• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
• /
• 한국방사성폐기물학회 2005년도 Proceedings of The 6th korea-china joint workshop on nuclear waste management
• /
• pp.329-337
• /
• 2005

Synroc which comprises hollandite-rich ($Ba_{1-x}Cs_{2x}\;(Al_yTi_{2-y})\;Ti_{6}O_{16},\;75wt\%$), perovskite ($Ca_{1-x}Sr_xTiO_3,\;15wt\%$) and rutile ($TiO_2,\;10wt\%$) is devised for the immobilization of Sr/Cs (1:3, wt$\%$) separated from HLW liquid. Especially, hollandite-rich Synroc with different contents of Al element is fabricated, and its mineral phase assemblage and microstructure are determined by using XRD and SEM/EDS. The durability test is carried out by using MCC-1 method, leachate is analyzed by using ICP/MS and ICP/ AES. The results indicate that hollandite-rich Synroc variants is a suitable host for Immobilization of Sr/Cs separated from HLW liquid.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
• /
• pp.663-666
• /
• 2004

In this paper, we have investigated the structure and dielectric properties of the $(Ba_{0.6}Sr_{0.4})TiO_3$ (BST) thin films film fabricatedon MgO(100)/Si substrate by an alkoxide-based sol-gel method. Both the structure and morphology of films were analyzed by x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscope (AFM). For the MgO(100)/Si substrates, the BST thin films exhibited highly (100) orientation. The highly (100)-oriented BST thin films showed high dielectric constant, tunability, and figure of merit (FOM). The dielectric constants, dielectric loss and tunability of the BST thin films annealed at 700 C deposited on the MgO(100)/Si substrates measured at 10 kHz were 515.9, 0.0082, and 54.3 %, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.27-28
• /
• 2009

In this study, we have fabricated the 3 wt% $Li_2CO3$ doped $(Ba,Sr)TiO_3$ thick films on the Ag/Pd printed $Al_2O_3$ substrates for the LTCCs (Low Temperature Co-fired Ceramics) applications. From the X-ray diffraion analysis, 3 wt% $Li_2CO3$ doped BST thick films on the Ag/Pd printed $Al_2O_3$ substrates, which sintered at 900 $^{\circ}C$ have perovskite structure without any pyro phase. The dielectric properties of 3 wt% $Li_2CO3$ doped BST thick films were measured from 1 kHz to 1 MHz. To investigate the electrical properties of 3 wt% $Li_2CO3$ doped BST thick films, we employed the impedance spectroscopy. The complex impedance of 3 wt% $Li_2CO3$ doped BST thick films were measured from 20 Hz to 1 MHz at the various temperatures.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
• /
• 제6권4호
• /
• pp.9-12
• /
• 2004

We report a successful fabrication of high-$J_C$ $NdBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (NdBCO) films on (100) $SrTiO_3$ substrates by pulsed laser deposition (PLD) in high oxygen pressures ranging from 400 to 800 mTorr. Fabricated NdBCO films exhibited only c-axis orientation, good out-of-plane and in-plane textures, and also excellent superconducting properties, including critical temperature ($T_C$) and critical current density ($J_C$) of above 90 K and the highest of $3.1MA/cm^2$ at 77 K in self-field, implying that NdBCO is a perspective alternative to YBCO for coated conductor. In low oxygen pressures ranging from 100 to 200 mTorr, however, the films showed a-, c-mixed orientation and degraded $T_{C,zero}$ values due to the formation of $Nd_{1+x}Ba_{2-x}Cu_3O_{7-{\delta}}$-type solid solutions with an excessive substitution of $Nd^{3+}$ ions for the $Ba^{2+}$ sites.

• 암석학회지
• /
• 제26권4호
• /
• pp.327-339
• /
• 2017

경기육괴 북서부에 분포하는 백악기 명성산화강암은 암체의 대부분을 차지하는 담홍색의 흑운모 몬조 화강암과 상대적으로 소량 산출되는 백색의 흑운모 알칼리화강암으로 이루어져 있다. 낮은 Sr 함량과 높은 Ba 함량, REE 다이아그램에서 보여지는 부(-)의 Eu 이상치, 스파이더 다이아그램에서 나타나는 부(-)의 Sr 이상치, Sr과 Rb 사이에 나타나는 부의 관계, Sr과 Ba 그리고 Sr과 $Eu/Eu^*$ 사이에 나타나는 정(+)의 관계는 사장석과 K-장석의 정출이 마그마 분화과정에 있어 중요한 역할을 하였음을 지시한다. 명성산화강암은 I, S, A형 화강암을 분류하는 분류도에서 I & S 형 화강암 영역에 도시되는데, 흑운모 몬조화강암은 분화되지 않은 I & S 형 화강암 영역에, 흑운모 알칼리화강암은 분화된 I & S 형 화강암 영역에 도시됨으로 흑운모 알칼리화강암이 흑운모 몬조화강암보다 더 분화되어 생성된 화강암임을 알 수 있다. A/CNK vs A/NK 다이아그램에서 고알루미나 영역에 도시되는 명성산화강암의 근원암의 성질을 알아보기 위하여 Rb/Sr vs Rb/Ba 도와 $Al_2O_3/TiO_2$ vs $CaO/Na_2O$ 도에 도시한 결과 명성산화강암은 점토가 결핍된 근원암인 사질암과 잡사암 사이의 조성을 갖는 변성퇴적암류로부터 유래하였거나 이에 상응하는 화성암으로부터 유래하였으며, 전암 저어콘 포화 온도를 계산해 본 결과 $740-799^{\circ}C$ 온도 조건에서 용융되어 생성되었음을 알 수 있다.

• 한국진공학회지
• /
• 제11권3호
• /
• pp.135-140
• /
• 2002

본 논문에서는 p-type (100)Si, (100)MgO 그리고 MgO/si 기판 위에 RF Magnetron sputtering 법으로 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST)박막을 증착하였다. BST 박막 증착 후 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 $600^{\circ}C$에서 산소분위기로 1분간 고온 급속 열처리를 하였다. 증착된 BST박막의 결정화를 조사하기 위해 XRD(X-Ray Diffraction)측정을 한 결과 모든 기판에서 (110) $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(의 주피크가 관찰되어졌고, 열처리 후 재결정화에 기인하여 피크 세기가 증가함을 관찰할 수 있었다. Al 전극을 이용한 커패시터 제작 후 측정한 C-V(Capacitance-Voltage) 특성에서 각각의 기판에서 측정된 커패시턴스 값으로 계산된 유전율은 120(bare Si), 305(Mgo/Si) 그리고 310(MgO)이었다. 누설 전류 특성에서는 0.3 MV/cm이내의 인가전계에서 1 $\mu\textrm{A/cm}^2$ 이하의 안정된 값을 보여주었다. 결론적으로 MgO 버퍼층을 이용한 기판이 BST 박막의 증착을 위한 기판으로써 효과적임을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제2권1호
• /
• pp.29-34
• /
• 1995

Glass 물질을 첨가하여 저온소결한(Ba, Sr, Ca) TiO3 세라믹 유전체의 전기 및 기계 적 특성을 조사하였다. PbO-ZnO-B2O3 계 glass를 첨가하여 소결온도를 135$0^{\circ}C$ to 105$0^{\circ}C$ With 4wt% of glass material the sintered specimen at 115$0^{\circ}C$ for 2hrs showed a dielectric constant over 8000 with low dissipation factor. As fired ceramic capacitor satisfied the Z5U( +10~ +85$^{\circ}C$; +22% ~-56%) specifications of the EIAs. The mechanical hardness and toughness of glass reacted ceramics slightly decreased but it hows higher hardness and toughness values than Lead perovskite dielectrics.

• 공업화학
• /
• 제8권4호
• /
• pp.589-594
• /
• 1997

화학증착법을 통하여 $650^{\circ}C$의 증착온도와 0.0126Torr의 산소분압인 증착조건에서 원료물질로 $\beta$-diketonates 킬레이트 화합물을 사용하여 Si(111) 및 $SrTiO_3(100)$ 기판에 $YBa_2Cu_3O_y$ 고온 초전도 박막을 제조하였다. $SrTiO_3(100)$기판에서 제조된 박막의 $T_{c,onset}$과 $T_{c.0}$는 각각 91K와 87K로 나타났다. 또한, Si(111)기판에서 제조된 박막의 $T_{c,onset}$은 91K였지만 $T_{c.0}$는 액체질소 비등점(77.3K)에서는 보이지 않았다. $SrTiO_3(100)$에 증착된 초전도 박막은 치밀하고 2차원적으로 배열된 미세구조를 갖고 있는 반면, Si(111)에 증착된 초전도 박막은 상대적으로 기공이 많으며 무질서한 미세구조를 형성하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제53권3호
• /
• pp.128-132
• /
• 2004

The perovskite ferroelectric materials of the PZT, SBT and BST series will attract much attention for application to ULSI devices. Among these materials, the BST ($Ba_0.6$$Sr_0.4$/$TiO_3$) is widely considered the most promising for use as an insulator in the capacitors of DRAMS beyond 1 Gbit and high density FRAMS. Especially, BST thin films have a good thermal-chemical stability, insulating effect and variety of Phases. However, BST thin films have problems of the aging effect and mismatch between the BST thin film and electrode. Also, due to the high defect density and surface roughness at grain boundarys and in the grains, which degrades the device performances. In order to overcome these weakness, we first applied the chemical mechanical polishing (CMP) process to the polishing of ferroelectric film in order to obtain a good planarity of electrode/ferroelectric film interface. BST ferroelectric film was fabricated by the sol-gel method. And then, we compared the surface characteristics before and after CMP process of BST films. We expect that our results will be useful promise of global planarization for FRAM application in the near future.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
• /
• pp.685-688
• /
• 2003

[ $(Ba,Sr,Ca)TiO_3$ ] powders, prepared by the sol-gel method, were mixed with an organic vehicle and the BSCT thick films were fabricated by the screen printing techniques on alumina substrates. The grain size decreased with increasing amounts of $MnO_2$, and the BSCT(50/40/10) thick film doped with 1wt% $MnO_2$ showed a value of 6.5mm. The thickness of thick films by four-cycle on printing/drying was approximately 100mm. The relative dielectric constant, dielectric loss and tunability of the BSCT(S0/40/10) thick films doped with 1.0wt% $MnO_2$ were 1296, 0.61% and 11.18%, respectively.