Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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1997.05b
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pp.630-635
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1997
본 연구에서는 원자력 선진국들의 원자력 미래기술의 예측 사례를 조사ㆍ분석하고, 이를 우리나라의 사례와 비교하였다. 조사된 미래 원자력 기술예측 및 수준 평가는 국외의 경우 일본, 독일 그리고 프랑스의 사례가 조사되었고 국내에서는 과학기술정책관리연구소와 한국원자력연구소의 사례를 원용하였다. 이들 사례에서 공통적으로 평가하고 있는 기술의 중요성, 실현시기 그리고 제약요인을 비교하였다. 기술평가 결과에 나타난 일반적인 특징은 우선 개별기술의 중요성 평가에서는 공통적으로 방사성패기물처리, 원전내진설계 그리고 원전해체기술 등과 같이 이미 활용중인 기술로서 기존 시설의 안전성을 향상시킬 수 있는 기술의 중요성을 높이 평가하고 있다. 다음으로 실현시기 평가에서는 레이저빔 이용기술과 같이 인접과학 분야의 발전에 따른 시너지 효과가 기대되는 분야의 기술이 2010년 이전에 실현될 것으로 평가하고 있다. 마지막으로 기술개발의 저해요인의 평가는 조사사례 별로 정도의 차이는 있으나 기술적 제약요인이 가장 높고, 다음으로 경제적 제약 그리고 사회적 제약의 순으로 평가하고 있다.
전력전자가 가지고 있는 현황을 분석하여 보면 Electronics, Power 그리고 Control등의 기술이 결합되어 있다는 것을 알 수 있고, 이미 응용기술에서 그 진가를 유감없이 발휘하여 새로운 분야의 테두리를 견고하게하고 있다. 그리고, 학회나 국제학술회의에서 많은 연구발표가 이루어지고 있다.
Software Defined Network(SDN)은 네트워크의 새로운 기술 트렌드로서 Cloud Computing, LTE 백본망등 다양한 분야에서 네트워크 리소스의 가상화 및 효율적 관제에 적용되고 있다. 본 논문에서는 SDN의 다양한 사용 예와 문제점, 그리고 이를 해결하기 위한 방안을 살펴본다.
Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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v.26
no.1
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pp.88-95
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1999
구강내의 교정 장치는 미생물 전파에 있어서 다양한 장소를 제공한다. 치태는 치아 우식증 발생에 있어 매우 큰 역할을 하며 미생물, 비세포성 물질로 구성되어 있다. 본 연구의 목적은 생체외에서 교정용에서의 인공 치태 생성에 영향을 주는 요인을 평가하는 것이다. Streptococcus mutans type c는 $CO_2$ incubator내의 $37^{\circ}C$에서 brain heart infusion broth에서 배양 되었다. 중절치에 사용하는 9개의 $.018"{\times}.025"$ standard edgewise brackets을 3개씩 비이커의 배양액에 매달았다. 3개 비이커의 배양액 pH는 각 각 pH 5.5, 7.0 그리고 8.5로 조절되었다. 5시간 후에 비이커에서 각각의 bracket을 꺼내서, bracket의 평균 무게를 측정하였다. 배지의 stirring effect를 측정하기 위하여 3개씩 $.018"{\times}.025"$ standard edgewise brackets을 2개의 비이커에 위치시켰다. 12개의 brackets을 $CaCl_2$(0.25, 1.0, 4.0 그리고 16.0mM). KCl(2.5, 10, 40 그리고 160mM) 그리고 $MgCl_2$(0.1, 0.4, 1.6, 그리고 6.4mM) 용액에 각각 매달았다. 6개의 $.018"{\times}.025"$ standard edgewise brackets, 6개의 $.022"{\times}.028"$ Roth brackets과 6개의 $.022"{\times}.028"$ Broussard brackets을 각각의 비이커 내에 매달았다. 배양액 내에서 5시간 동안 배양한 후 각각의 brackets을 근사값의 milligram 단위로 측정하였다. 그룹 사이의 차이는 Mann-Whitney와 Kruskal-Wallis tests를 이용하여 비교하였다. p value<0.05의 조건에서 이들의 차이는 통계학적 유의성을 갖는다. 5시간 동안 pH 5.5에서 배양된 Streptococcus mutans에 의해 형성된 인공 치태는 pH 7.0 이나 pH 8.5에서 배양된 것보다 작았다(p<0.05). 인공 치태는 배양하는 동안 저어졌을 때 더 많이 형성되었다(p<0.05). 결론적으로 bracket에 형성된 인공 치태는 좀 더 높은 알칼리성 배지에서 배양됨으로써, 그리고 배양 동안 배지를 저어줌으로써 유의성있게 증가하였다. 그러나 배지의 $CaCl_2,\;KCl,\;MgCl_2$의 농도와 상업적으로 다른 종류의 이용 가능한 교정용 bracket에 대해서는 유의한 차이가 없었다.
The antifungal activities of 153 extracts from 51 species of Korean mushroom on six phytopathogenic fungi were investigated. The powder of fruit-body of each mushroom was extracted with petroleum ether, 80% ethanol and distilled water. The water extracts of four mushrooms including Amanita virosa showed antifungal activities on Alternaria alternata, Colletotrichum graminicola, Fusarium solani, Idriella bolleyie. The 80% ethanol extracts of seven mushrooms including Boletus auripes showed antibiotic activities against A. alternata, C. gramincola, Cylindrocarpon destructans, F. solani, F. oxysporum cucumerinum, and I. bolleyie. The petroleum ether extracts of six mushrooms including Amanita citrina showed antibiotic activities against A. alternata, C. destructans, and C. graminicola. The 102 extracts of 34 mushrooms including Agaricus arvensis didn't show antibiotic activities.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.45-45
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2000
PDP, FED, 그리고 VFD와 같은 마이크로 전자디스플레이 장치를 제작하기 위한 가장 중요한 기술중에 하나인 패널 내를 고진공으로 만드는 것과 초기의 진공을 유지하는 것이다. PDP 디스플레이는 전면판과 후면판으로 구성되어 있다. 전면판은 ITO전극, 절연체 그리고 MgO보호막으로 구성되어 있으며, 후면판은 어드레스 전극, 반사층, 격벽, 그리고 형광체층이 있다. 기존의 방식은 대기에서 프릿 글라스를 이용하여 두 장의 유리를 봉입하고, 후면판 모서리 부분에 있는 구멍에 배기 글라스 튜브를 붙이고, 튜브를 통해서 배기하고, 플라즈마 가스를 채우고, 최종적으로 tip-off를 한다. 이러한 기존의 방식을 통해서는 배기 컨덕턴스의 한계로 얻을 수 있는 초기 진공도에 한계가 있다. 아울러 두 장의 유리사이는 150$\mu$m 정도의 간격으로 되어 있고, 이웃한 격벽사이는 320$\mu$m 정도의 미세한 공간이 주어지는 구조가 컨덕턴스를 저하시킨다. 이와 같은 초기 진공도의 한계성을 극복하기 위한 연구로서, PDP 패널을 구성하는 두 장의 글라스를 진공 챔버내에서 IR heater를 이용하여 실장하였다. 대개 PbO, ZnO, SiO2,, 그리고 B?로 구성된 프릿 글라스를 대기에서 전면판에 dispensing하고 가소한다. 그리고 프릿 글라스가 형성된 전면판과 후면판을 loading, align 한 다음, 2 10-7torr까지 펌핑한 후 heating, holding 그리고 cooling 공정을 수행하므로 써 두 장의 유리를 실장하였다. 그러나 온도의 non-uniformity, 프릿 성분에 따라서 crack과 기포문제가 진공 실장과정에서 발생하였다. 이와 같은 문제를 개선하기 위해 프릿 글라스의 새로운 조성과 온도 uniformity를 유지하므로써, 프릿 글라스의 기포와 crack 발생없이 재현성 있게 진공 실장하였다. Leak channel 형성유무를 검증하기 위하여 챔버 자체의 펌핑 속도와 제작된 패널의 펌핑 속도를 비교하므로써, leak channel형성 유무를 평가할 수 있는 방법을 이용하였다. 이와 같은 방법을 이용하여, crack 또는 기포가 있는 패널은 leak channel을 형성하여 패널내의 진공을 유지할 수 없음을 검증하였고, crack 또는 기포가 없는 패널은 leak channel없이 패널내의 진공을 유지할 수 있음을 검증하였다. 결과적으로 진공 인-라인 실장시 가장 중요한 요인인 프릿의 변화를 분석하므로써, 고진공을 요구하는 FPD(PDP, FED, VFD)에 적합하게 적용할 수 있으며, 아울러 실장시 진공도를 개선하므로 패널내부의 오염을 최소화하여 디스필레이로서의 효율을 극대화할 수 있을 것이다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.184-184
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1999
반도체소자의 고집적, 미세화에 따라 MOSFET 소자에서의 고농도, 미세접합이 요구되고 있다. 이러한 고농도, 미세접합을 형성하기 위하여 기존의 저에너지 이온주입법을 대체 또는 병행할 목적으로 플라즈마 이온주입방법이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 이온주입방법을 이용하여 (100) 실리콘 기판에 보론을 주입후 열처리하여 형성된 p+층의 도펀트의 활성화와 이온주입으로 인한 실리콘 기판의 손상을 고찰하였다. 본 실험에서 (100)실리콘 기판에 도핑할 소스 가스로 BF3을 주입하고, D.C. pulse 플라즈마 도핑시스템을 사용하여 플라즈마 내의 보론이온을 웨이퍼 홀더에 -1~-5kV의 인가된 음전압에 의해 가속시키어 실리콘 웨이퍼에 주입하였다. 주입에너지 -1kV, -3kV, -5kV와 1$\times$1015, 3$\times$1515의 dose로 주입된 실리콘 기판을 급속가열방식(RTP)을 사용하여 $600^{\circ}C$~110$0^{\circ}C$의 온도구간에서 10초와 30초로 열처리하여 도펀트의 활성화와 미세접합을 형성한 후 SIMS, four-point probe, Hall 측정, 그리고 FT-IR을 이용하여 플라즈마 이온주입된 도펀트의 거동과 활성화율을 관찰하였고 FT-IR과 TEM의 분석을 통하여 이온주입으로 인한 실리콘 기판의 손상을 고찰하였다. SIMS, four-point probe, Hall 측정, 그리고 FT-IR의 분석으로 열처리 온도의 증가에 따라 도펀트의 활성화율이 증가하였고, 이온주입 에너지와 dose 그리고 열처리 시간의 증가에 따라서 주입된 도펀트의 활성화는 증가하였다. 그리고 주입에너지와 dose 그리고 열처리 시간의 증가에 따라서 주입된 도펀트의 활성화는 증가하였다. 그리고 주입에너지와 dose를 증가시키면 접합깊이가 증가함을 관찰하였다. 이온주입으로 인한 기판손상의 분석을 광학적 방법인 FT-IR과 미세구조를 분석할 수 있는 TEM을 이용하여 분석하였다. 이온주입으로 인한 dislocation이나 EOR(End Of Range)과 같은 extended defect가 없었고, 이온주입으로 인한 비정질층도 없는 p+층을 얻을수 있었다.
The removal of three pesticides which were residued in chinese cabbage was investigated during making process of Kimchi. When chinese cabbage was washed by water, the removal rates of three pesticides were 62.0%, 54.8% and 61.1% for pirimiphos-methyl, chlorpyrifos and prothiofos, respectively. Pesticides remaining in chinese cabbage after washing by water were also removed from 22.4% to 23.8% by salting. During the fermentation of kimchi for 24 days at 4。C, the pH was lowered 4.5 from 5.8 and the residual amount of pesticides was decreased by 51.4% to 69.4% for three Pesticides remaining after washing and salting On the other hand, when Kimchi was fermented under various temperature for 11 days, the residual amount of chlorpyrifos was decreased up to 29.2%, 45.0% and 77.3% of initial concentration at 4, 10 and 20 。C, respectively. The residual amount of chlorpyrifos in Kimchi was decreased up to 16.3% by heating at 100 。C for 6.5 minutes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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