 투과 특성은 RF 파워가 50W일때 85% 이상으로 양호하였다. XPS 분석결과 RF 파워가 증가할수록 밴드갭이 감소하는 현상은 박막내 산소 이탈 증가현상에 의한 산소 공공의 밀도가 높아지는 것과 연관성이 있음을 확인하였다.