• Title/Summary/Keyword: 갈륨 비소

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생체모방 복합 눈 구조를 이용한 갈륨비소 반사방지막 제작

  • Lee, Su-Hyeon;Im, Jeong-U;Go, Yeong-Hwan;Jeong, Gwan-Su;Yu, Jae-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.412-412
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    • 2012

  • 갈륨비소(GaAs)는 수직공진표면방출레이저, 발광다이오드, 태양전지 등과 같은 광전소자에 널리 사용되는 물질이다. 그러나 높은 굴절률을 갖는 갈륨비소는 표면에서 30% 이상의 반사율을 갖기 때문에 광손실로 인해 소자의 성능이 저하된다. 따라서 표면 Fresnel 반사율을 낮출 수 있는 효율적인 반사방지막이 필요하다. 최근, 열적 불일치, 물질 선택, 접착력 저하의 단점을 가지고 있는 기존 다중박막을 대체하는 생체모방 서브파장 나노구조가 활발히 연구되고 있다. 이러한 구조는 공기(air)부터 갈륨비소까지 선형적인 유효굴절률 분포를 갖는 유효 단일박막과도 같기 때문에 소자 표면에서의 광손실을 줄일 수 있다. 더욱이, 자연계의 나방의 각막과 나비의 눈의 구조 형태를 모방한 반도체 생체모방 복합 눈(compound eye)은, 즉 마이크로 렌즈모양과 서브파장 나노격자구조의 복합적 형태, 표면에서 우수한 반사방지 특성을 나타낸다. 본 연구에서는, 포토리소그래피와 유도결합플라즈마 식각법을 이용하여 GaAs 기판 표면에 마이크로 렌즈 모양의 패턴을 형성한 후, 스핀코팅을 이용하여 나노 크기를 갖는 실리카 구를 도포하여 건식 식각함으로써 복합 눈 구조를 갖는 갈륨비소 반사방지막을 제작하였다. 제작된 샘플의 표면 및 식각 형상은 전자현미경(scanning electron microscope)을 사용하여 관찰하였으며, UV-vis-NIR spectrophotometer를 사용하여 반사율을 측정하였다.

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A Study on GaAs Ingot Growth Technique Applied to VGF(Vertical gradient freeze) Growth Method (수직온도구배 성장 공법을 적용한 갈륨비소 잉곳 성장 기술 연구)

  • Park, Youngtae;Park, Hyunbum
    • Journal of Aerospace System Engineering
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    • v.16 no.5
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    • pp.57-61
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    • 2022

  • The various GaAs panel are applied widening for aircraft and aerospace structures. This study presented technology for the growth of large-diameter GaAs ingots greater than 4 inches through numerical analysis using temperature control technology. In this work, proposes manufacturing technology adapted to various temperature and environmental changes through temperature simulation. With the development of ingot technology, the possibility of future application increased by obtaining expected results with minor deviation.

  • https://doi.org/10.20910/JASE.2022.16.5.57 인용 PDF KSCI

Finite element analysis of transient growth of GaAs by horizontal Bridgman method (수평브릿지만법에 의한 갈륨비소 과도기 성장의 유한요소 해석)

  • 김도현;민병수
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.6 no.1
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    • pp.19-31
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    • 1996

  • To invetigate the impurity distribution in GaAs crystal grown by horizontal Bridgman method, we constructd the mathematical model describing heat transfer, mass transfer and fluid flow n transient growth of GaAs. Galerkin finite element method and implicit time integration were used to solve the equations and simulate the transient growth. The concentration distribution is similar to the case of diffusion controlled growth when Gr - 0. With the increase of Gr the concentration profile is distroted and the minimum solute concentration appears near the interface. As solidification prosceeds, interface deflection increases steadily and transverse segregation increases until mixing by flow becomes steady. The axial segregation increases with solidification. But, with high intensity of flow axial segregation becomes steady after short transient. At small and large Gr the result showed a good agreememt with the prediction Smith and Scheil.

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Ultrafast Lasing Characteristics of the Gain Switched V-Groove Quantum Wire Laser (이득 스위칭 방법을 이용한 V-자형 양자선 레이저의 초고속 레이징 특성 연구)

  • Choi, Young-Chul;Kim, Tae-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2003.04a
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    • pp.185-188
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    • 2003

  • 본 논문에서는 공진기 길이 변화에 따른 V-자형 알루미늄갈륨비소-갈륨비소(AIGaAs-GaAs) 양자선 레이저의 서브밴드 에너지 천이에 대한 스펙트럼과 시간적 스위칭 특성을 조사하였다. $300{\mu}m$ 이하의 짧은 공진기 길이를 갖는 V-자형 양자선 레이저는 공진기 손실의 증가로 인하여 n=1에서 n=2 서브밴드(subband)로의 양자화 천이(불연속적인 파장 스위칭)가 발생하였고, 초단 광펄스를 생성하는 이득 스위칭방식을 이용하여 초고속 레이징 특성을 관찰하였다.

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