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Heterostructure 열처리에 의한 Bi 조성 제어가 SrBi$_2$Ta$_{2-x}$Nb$_x$O$_9$ 박막의 강유전 특성에 미치는 영향 (The Effect of Bismuth Composition Controlled by Heat Treating Heterostructure on the Ferroelectric Properties of SrBi$_2$Ta$_{2-x}$Nb$_x$O$_9$ Thin Films)

  • 박윤백;이전국;정형진;박종완
    • 한국세라믹학회지
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    • 제35권10호
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    • pp.1040-1048
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    • 1998
  • Ferroelectric properties of{{{{ { { { {SrBi }_{2 }Ta }_{2-x }Nb }_{x }O }_{9 } }} (SBIN) thin films were affected by the amount of Bi content in SBTN. The addition of Bi into the SBTN films could be accomplished by heat treating SBTN/Bi2O3/SBTN het-erostructures fabricated by r.f. magnetron sputtering method. The variation of Bi content was controlled by changing the thickness of the sandwiched Bi2O3 in SBTN/Bi2O3/SBTN heterostructure from 50 to 400$\AA$. As changing the thickness of the sandwiched Bi2O3 in Bi2O3 films was increased from 0 to 100$\AA$ the grain grew faster and the ferroelectric pro-perties were improved. On the other hand when the thickness of Bi2O3 films was thicker than 150$\AA$ the fer-roelectric properties were deteriorated Especially for SBTN thin films inserted by 400$\AA$ Bi2O3 layer a Bi2Phase appeared as a second phase resulting in poor ferroelectric properties. The maximum remanent po-larization (2Pr) and coercive field(Ec) were obtained for the SBTN/Bi2O3/(100$\AA$)/SBTN thin films. In this case 2Pr and Ec were 14.75 $\mu$C/cm2 and 53.4kV/cm at an applied voltage of 3V respectively.

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$(1-x)Al_2O_3-xLa_2O_3$계 세라믹스의 소결 및 유전특성 (Sintering and Dielectric Characteristics of $(1-x)Al_2O_3-xLa_2O_3$ Ceramics)

  • 최상수;여기호;김강언;정수태
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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    • pp.618-620
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    • 2002
  • The sintering and dielectric characteristics of $(1-x)Al_2O_3-xLa_2O_3$ ceramics (x=0.2, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8, 1.0) were investigated. The sample of x=0.6 composition showed a largest density$(6.5g/cm^3)$ in the all samples and its grain were very uniform. The dielectric constant of the samples linearly increased from 9 to 17 up to x=0.6 with a increasing of x. The temperature coefficient of resonance frequency for the samples showed a positive value at x=0.2 and a negative value at x>0.4.

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0.25 ㎛ GaN HEMT 기술을 이용한 우수한 성능의 X-대역 전력 증폭기 (High performance X-band power amplifier MMIC using a 0.25 ㎛ GaN HEMT technology)

  • 이복형;박병준;최선열;임병옥;고주석;김성찬
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.425-430
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    • 2019
  • 본 논문에서는 게이트 길이가 $0.25{\mu}m$인 GaN HEMT 기술을 사용하여 개발된 X-대역 전력 증폭기의 특성을 기술한다. 개발된 X-대역 전력 증폭기는 9~10 GHz의 대역에서 22.7 dB 이상의 소신호 이득과 43.02 dBm(20.04 W) 이상의 포화 출력 전력을 가진다. 최대 포화 출력 전력은 9.5 GHz에서 43.84 dBm (24.21 W)이였다. 전력 부가 효율은 41.0~51.24%의 특성을 얻었으며 칩의 크기는 $3.7mm{\times}2.3mm$이다. 출력 전력 밀도는 $2.84W/mm^2$를 나타내었다. 개발된 GaN 전력 증폭기는 다양한 X-대역 레이더 응용에 적용 가능할 것으로 예상된다.

새로운 H-자형 이메소겐 화합물의 액정특성에 치환기가 미치는 효과 (The Effect of Substituents on the Liquid Crystalline Behavior of New H-Shaped Dimesogenic Conpounds)

  • 박주훈;진정일
    • 대한화학회지
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    • 제42권3호
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    • pp.315-322
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    • 1998
  • 새로운 에메소겐 액정화합물들을 합성하였고, 이들의 열적 및 액정 성질을 DSC와 가열판이 부착된 편광현미경을 사용하여 조사하였다. 이 화합물들 즉, 1,10-bis[2,5-bis(4-substitutedphenoxycarbonyl)phenoxy]decane은 "H-자형" 이합체 대칭화합물의 구조로 중앙의 테페프탈로일 단위에 oxydecamethyleneoxy 격자를 통하여 상호 연결된 두 개의 bis(p-substitutedphenoxy)terephthalate 단위로 이루어졌다. 메소겐의 치환기는 X=-F, -H, -I, -Cl, -Br, $-NO_2,\;-CF_3,\;-OC_4H_9-CN$$-C_6H_5$를 바꾸어 보았다. $X=-OC_4H_9-CN$$C_6H_5$ 화합물은 단방성 네마틱액정이었으며 이에 비하여 X=-F, -H, -I, -Cl, -Br, $-NO_2$$-CH_3$는 액정이 아니었다. 이 화합물들의 네마틱 그룹 효율은 $-C_6H_5>-CN>-OC_4H_9$ 순이었다.

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INFLUENCE OF B AND Nd CONTENT ON THE MAGNETIC PROPERTIES OF ${\alpha}-Fe$ BASED NdFeB MAGNETS WITH ULTRAFINE GRAINS

  • Cho, Y.S.;Kim, Y.B.;Park, W.S.;Kim, C.S.;Kim, T.K.
    • 한국자기학회지
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    • 제5권5호
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    • pp.427-431
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    • 1995
  • The influence of Nd and B contents on the magnetic properties and structures of ${\alpha}-Fe$ based Nd-(Fe,Co)-B-Mo-Cu alloys was investigated. $Nd_{4}{(Fe_{0.9}Co_{0.1})}_{92-x}B_{x}Mo_{3}Cu_{1}$ and $Nd_{x}{(Fe_{0.9}Co_{0.1})}_{86-x}B_{10}Mo_{3}Cu_{1}$ amorphous alloys prepared by rapid solidification process were crystallized to form nanocrystalline structure. The increase of B content in $Nd_{4}{(Fe_{0.9}Co_{0.1})}_{92-x}B_{x}Mo_{3}Cu_{1}$ nanocrystalline resulted in the change of stucture of soft phase in the sequence of ${\alpha}-Fe$->${\alpha}-Fe+Fe_{3}B$->$Fe_{3}B$. The coercivitis of the alloys were increased with increasing B content and was 263 kA/m at x=18. On the contrary, the remanence has shown an opposite trends. The increase of Nd content in $Nd_{x}{(Fe_{0.9}Co_{0.1})}_{86-x}B_{10}Mo_{3}Cu_{1}$ nanocrystalline containing ${\alpha}-Fe$ as main phase had no effect on the structure and improved coercivity up to 256 kA/m. However, the remanence was decreased from 1.4 T to 1.15 T according to the increase of Nd content.

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$Pb_{1-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_3$(x=0.1)(PLT(10)) 강유전체 박막에서 동적 초전특성의 주파수 의존성에 관한 연구 (A study on the Frequency Dependence of Dynamic Pyroelectric Properties for $Pb_{1-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_3$(x=0.1)(PLT(10)) Ferroelectric Thin Film)

  • 차대은;장동훈;강성준;윤영섭
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.104-107
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    • 2001
  • The fabricated La-modified lead titanate (PLT) thin flirt without poling treatment was investigated for modulation frequency dependence of pyroelectric properties by the dynamic method. $Pb_{1-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_3$PLT (x=0.1) thin film having 10 mol% La content was deposited on a Pt/$TiO_{x}$/$SiO_2$/Si substrate by sol-gel method. The PLT(10) thin film exhibits a relatively excellent dielectric property. The pyroelectric coefficient (p) of the PLT(10) thin film is 6.6 x $10^{-9}$C/$\textrm{cm}^2$.K without frequency dependence. The figure of merits for the voltage responsivity and specific detectivity are 1.03${\times}$$10^{-11}$/C.cm/J and 1.46 x $10^{-9}$C.cm/J, respectively. The PLT(10) thin film has voltage responsivity ($R_{V}$) of 5.15 V/W at 8 Hz. Noise equivalent power (NEP) and specific detectivity (D*) of the PLT(10) thin film are 9.93 x $10^{-8}$W/Hz$^{1/2}$ and 1.81 x $10^{6}$ cmHz$^{1/2}$/W at the same frequency of 100 Hz, respectively. The results means that PLT thin film having 10 mol % La content is suitable for the sensing materials of pyroelectric IR sensors.

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염산의 항비타민제인 9-Methyl Folate가 흰쥐의 엽산대사에 미치는 영향 (9-Methyl Folate, an Antagonist of Folic Acid : Ist Effect on the Metabolism of Folic Acid in the Rat)

  • 민혜선
    • Journal of Nutrition and Health
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    • 제24권4호
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    • pp.337-343
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    • 1991
  • 엽산의 항비타민제인 9-methyl folate가 흰 쥐의 엽산 대사에 미치는 영향을 조사하기 위하여, Sprague-dawley 암컷 쥐를 엽산 결핍식이군, 대조군, x-methyl folate 투여군으로 나누어 실험하였다. 9-methyl folate는 실험동물에게 엽산 결핍증을 유발시키는 x-methyl folate의 성분 가운데 주된 항비타민제이며, 본 실험에서는 식이 1kg당 5g의 x-methyl folate를 첨가하였다. x-methyl folate를 실험동물에게 먹였을 때 히스티딘의 산화속도와 간장내의 엽산 농도가 크게 저하되었으며, $[^{3}H]folate$를 복강에 투여한 후 24시간 내에 간장에 보유되는 엽산의 양도 x-methyl folate 투여군에 있어 유의적인 감소를 보였다. 이 실험 결과에서 9-methyl folate는 흰 쥐에 있어 엽산이 간으로 유입되어 보유되는 과정을 저해하므로써 간장 내의 엽산의 양을 저하시키며, 그 결과 히스티딘의 산화속도도 저하된 것으로 보인다.

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다결정 Ge1-xMnx 박막에서 Ge3Mn5 상의 형성과 특성 (Formation of Ferromagnetic Ge3Mn5 Phase in MBE-grown Polycrystalline Ge1-xMnx Thin Films)

  • 임형규;찬티난안;유상수;백귀종;임영언;김도진;김효진;김창수
    • 한국자기학회지
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    • 제19권3호
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    • pp.85-88
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    • 2009
  • 다결정 $Ge_{1-x}Mn_x$ 박막의 자기적 상들에 관한 연구가 이루어졌다. Molecular beam epitaxy(MBE) 장비를 이용해 $400^{\circ}C$ 에서 $Ge_{1-x}Mn_x$ 박막을 성장시켰다. $Ge_{1-x}Mn_x$ 박막의 캐리어 유형은 P타입 이였고, 전기 비저항 값은 $4.0{\times}10^{-2}{\sim}1.5{\times}10^{-4}ohm-cm$이었다. 자기적인 특성과 미세구조의 분석에 기초하여 $Ge_{1-x}Mn_x/SiO_2$/Si(100) 박막에 310 K 이내의 큐리에온도를 지닌 강자성의 $Ge_3Mn_5$ 상이 형성되었음을 알 수 있었다. 게다가, $Ge_3Mn_5$ 상이 형성된 $Ge_{1-x}Mn_x$ 박막은 20 K, 9 T의 자기장에서 약 9%의 음의 자기저항을 보였다.

저압 MOCVD법에 의한 (100)-GaAs 기판위의 $Ga_xIn_{1-x}P$ 성장과 특성 (Low Prewwure MOCVD Growth and Characterization of $Ga_xIn_{1-x}P$ Grown on (100) GaAs Substrates)

  • 전성란;손성진;조금재;박순규;김영기
    • 한국진공학회지
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    • 제3권1호
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    • pp.94-102
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    • 1994
  • x- 0.51인 GaxIn1-x-P 에피층을 저압 MOCVD 성장법으로 TEGa(triethylgallium) TmIn(trimethylindium)등의 MO(metalorganic) 원료와 PH3(phosphine)를 사용하여 GaAs(100) 기판위에 성장하였다. 성장조건에 의한 표면 morphology 결정결함 성분비 PL spectra 운반자 농도와 이동도 및 DLTS spectra와 같은 성장층의 특성을 관찰하였다, $650^{\circ}C$의 성장온도와 V/III비, 즉 TEGa와 TMIn 두 원료의 유량에 대한 PH3 의유량변화에 아무런 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. Ga0.51In0.49P에피층과 기판의 격자상수 차에 의한 격자 부정합 $\Delta$a /a0은 약 (3.7~8.9)x10-4 이었으며 실온과 5Kd서 에피층의 PL 피크 에너지는 각각 1.85eV와 1.9eV였다. 성장층의 운반자 농도와 이동도는 V/III 비에 따라 달라지 는데 그비가 120에서 220으로 증가함에 따라 농도는 1.8x1016cm-3에서 8.2x1016cm-3로 증가하였고 이동도 는 1010cm/V.sec에서 366cm/V.sec로 감소하였다.

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Structural and piezoelectric properties of lead-free (1-x)$(Na_{0.5}\;K_{0.5})NbO_3$-xBa($Ti_{0.9}$, $Sn_{0.1}$)$O_3$ ceramics

  • 차유정;남산;김창일;정영훈;이영진;백종후
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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    • pp.33.1-33.1
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    • 2009
  • Lead-free (1-x)$(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3$-xBa($Ti_{0.9}Sn_{0.1})O_3$ [NKN-BTS-100x] ceramics doped with 1 mol% $MnO_2$ have been prepared by the conventional solid state method and their structural and piezoelectric properties were investigated. The NKN-BTS-100x ceramics exhibited a dense and homogeneous microstructure when they were sintered at $1030-1150^{\circ}C$. Grain growth was observed for the specimen sintered at relatively low temperature of $1050^{\circ}C$. A tetragonal/orthorhombic morphotropic phase boundary (MPB) in the perovskite structure was also appeared for the NKN-BTS-100x ceramics (0.04$1050^{\circ}C$. The enhanced piezoelectric properties in the NKN-BTS ceramics with a MPB composition were obtained. Especially, for the NKN-BTS-6 ceramics, a high dielectric constant (${\varepsilon}^T_3/\varepsilon_0=1,400$), piezoelectric constant ($d_{33}=237$) and electromechanical coupling factor ($k_p=0.42$) were obtained.

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