• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
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• pp.53.2-53.2
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• 2010

지금까지 능동 구동 디스플레이의 TFT backplane에 사용하고 있는 채널 물질로는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)과 저온 폴리실리콘(low temperature poly-Si)이 대표적이다. 수소화된 비정질 실리콘은 TFT-LCD 제조에 주로 사용되는 물질로 제조 공정이 비교적 간단하고 안정적이며, 생산 비용이 낮고, 소자 간 특성이 균일하여 대면적 디스플레이 제조에 유리하다. 그러나 a-Si:H TFT의 이동도(mobility)가 1 cm2/Vs이하로 낮아 Full HD 이상의 대화면, 고해상도, 고속 동작을 요구하는 UD(ultra definition)급 디스플레이를 개발하는데 있어 한계 상황에 다다르고 있다. 또한 광 누설 전류(photo leakage current)의 발생을 억제하기 위해서 화소의 개구율(aperture ratio)을 감소시켜야하므로 패널의 투과율이 저하되고, 게이트 전극에 지속적으로 바이어스를 인가 시 TFT의 문턱전압(threshold voltage)이 열화되는 문제점을 가지고 있다. 문제점을 극복하기 위한 대안으로 근래 투명 산화물 반도체(transparent oxide semiconductor)가 많은 관심을 얻고 있다. 투명 산화물 반도체는 3 eV 이상의 높은 밴드갭(band-gap)을 가지고 있어 광 흡수도가 낮아 투명하고, 광 누설 전류의 영향이 작아 화소 설계시 유리하다. 최근 다양한 조성의 산화물 반도체들이 TFT 채널 층으로의 적용을 목적으로 활발하게 연구되고 있으며 ZnO, SnO2, In2O3, IGO(indium-gallium oxide), a-ZTO(amorphous zinc-tin-oxide), a-IZO (amorphous indium-zinc oxide), a-IGZO(amorphous indium-galliumzinc oxide) 등이 그 예이다. 이들은 상온 또는 $200^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서 PLD(pulsed laser deposition)나 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition)으로 손쉽게 증착이 가능하다. 특히 이중에서도 a-IGZO는 비정질임에도 불구하고 이동도가 $10\;cm2/V{\cdot}s$ 정도로 a-Si:H에 비해 월등히 높은 이동도를 나타낸다. 이와 같이 a-IGZO는 비정질이 가지는 균일한 특성과 양호한 이동도로 인하여 대화면, 고속, 고화질의 평판 디스플레이용 TFT 제작에 적합하고, 뿐만 아니라 공정 온도가 낮은 장점으로 인해 플렉시블 디스플레이(flexible display)의 backplane 소재로서도 연구되고 있다. 본 실험에서는 rf sputtering을 이용하여 증착한 a-IGZO 박막에 대하여 열처리 조건 변화에 따른 a-IGZO 박막들의 광학적, 전기적 특성변화를 살펴보았고, 이와 더불어 a-IGZO 박막을 TFT에 적용하여 소자의 특성을 분석함으로써, 열처리에 따른 Transfer Curve에서의 우리가 요구하는 Threshold Voltage(Vth)의 변화를 관찰하였다.

• 한국식품위생안전성학회지
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• 제3권1호
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• pp.7-18
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• 1988

식품중의 중금속 오염물질에 대한 추이를 감시하여 식품의 안전성을 확보하고 건강상의 위해를 방지하기 위한 노력을 계속하고 수산식품중 견류중의 중금속 분포상태를 파악하기 위해국내 주요 연안에서 자연서식 또는 인공 양식되고 있는 패류 9종 200건을 대상으로 Hg, Pb, Cd, As, Cu, Sn, Mn의 7개 중금속을 ICP, Spectrophotometer를 사용하여 측정한 결과는 다음과 같다. 1. Hg의 전체 함량범위는 ND~0.221 ppm이었고, 각 패류별 평균 함유량은 피조개 0.011 ppm, 꼬막 0.013 ppm, 전복 0.014 ppm, 홍합 0.018 ppm, 바지락과 굴이 0.025 ppm, 백합이 0.056 ppm, 소라고둥 0.074 ppm,골뱅이 0.090 ppm 이었다. 2. Pb의 전체 함량 범위는 0.05~1.15 ppm 이었으며 각 패류별 평균함량은 골뱅이, 꼬막이 각각 0.26~0.28 ppm 피조개, 소라고둥, 전복, 홍합이 0.32~0.33 ppm, 굴이 0.43 ppm, 바지락이 0.52 ppm , 백합이 0.53 ppm이었다. 3.Cb의 전체 함량범위는 0.02~1.86 ppm이었으며, 각 패류별 평균함량은 바지락 0.14 ppm, 홍합 0.19 ppm, 홍합 0.30 ppm, 피조개 0.53 ppm, 골뱅이 0.57 ppm, 전복, 굴 , 소라고둥이 0.78~0.80 ppm이며 꼬막이 1.37 ppm으로 가장 높았다. 4. As의 전체 함량의 범위는 0.50~3.97 ppm이었으며 각 패류별 평균함량은 홍합 0.65 ppm, 백합 0.72 ppm, 피조개 0.77 ppm 꼬막 0.79 ppm, 굴 0.88 ppm, 바지락 10.29 ppm, 전복 1.49 ppm, 골뱅이 2.11 ppm 소라고둥 2.30 ppm이었다. 5. Cu의 전체 함량 범위는 0.16~54.16 ppm 이었으며 패류별 평균함량은 피조개 0.95 ppm, 꼬막 1.10 ppm, 홍합 1.38 ppm, 백합 1.58 ppm, 바지락이 1.78 ppm, 전목이 53 ppm, 골뱅이 9.89 ppm, 소라고둥은 9.73 ppm, 굴에서 13.96 ppm, 골뱅이 9.89 ppm,소라고둥은 9.73 ppm , 굴에서 13.96 ppm으로 가장 높았다. 6.Sn의 전체 함량의 범위는 7.40~207.17 ppm이었으며, 패류별 평균함량은 바지락 12.16 ppm, 꼬막 14.98 ppm, 백합이 15.84 ppm, 피조개 16.58 ppm, 홍합 18.84 ppm, 전복이 21.46 ppm, 골뱅이 29.71 ppm, 소라고둥이 37.77 ppm 굴이 96.58 ppm으로 가장 높았다. 7. Mn의 전체 함량 범위는 0.13~8.72 ppm이었고 각 패류별 평균함량은 전복 0.96 ppm, 소라고둥 1.48 ppm, 홍합 2.25 ppm, 골뱅이 2.46 ppm, 피조개 2.80 ppm 백합 3.04 ppm, 바지락 4.44 ppm, 꼬막 6.06 ppm, 굴 6.66 ppm이었다. 8. 측정된 패류중의 중금속 분포결과와 기타 국내에서 보고된 분석치, 외국의 분석치 및 현제치를 종합적으로 비교 검토하여 볼 때 최고치에 있어서 다소 높은 것도 있었으나 평균함량과 90%치에 있어서는 문제시 될 수 있는 량은 아니었다. 9. 패류중 산지별로 다소 높은치를 나타낸 것에 대하여는 계속적인 조사연구가 필요하다고 생각된다.

• 한국자기학회지
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• 제7권1호
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• pp.25-30
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• 1997

치환형 Ba-ferrite의 수소환원 거동은 순수한 Ba-ferrite와는 다르게 나타났다. 환원온도 250 .deg. C에서 520 .deg. C의 범위에서 치환형 Ba-ferrite의 보자력은 증가하다가 다시 감소하는 반면에 순수한 Ba-ferrite는 계속 감소 하였다. 치환형 Ba-ferrite의 환원과정은 환원되는 정도에 따라 3단계로 나뉘어진다. 1과 2단계에서 Ba-ferrite의 구조는 그대로 유지를 하지만 자기적 성질은 다르게 나타났다. 1단계에서 보자력은 증가하고 산화처리시 가역적이지만, 2단계에서는 보자력이 더욱 증가하고 산화처리시 비가역적이었다. 그러나 3단계에서는 Ba-ferrite 구조 자체가 붕괴되어 .alpha. -Fe와 소량의 BaFe $O_{3-x}$의 생성으로 $H_{c}$는 크게 감소하고 포화자화값은 130 emu/g으로 크게 증가하였다. 이 때 보자력 분포도는 크게 넓어지며 입자크기도 감소하였다. 또한 치환이온들은 환원과정에서 Ba-ferrite 구조의 붕괴를 억제하였으며, 2a + 4 $f_{IV}$ , 2b 및 12k 자리의 치환이온들이 4 $f_{VI}$ 와 12k'의 자리로 이동함을 확인하였다. 따라서 1과 2단계에서의 보자력 증가원인은 치환이온의 자리이동에 따른 고보자력 상의 생성 때문이었다.