• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2008.11a
• /
• pp.76-76
• /
• 2008

갈륨-질화물(GaN) 기반의 고속전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT)는 최근 마이크로파 또는 밀리미터파 등의 고주파 대역의 통신시스템에 널리 사용되는 전자소자이자, 차세대 고주파용 전력 소자로 각광받고 있다. AlGaN/GaN HEMT에서 AlGaN층과 GaN층의 이종접합 구조(heterostructure)는 두 물질 간의 큰 전도대의 불연속성으로 인해 발생하는 이차원 전자가스(two-dimensional electron gas, 2DEG) 채널을 이용하여 높은 전자이동도, 높은 항복전압 및 우수한 고출력 특성을 얻는 것이 가능하다. 그러나 이린 이론적인 우수한 특성에도 불구하고 실제 AlGaN/GaN HEMT 소자에서는 AlGaN 표면과 AlGaN과 GaN 층 사이 접합면, AlGaN과 GaN 벌크층에 존재하는 트랩의 영향으로 이론보다 낮은 DC 출력 특성을 갖는다. 본 논문에서는 표면, 접합면, 벌크 층에 존재하는 트랩들을 각각의 존재 유무에 따라 시뮬레이션 함으로써 각각의 트랩이 DC 특성에 미치는 영향에 대해서 알아본다. 또한 소스와 게이트, 드레인과 게이트간의 거리에 따라 표면 트랩에 따른 영향과 AlGaN층과 GaN 층의 두께를 변화시켜가면서 각 층의 두께에 따라 벌크 트랩이 DC 특성에 미치는 영향을 알아보았다. 본 논문에서 트랩에 따른 특성의 파악을 위해서 $ATLAS^{TM}$를 이용하여 전산모사 하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
• /
• v.8 no.4
• /
• pp.65-69
• /
• 2009

Carbon nanotubes (CNTs) were coated with undoped zinc oxide (ZnO) or 5 wt% gallium-incorporated ZnO (GZO) using various deposition conditions. The CNTs were directly grown on conical-type tungsten substrates at $700^{\circ}C$ using inductively coupled plasma-chemical vapor deposition. The pulsed laser deposition technique was used to deposit the ZnO and GZO thin films with very low stress. Field-emission scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy were used to monitor the variations in the morphology and microstructure of CNTs prior to and after ZnO or GZO coating. The formation of ZnO and GZO films on CNTs was confirmed using energy-dispersive x-ray spectroscopy. In comparison to the as-grown (uncoated) CNT emitter, the CNT emitter that was coated with a thin (10 nm) GZO film showed remarkably improved field emission characteristics, such as the emission current of $325\;{\mu}A$ at 1 kV and the threshold field of $1.96\;V/{\mu}m$ at $0.1\;{\mu}A$, and it also exhibited the highly stable operation of emission current up to 40 h.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.29 no.6
• /
• pp.245-250
• /
• 2019

We investigated the post-annealing effect of Sn-incorporated β-Ga₂O₃ (β-Ga₂O₃ : Sn) nanowires (NWs) grown on sapphire (0001) substrates using radio-frequency powder sputtering. The β-Ga₂O₃ : Sn NWs were converted to a porous structure during the vacuum annealing process at 800℃. Host non-stoichiometric Ga₂O_3-x, is transformed into stoichiometric Ga₂O₃, where Sn atoms separate and form Sn nano-clusters that gradually evaporate in a vacuum atmosphere. As a result, the amount of Sn atoms was reduced from 1.31 to 0.27 at%. Pores formed on the sides of β-Ga₂O₃ : Sn NWs were observed. This increases the ratio of the surface to the volume of β-Ga₂O₃ : Sn NWs.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.28 no.9
• /
• pp.685-697
• /
• 2017

In this paper, it is presented the result of design and fabrication for C-band solid state high power amplifier unit and components using in search radar. The solid state power amplifier(SSPA) assembly was fabricated using GaN(Gallium Nitride), which is semiconductor device, and the transmit signal output power of the solid state high power amplifier unit is generated by combining the transmit signal power of the solid state power amplifier configured in parallel through a design and fabricated waveguide type transmit signal combine assembler. Designed solid state high power amplifier unit demonstrated C-band 500 MHz bandwidth, maximum 10.5% duty cycle, transmit pulse width from $0.0{\mu}s{\sim}000{\mu}s$, and transmit signal power is 44.98 kW(76.53 dBm).

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 2009.11a
• /
• pp.399-399
• /
• 2009

CIS계 화합물 태양전지는 높은 광흡수계수와 열적 안정성 및 Ga 조성 조절을 통한 밴드갭 조절이 용이해 고효율 박막 태양전지로 각광 받고 있다. CIS 태양전지의 광 흡수층 제조 방법으로는 여러 가지 방법이 있지만 본 연구에서는 가장 높은 에너지 변환 효율을 달성한 Co-Evaporation 방법을 사용하기로 하였다. 미국의 NREL의 경우 Co-Evaporation 방법을 사용해 20%의 에너지 변환 효율을 달성한 바가 있다. 하지만 이러한 효율의 태양전지는 실험실에서 연구용으로 제작한 아주 작은 면적으로 태양전지 양산화에 그대로 적용하기는 힘들다. 따라서 CIGS 태양전지의 양산화 적용을 위해 대면적화가 필수적이다. 본 연구에서는 기존의 3 stage 방식을 이용해 광흡수층을 증착하여 최적화 조건을 연구하였다. 또한 기판의 면적 증가에 따라 효율과 Voc, Jsc, F.F가 얼마나 감소하는지 실험하여 보았다. 기판은 soda lime glass를 사용 하였으며 후면 전극으로 약$1{\mu}m$ 두께의 Mo를 DC Supptering 방법을 이용해 증착하였다. 다음으로 약 $2{\mu}m$이상의 광흡수층을 Co-Evaporation 방법을 이용하여 증착 하였으며 buffer층으로는 약 50nm의 CdS층을 CBD방법을 이용하여 제조 하였다. TCO층으로 약 50nm의 i-ZnO와 약 450nm의 Al-ZnO를 RF Sputtering 방법을 이용하여 증착 하였다. 마지막으로 앞면 전극으로 약 $3{\mu}m$의 Al을 Thermal Evaporation 방법으로 증착하였다. 태양전지 소자의 면적은 $0.49cm^2$, $25cm^2$, $100cm^2$로 각각 면적을 달리하며 효율을 비교 분석하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 2011.11a
• /
• pp.155-155
• /
• 2011

신재생에너지 수요가 확대됨에 따라 신재생에너지 관련 제품에 소요되는 물질에 대한 관심이 확대되고 있다. 이들 물질은 공급리스크가 존재하는 희유금속이 주를 이루고 있다. 본 연구에서는 신재생에너지 등의 high tech 기술 확대로 인한 희유금속의 수요 및 공급을 전망하고 있는 미국의 critical raw material 관리 전략을 살펴보고자 한다. 미국은 2010년 12월 미국 에너지성(DOE : Department of Energy)에서 위기 물질 전략(Critical Materials Strategy)에 관한 리포트를 공표하였다. 클린 에너지 기술 4개 분야(영구자석, 선진 전지, 태양전지 박막, 형광 물질)에서 핵심이 되는 물질(희유금속 등)의 수급 불균형이 일어날 가능성에 대해 조사를 실시하여 리스크 평가하여 단기, 중단기로 구분하여 위기물질을 선정하였다. 클린 에너지 기술 4개 분야에서 핵심이 되는 물질(네오디움, 디스프로슘, 코발트, 리튬, 랜턴, 세륨, 테룰, 인듐, 갈륨, 유로피움, 테르비움, 이트륨)의 12광종 수급을 2025년까지 전망한 결과 전체적으로 단기(2010년~2015년)보다 중기(2015년~2025년)에 공급 부족이 확대한다고 예측되었다. 단기적으로는 인듐이 약간 부족하는 것 외에 디스프로슘과 이트륨에 관해서도 공급 부족할 것으로 예측되었다. 중기적으로는 코발트(전지 기술에 사용)와 유로피움(고효율 조명용의 형광 물질에 사용) 외 대상이 된 다른 모든 물질은 공급 부족이 발생할 것으로 전망되었다. 이를 종합하여 단기적으로는 디스프리슘, 유로피움, 인듐, 테르븀, 네오디움, 이트륨 등이, 중기적으로는 디스프리슘, 유로피움, 테르븀, 네오디움, 이트륨 등이 위기물질(Critical Material)로 분석되었다. 에너지성은 위기물질을 공급원다각화, 대체물질개발, 리유즈, 리사이클링 등을 국제적 파트너와 함께 추진하여 리스크를 관리할 것이며, 2011년까지 최신정보를 구축하여 위기물질 전략을 재설정할 예정이다. 체계적인 위기물질 선정 및 관리전략 등을 참조하고, 신재생에너지기술 변화에 따른 원재료의 중요성 및 리스크 관리현황을 기초로 우리나라에 적합한 위기관리 물질 선정 및 관리가 필요할 것이다.

• Applied Microscopy
• /
• v.41 no.3
• /
• pp.147-154
• /
• 2011

Backscattered electrons (BSE) are generated at the impact of the primary electron beam on the specimen. BSE imaging provides the compositional contrast to resolve chemical features of sectioned block-face. A focused ion beam (FIB) column can be combined with a field emission scanning electron microscope (FESEM) to ensure a dual (or cross)-beam system (FIB-FESEM). Due to the milling of the specimen material by 10 to 100 nm with the gallium ion beam, FIB-FESEM allows the serial block-face (SBF) imaging of plastic-embedded specimens with high z-axis resolution. After contrast inversion, BSE images are similar to transmitted electron images by transmission electron microscopy. As another means of SBF imaging, a specialized ultramirotome has been incorporated into the specimen chamber of FESEM ($3View^{(R)}$). Internal structures of plastic-embedded specimens can be serially revealed and analyzed by $3View^{(R)}$ with a large field of view to facilitate three-dimensional reconstruction. These two SBF approaches by FESEM can be employed to unravel spatial association of (sub)cellular entities for a comprehensive understanding of complex biological systems.

• Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
• /
• v.25 no.2
• /
• pp.323-334
• /
• 1998

The purpose of this study was to compare the microleakage of the amalgam and the gallium alloy when several lining materials were applied. The ANA 2000, high copper lathecut type amalgam(AM group) and Gallium Alloy GF II (GF group) were used. The fifty extracted sound molars were randomly assigned to AM group and GF group, and the buccal and lingual class V cavities with a size $3{\times}2{\times}2mm$ were prepared. The prepared cavities were randomly assigned to group 1 : no liner used control, group 2 : Copalite, group 3 : Panavia 21, group 4 : All-bond 2, and group 5 : Superbond C&B. After liner placement and amalgam filling, the specimens were stored in $37^{\circ}C$ normal saline for 24 hours and then thermocycled from $5^{\circ}C$ to $55^{\circ}C$ thousand times. The specimens were stored in the 1% methylene blue solution for 24 hours and sectioned and examined by stereomicroscope. The results obtained from this study can be summarized as follows : 1. In the GF group, microleakage values of group 2, 3, 4, 5 were significantly lower than that of group 1 (p<0.05). 2. In the AM group, microleakage values of group 3 and 4 were significantly lower than that of group 1 (p<0.05), but microleakage values of group 2 and 5 did not differ from that of group 1 (p>0.05). 3. The GF group was similar(group, 1 3, 4) or superior(group 2, 5) to the AM group in the aspect of the microleakage.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.9 no.9
• /
• pp.885-890
• /
• 1996

Undoped p-type and Te doped n-type GaSb crystals were grown by the vertical Bridgman method. The lattice constant of the GaSb crystals was 6.096.+-.000373.angs.. The carrier concentration, the resistivity, and the carrier mobility measured by the van der Pauw method were p.iden.8*10$^{16}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.20 .ohm.-cm, .mu.$_{p}$ .iden.400c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for p-type, n.iden.1*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.15 .ohm.-cm, .mu.$_{n}$ .iden.500c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for n-type at 300K. In case of treatment with metal ion of R $u^{+3}$, P $t^{+4}$, the carrier concentration, resistivity and carrier mobility of the GaSb crystals were p.iden.2*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.08.ohm.-cm, .mu.$_{p}$ .iden.420c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for p-type, n.iden.2.5*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.07.ohm.-cm, .mu.$_{n}$ .iden.520c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for n-type respectively. GaSb crystals had a tendency to lower resistivity and higher mobility, for surface treatment with metal ion effectively diminished surface recombination centers.s.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.20 no.6
• /
• pp.479-485
• /
• 1976

The rate of the bromine-exchange reaction between gallium bromide and n-butyl bromide in 1,2,4-trichlorobenzene and in nitrobenzene was measured at 19, 25 and 40$^{\circ}C$., using n-butyl bromide labelled with Br-82. The results indicated that the exchange reaction was second order with respect to gallium bromide and first order with respect to n-butyl bromide. The third-order rate constant determined at $19^{\circ}C.$ is 1.15{\times}10^{-4} l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$ in 1,2,4-trichlorobenzene and $4.21{\times}10^{-4} l^2·$$mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$ in nitrobenzene. The activation energy, the enthalpy of activation and the entropy of activation for the exchange reaction were also determined.