• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.143-146
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• 2002

The characteristics of a multilayer piezoelectric transformer were investigated using 0.05Pb(A $l_{0.5}$N $b_{0.5}$) $O_3$-0.95Pb(Z $r_{0.52}$ $Ti_{0.48}$) $O_3$+0.9wt%N $b_2$ $O_{5}$+0.5wt%Mn $O_2$+0.04wt% $V_2$ $O_{5}$ ceramics. The multilayer piezoelectric trans formers were developed for voltage step-up. The multilayer ceramic technology was applied in piezoelectric transformer. The electrical characteristics of the piezoelectric transformer (33x8.5x1mm) has the efficiency of above 85%, step-up ratio of 70 under the 130 kΩ load, and driving frequency of 93.5kHz, respectively.ctively.y.y.

• 한국토양비료학회지
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• 제26권2호
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• pp.67-71
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• 1993

부가가치(附加價値)가 낮은 천연(天然) Zeolite 미분(微分)을 이용(利用)하여 CEC가 높은 토양개량제(土壤改良劑) 혹은 흡착제(吸着劑)의 개발(開發)을 시도하였다. 천연(天然) Zeolite의 $SiO_2/Al_2O_3$의 비(比)는 6.78이었으며 CEC는 67.5mg/100g이었다. 그러나 3N-NaOH용액(溶液)으로 $Na_2O/Al_2O_3$의 비(比)를 9.5로 하여 8시간(時間) 처리(處理)한 반응생성물(反應生成物)의 CEC는 약 200me/100g이었으며 다른 조건(條件)으로 처리(處理)한 반응생성물(反應生成物)의 CEC보다 높았다. 천연(天然) Zeolite의 주(主)된 점토광물(粘土鑛物)은 Clinoptilolite, Mordenite 및 Smectite였으나 반응생성물(反應生成物)은 Philipsite로 동정(同定)되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제16권3호
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• pp.19-24
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• 2009

3차원 패키지용 고종횡비 TSV(through-Si via)를 이용한 배선 공정에서 via 충진을 위한 대표적인 방법중의 하나가 via 내부에 $SiO_2$ 절연막을 형성한 다음 Sputtering법으로 접착/확산방지막 및 씨앗층을 형성하고 전해도금법으로 Cu를 충진하는 방법이다. 본 연구에서는 Cu 박막과 $SiO_2$ 절연막 사이에 reactive sputtering법으로 증착한 $TaN_x$ 박막의 조성에 따른 접착특성 및 확산방지막특성을 연구하였다. $TaN_x$ 박막의 질소함량에 따른 Cu 박막과 $SiO_2$ 절연막사이의 접착력을 $180^{\circ}$ peel test와 topple test를 이용하여 정량적으로 측정하였다. $TaN_x$ 박막 내 질소함량이 증가함에 따라 접착력은 더욱 증가하였는데, 이는 질소함량이 증가함에 따라 $TaN_x$ 박막과 $SiO_2$ 절연막사이의 계면에서 계면반응물의 생성이 증가하였기 때문으로 해석된다. 고온에서 열처리를 통하여 Cu에 대한 확산방지막으로서의 특성을 조사한 결과, $TaN_x$ 박막은 Ta 박막에 비하여 우수한 Cu에 대한 확산방지 특성을 보였으며 N/Ta성분비 1.4까지는 $TaN_x$ 박막내 질소함량의 증가에 따라 확산방지특성도 향상되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.1794-1796
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• 1998

In this study, the $SO_2$ addition effect on NOx removal has been conducted from a combustion flue gases by the do corona discharge-activated radical shower systems. The simulated flue gases were consisted of NO-O_2-$N_2$, NO-$CO_2-N_2-O_2$ and $NO-SO_2-CO_2-Na-O_2$([NO]o:200ppm and $[SO_2]o$:800ppm). The injection gases used as radical source gases were $NH_3$-Ar-air. $SO_2$ and NOx removal efficiency and the other by-products were measured by Fourier Transform Infrared(FTIR) as well as $SO_2$. NOx and $NO_2$ gas detectors. By-product aerosol particles were also observed by Condensation Nucleation Particle Counter(CNPC) and SEM images after sampling. The results showed that asignificant aerosol Particle formation was observed during a removal operation in corona radical shower systems. The NOx removal efficiency significantly increased with increasing applied voltage and $NH_3$ molecule ratio. The $SO_2$ removal efficiency was not significantly effected by applied voltage and slightly increased with increasing $NH_3$ molecule ratio. The NOx removal efficiency for NO-$SO_2-CO_2-N_2-O_2$ was better than that for NO-$CO_2-N_2-O_2$.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제46권3호
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• pp.181-193
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• 2018

아산화질소($N_2O$)는 기후변화를 야기하는 온실가스임과 동시에 오존층을 파괴하는 가스이다. 하폐수 처리시 생물학적 질소 제거 공정에서 주로 배출되는 아산화질소가 환경에 미치는 영향은 매우 중요하므로 대책 수립이 필요하다. 본 논문에서는 하폐수 처리과정의 아산화질소 배출 관련 최신 연구동향을 종합적으로 고찰함으로써, 아산화질소의 배출량 및 생성에 미치는 주요 인자의 영향을 이해하고, 아산화질소 배출 저감 전략 수립에 필요한 정보를 도출하였다. 하폐수 처리공정에서 아산화질소가 배출되는 주요 경로는 hydroxylamine 산화, nitrifier 탈질 및 종속영양 탈질공정의 3가지로 구분된다. 실험실, 파일럿 및 실 규모 하폐수 처리 공정을 대상으로 아산화질소 배출량을 측정한 결과 아산화질소 배출량의 질소 부하량의 0-95%로 변이가 매우 컸다. 실 규모 하폐수 처리공정에서는 질소 부하량의 0-14.6%가 아산화질소로 배출되고, 평균값과 중간값은 각각 1.95%와 0.2%이었다. 아산화질소 배출량에 영향을 미치는 가장 중요한 운전인자는 용존산소와 아질산염 농도 및 COD/N 비율이었다. 아산화질소 배출 저감을 위해 운전인자를 조절하는 다양한 전략이 보고되고 있다. 또한, 하폐수 처리공정에서 아산화질소 배출 저감하기 위한 새로운 전략으로, 높은 아산화질소 환원효소 활성을 가진 미생물을 활용하거나, 기존의 탈질공정 대신 산소발생 탈질공정(oxygenic denitrification)을 도입하는 것이 제안되고 있다.

• 한국세라믹학회지
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• 제46권4호
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• pp.392-396
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• 2009

AlON was fabricated by the pressureless reaction sintering of $Al_2O_3$-AlN powder mixtures. The ratio of AlN to $Al_2O_3$ as well as various sintering aids were the main variables for this study. The optimum ratio of AlN in the $Al_2O_3$-AlN mixture was approximately 35.0 mol%. For the sintering aids, only when a small amount of MgO was added together with $Y_2O_3$ and BN, AlON specimens could be sintered to a full density with negligible pores and high transparency. Other combinations of $Y_2O_3$, BN, CaO and MgO resulted in enough pores in the sintered specimens to have in-line transmittance only between 0% and 30%. The in-line transmittance reached over 80% after sintering at $1975^{\circ}C$ for 10 h for the specimen containing 0.15 wt% MgO, 0.08 wt% $Y_2O_3$ and 0.02 wt% BN.

• 한국항공우주학회지
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• 제34권9호
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• pp.89-96
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• 2006

본 연구에서는 소형 위성용 하이브리드 로켓 점화장치에 적용되는 N2O 촉매 베드의 유동 및 열적 현상에 대한 이론적인 고찰을 하였다. 허니콤 형상을 가지는 촉매 베드 내의 열적 현상을 분석하기 위해서 다공성 매질 접근법을 사용하였다. 유동장은 Brinkman- extended Darcy 모델을 사용하였고, 온도장은 One-equation 모델을 사용하여 촉매 베드 내에서 유동장 및 온도장에 대한 해석해들을 구하였다. 다공성 매질 접근법을 적용한 모델의 해석해와 기존 실험결과를 비교하여 본 모델의 정확성을 검증하였다. 해석해에 근거하여 N2O 촉매 베드에 영향을 미치는 중요한 변수들이 촉매 베드의 기공률, 유효 체적비, 촉매 베드와 기공의 직경비, 공급열, 그리고 펌핑파워임을 확인하였으며 촉매 베드 내에서의 열적현상에 대한 중요 변수들의 효과를 연구하였다.

• 한국자기학회지
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• 제13권1호
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• pp.15-20
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• 2003

Cu 금속 미분말은 확산속도가 CuO 보다 CuO 보다 빠르고 소결시 입자성장을 촉진시키기 때문에 기본조성 (N $i_{0.204}$C $u_{0.204}$Z $n_{0.612}$ $O_{1.02}$)F $e_{1.98}$ $O_{2.98}$에 들어가는 CuO대신 Cu/CuO의 비를 변화시켜 가면서 Cu가 ferrite에 미치는 영향을 조사하였다. Cu를 CuO 대신 치환함으로써 90$0^{\circ}C$에서 완전한 Spinel구조를 가짐을 XRD pattern을 통하여 확인하였고, Cu/CuO 비가 60%일 때가 투자율 1100, Ms 87 emu/g의 최적조건을 얻었다. Cu는 소결시 확산속도를 증가시켜 입자성장에 영향을 주었으며, CuO대신 Cu의 치환은 저온에서 투자율이 개선됨을 확인하고 소결온도를 3$0^{\circ}C$이상 낮출 수 있었다. 소결이 끝난 후에는 CuO와 같은 거동을 하는 것으로 확인되었다.

• 대한화학회지
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• 제36권5호
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• pp.679-684
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• 1992

$trans-[Pd(en)_2Cl_2](ClO_4)-2$ (en = ethylenediamine)와 purine 염기인 Guanine, Adenine 또는 pyrimidine 염기인 Uracil anion을 반응시켜 새로운 팔라듐(IV) 착물을 얻었다. 착물의 중심금속과 각 리간드의 조성비는 $C{\cdot}H{\cdot}N$ 원소 분석으로써 확인하였으며 리간드의 배위자리 등 착물의 구조는 적외선 흡수 스펙트럼 및 $^1H-NMR,\; ^{13}C-NMR$로써 조사하였다. Guanine 또는 Adenine 착물을 purine계 염기가 N7 자리에 배위되었고 출발물질로부터 하나의 en 리간드가 이탈하고 두 $ClO_4^-$가 배위된 $[Pd(en)L_2(ClO_4)_2](ClO_4)_2{\cdot}(en)$ (L = Guanine, Adenine) 구조이다. Uracil 착물은 en과 $ClO_4^-$의 이동없이 Uracil anion의 N1 자리가 배위된 $[Pd(en)_2(Urac)_2](ClO_4)_2$ (Urac = Uracil anion) 구조의 착물로 추정되었다.

• 한국표면공학회지
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• 제23권2호
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• pp.24-29
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• 1990

The TiN filmms were deposited on the stainless steel substrates by BARE techinique in order to investigate the effects of process parameters such as source-to-substate distance (15-35cm), N2 pressure(4$\times$10-10 -1$\times$10-3mb)and bias voltage(O-2000V), on the deposition rate, the concentration ratio [N/Ti] and the surface color of the films. The deposition rate was deduced from the weight measurement, the [N/ti] ratio by ESCA. The deposition rate decreased with a relationship of=40.2/D2 where D was source-to-substrate distance. The effect of the bias voltage and the N2pressure on the deposition rate, however, appeared negligble. The [N/Ti] ratio was in the narrow range of 0.7 tp 0.8 It increased slightly with the N2 partial pressure and deceased with the source-to-substrate distance. It was confired by ESCA that a significant amount of oxygen and carbon was contaminated after deposition in the top surface of TiN films. The surface color of TiN film was changed from light gold yellow to reddish gold yellow with increasing [N/Ti] ratio.