• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권3호
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• pp.259-266
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• 1991

1.5.mu.m의 찬넬길이를 갖는 short channel 비휘발성 SNOSFET 기억소자를 기존의 CMOS 1 Mbit 공정기술을 이용하여 제작하고 I$_{d}$-V$_{d}$ 및 I$_{d}$- V$_{g}$특성과 스윗칭 및 기억유지특성을 조사하였다. 그 결과 제작한 소자는 논리회로 설계에 적절한 전도특성을 가졌으며 스윗칭시간은 인가전압의 크기에 의존함을 보였다. 그리고 3V의 memory window 크기를 얻기 위해서 V$_{w}$ =+34V, t$_{w}$ =50.mu.sec 및 V$_{e}$=-34V, t$_{e}$=500.mu.sec의 펄스전압으로 각각 write-in과 erase할 수 있었다. 또한 기억상태는 10년이상 유지할 수 있음을 알 수 있었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.1249-1250
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• 2004

In this paper, we report new technique of preparation of material for flexible displays and E-paper technology. This material represents porous polymeric fiber based on polyacrylonitrile filled by liquid crystal.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.157-157
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• 2003

수평 전기로에서 CdIn2Te4 다결정을 용융법으로 합성하고 Bridgman법으로 tetragonal structure의 c축에 평행한 CdIn2Te4 단결정을 성장시켰다. c축에 평행한 시료의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 spectra에 의해 band gap Eg(T)는 varshni공식에 따라 계산한 결과 1.4753eV-(7.78$\times$$10^{-3}$eV/K)T$^2$/(T+2155K)임을 확인하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.01$\times$$10^{16}$ /㎤, 219 $\textrm{cm}^2$/V.S였다. 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting $\Delta$cr값이 0.2704 eV이며 spin-orbit $\Delta$so 값은 0,1465 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n=1일때 Al-, Bl-와 Cl-exciton 봉우리임을 알았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.870-873
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• 2001

The electron drift mobilitity of poly(4,4'-cyclohexylidenediphenyl carbonate)(PC-Z) doped with 3,5-dimethyl-3',5'-di-t-butylstilbenequinone(MBSQ) was measured by the time-of-flight technique. Energy gap of the polymer doped with 25wt% of MBSQ was 3.1 eV. The electron drift mobility was 2.98${\times}$10$\^$-6/$\textrm{cm}^2$/V$.$s at 293K. The electric field and temperature dependences of the electron drift mobility were discussed with Poole-Frenkel and Arrhenius formulations. The activation energy(E$\_$0/), Poole-Frenkel coefficient(${\beta}$) and effective temperature(T$\_$eff/) of the mobility are 0.815 eV, 1.73${\times}$10$\_$-4/ eV$.$cm$\^$1/2//V$\_$1/2/ and 6.43${\times}$10$^2$K, respectively.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권8호
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• pp.966-971
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• 1988

AES was used to study oxygen adsorption due to the oxygen exposure at 300\ulcorner temperature and segregation of impurities due to annealing on polycrystal copper surface. The intensity of peak of CuM2, 3VV and CuL3 VV increased with annealing time and the peak of CKLL increased after Ar ion bombardment. The effect of oxygen adsorption on copper surface at 300\ulcorner was verified by the decreased of peak of CuM2, 3VV and CuL3 VV as oxygen exposure increase. The binding energy of copper atoms gradualy shifts from 0.7eV to 1.5eV of copper atoms gradually shifts from 0.7eV to 1.5eV after a oxygen exposure. After the oxygen exposure, the width at half the height of CuM2, 3VV is larger 2V*C/S by the effect of chemical liaison of the copper aton with oxygen atom.

• 미생물학회지
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• 제27권2호
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• pp.147-154
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• 1989

Vibrio vulnificus Lipopolysaccharide (LPS) was extracted, performed chemical analysis, tested its biological activities, and compared to those of Escherichia coli LPS and Salmonella typhimurium LPS. The lethal activity of V. vulnificus LPS was 138.6138.6 mg/kg in mouse, but this was lower than thowe of E. coli LPS (56.3 mg/kg) and S. typhimurium LPS (37.5 mg/kg). The result of fatty acid analysis showed that V. vulnificus LPS had more saturated fatty acid than E. coli LPS and S. typhimurium LPS. Above results indicated that V. vulnificus LPS did not have much effect on the lethality. The results of biological responses of enzymes and blood cells by LPSs showed that V. vulnificus LPS had slightly greater activity than E. coli LPS and S. typhimurium LPS. V. vulnificus LPS was recommendavle for stimulant on interferon induction because of adequate stimulation and safety for host and cell lines.

• 한국방사선학회논문지
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• 제4권4호
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• pp.29-32
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• 2010

본 연구는 교토대학 원자로실험소의 46-MeV전자선형가속기에서 발생된 전자선을 Ta표적에 충돌시켜 발생된 중성자를 이용하였다. 발생된 중성자는 납감속측정장치(LSDS:Lead Slowing-down Spectrometer))속에서 감속되었고 중성자비행시간법(TOF:Time-of-Flight)을 이용하여서 중성자에너지를 선별하여 $^{197}Au$의 중성자포획단면적을 중성자에너지 0.1 eV에서 10 keV범위에 걸쳐 측정하였다. 발생된 중성자속을 측정하기 위하여 $BF_3$검출기속의 $^{10}B(n,{\gamma})$반응을 이용하였고 이것을 이용하여 중성자 반응 단면적을 상대적으로 얻었다. TOF방법으로 얻어진 결과는 1 eV에서의 결과(24.5 b)에 규격화되었다. 기존의 실험결과들과 평가결과들인 JENDL/D-99 Dosimetry File과 비교하였다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제5권5호
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• pp.133-139
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• 2005

교토대학 원자로실험소의 46-MeV 전자선형가속구를 이용하여 $^{99}Tc$의 중성자포획단면적을 중성자에너지 0.007 eV에서 47 keV에 걸쳐 중성자 비행시간법을 이용하여 측정을 하였다. 이 중성자포획 결과는 $^{10}B(n,\gamma)$반응의 중성자 반응 단면적에 상대적으로 얻어졌다. 얻어진 결과를 확인하기 위해서 교토대학 원자로실험소의 납감속장치를 이용한 결과를 확인하였다. TOF방법으로 얻어진 결과는 0.0253 eV에서의 결과(20.01 b)에 규격화되었다. 기존의 실험결과들과 평가결과들인 ENDF/B-VI, JENDL-3.2, and JEF-2.2은 본 연구에서 TOF와 납감속장치로 얻어진 결과들과 비교 및 검토하였다.

• 현장농수산연구지
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• 제22권2호
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• pp.51-58
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• 2020

2019년 11월, 국내의 뱀장어 양식장에서 양식 중이던 뱀장어가 피부궤양 및 피부의 점상출혈 소견을 보이며 지속적으로 폐사하였다. 일련의 폐사는 2019년 11월부터 12월까지 지속되었다. Vibrio 속 균주 1E1-2는 첫 번째 폐사 사례에서 폐사한 뱀장어의 출혈성 복수에서 분리되었고 균주 2A3-1는 두 번째 폐사 사례에서 폐사한 뱀장어의 복수에서 분리되었으며 균주 3K1-2는 세 번째 폐사 사례에서 폐사한 뱀장어의 신장에서 분리되었다. 16S rRNA gene 시퀀스 분석으로, 분리균주 1E1-2와 3K1-2가 V. fluvialis NBRC 103150T와 가장 높은 유사도를 나타내며 V. fluvialis로 동정되었으며, 균주 2A3-1는 V. plantisponsor NBRC103148T와 가장 높은 유사도를 나타내며 V. plantisponsor로 확인되었다. 항생제 감수성 실험 결과로, V. fluvialis 1E1-2는 tetracycline과 chloramphenicol에 대하여 중등도의 감수성을 보였고 trimethoprim-sulfamethoxazole에 대하여 내성을 나타내었다. V. plantisponsor 2A3-1는 ciprofloxacin과 levofloxacin에 대하여 중등도의 감수성을 나타내었고 trimethoprim-sulfamethoxazole에 대하여 내성을 나타내었다. V. fluvialis 3K1-2는 tetracycline에 대하여 중등도의 감수성을 나타내었고 ampicillin과 trimethoprim-sulfamethoxazole에 대하여 내성을 나타내었다. 이는 국내 양식 뱀장어에서의 항생제 내성 비브리오 감염증 사례로, 의미 깊은 보고라고 할 수 있다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권6호
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• pp.260-264
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• 2007

We have studied stability in organic light-emitting diode depending on buffer layer and cathode. A transparent electrode of indium-tin-oxide(ITO) was used as an anode. An electron injection energy barrier into organic material is different depending on a work function of cathodes. Theoretically, the energy barriers for the electron injection are 1.2 eV, -0.1 eV, and 0.0 eV for Al, LiAl, and LiF/Al at 300 K, respectively. We considered the cases that holes are injected to organic light-emitting diode. The hole injection energy barrier is about 0.7 eV between ITO and TPD without buffer layer. For hole-injection buffer layers of CuPc and PEDOT:PSS, the hole injection energy barriers are 0.4 eV and 0.5 eV, respectively. When the buffer layer of CuPc and PEDOT:PSS is existed, we observed the effects of hole injection energy barrier, and a reduction of operating-voltage. However, in case of PVK buffer layer, the hole injection energy barrier becomes high(1.0 eV). Even though the operating voltage becomes high, the efficiency is improved. A device structure for optimal lifetime condition is ITO/PEDOT:PSS/TPD/$Alq_3$/LiAl at an initial luminance of $300cd/m^2$.