• 한국진공학회지
• /
• 제2권3호
• /
• pp.299-303
• /
• 1993

Erbium metal을 불순물로서 2mol% 첨가한 TlGaS2:Er3+ 단결정을 수평전기로에서 합성한 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 결정은 층상으로 이루어진 monoclinic 구조였으며, 10K에서 간접전이형 및 직접전이형 energy band gap은 각각 2.55eV, 2.57eV이었고, Er3+ 이온에 의한 두 개의 불순물 광흡수 peak가 524.9nm와 656.4nm에서 관측되었다. Themally stimulated current(TSC)를 측정하여 0.21eV와 0.38eV의 donor 준위와 0.71eV의 accptor 준위를 구하였다. 10K에서 측정된 photoluminescence(PL) spectrum에서는 632nm와 759nm에서 D-A pair에 의한 broad한 peak와 552, 559, 666, 813, 816, 827nm에서 Er3+ 이온에 의한 sharp한 peak들이 나타났다.

• 한국진공학회지
• /
• 제1권2호
• /
• pp.254-258
• /
• 1992

Iodine 화학수송법으로 성장한 Ni-doped CdGa2Se4와 undoped CdGa2Se4 단결정 의 PL 및 PLE 스펙트럼을 조사하였다. Undoped CdGa2Se4 단결정의 PL 스펙트럼에서는 전도대아래 준 연속적으로 분포된 electron trap과 deep level, 그리고 가전자대 위 0.07eV, 0.12eV에 있는 acceptor level 사이의 전자전이에 의한 2개의 emission band를 2.13eV와 1.20eV 영역에서 관측하였으며, Ni-doped 단결정에서는 Ni2+ 이온의 여기상태 3T1(3P)와 바 닥상태 3T1(3F) 사이의 전자전이에 의한 emission band를 1.48eV 영역에서 관측하였다. 이 러한 결과로부터 제안된 CdGa2Se4의 energy band model은 본 연구의 PL mechanism을 설명하는데 가능함을 보여주었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제9권2호
• /
• pp.117-123
• /
• 2009

$Pb_{x}Cd_{1-x}S$ films are prepared in the composition range of 0.05${\leq}x{\leq}$0.25, using a chemical bath deposition growth technique under optimum conditions amide at realizing good photo response. The x-ray diffraction results show that the films are of PbS-CdS composite with individual CdS and PbS planes. The films exhibit two direct band gaps, 2.4 eV attributed to CdS, while the other varies continuously from 2.4 eV to 1.3 eV. The films surface morphology is smooth with crystallite, whose grain size increases with increasing mole fraction (x). The decrease in band gap with increase in lead concentration suggests inter-metallic compound of PbS (Eg=0.41 eV) with CdS (Eg=2.4 eV)

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제16권1호
• /
• pp.5-9
• /
• 2015

Optical and electrical properties were studied for Antimony doped tin oxide thin films from precursors containing 10, 30, 50, and 70 atom% of Sb deposited on bare sodalime silica, barrier layer coated sodalime silica, and pure silica glass substrates by sol-gel spinning technique. The direct band gaps were found to vary from 3.13~4.12 eV when measured in the hv range of 2.5~5.0 eV, and varied from 4.22~5.08 eV when measured in the range of 4.0~7.0 eV. Indirect band gap values were in the range of 2.35~3.11 eV. Blue shift of band gap with respect to bulk band gap and Moss-Burstein shift were observed. Physical thickness of the films decreased with the increase in % Sb. Resistivity of the films deposited on SLS substrate was in the order of $10^{-2}$ ohm cm. Sheet resistance of the films deposited on barrier layer coated soda lime silica glass substrate was found to be relatively less.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1994년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.187-189
• /
• 1994

The degree of the photodoping process in Ag(100 )/a-$Se_{75}Ge_{25}$(2000 ) films has been measured as a funcition of photon energy between 1.5eV and 2.9eV with the exposing time. The window of Ag occurs at 3400 (3.65eV) and Ag is almost transparent in this region. It was shown that transmitance is always constant (40∼50%) for the wavelength ranges of our experiment. It was found that the energy gap of a unexposed a-$Se_{75}Ge_{25}$ film is 1.81eV. Ag photodoping process result in the photodarkenting effect which the absorption edge shift to the large wavelength. Especially, we could obtain very large band shut ( ∼0.3eV) resulting in exposing He-Ne laser(6328[ ]). From the result of our experimental, we suggest that Ag photodoping process depends on the photon absorption in Ag.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제1권3호
• /
• pp.261-268
• /
• 1988

본 논문에서는 두께 50[.mu.m]의 미연신 .alpha.형 폴리비닐덴 후로라이드 필름을 시료로 선정, .+-.4~.+-.6[kV]사이의 코로나대전 전압을 인가하여 얻은 코로나 일렉트렛트로 부터 온도 범위 -100[.deg.C]-100[.deg.C] 사이에서 열자격전류를 측정한 결과, 저온으로 부터 .delta., ..gamma., .betha. 및 .alpha.인 4개의 TSC 피크를 얻었다. 이들 피크의 기원을 정성적으로 고찰한 결과, .delta., .gamma.피크는 비정질 영역에서 카보닐기, 주쇄 및 극성기들에 의한 쌍극자의 탈분극으로 또 70[.deg.C]부근에서 관측된 .betha.피크는 비정질 영역 또는 비정질과 결정질의 경계면에서 전극으로 부터 공간전하의 탈트랩으로 그리고 180[.deg.C]근방에서 관측된 .alpha.피크는 결정영역에 깊이 트랩된 캐이어들의 탈트랩으로 각각 피크가 나타나는 것으로 사료된다. .delta., .gamma., .betha.및 .alpha.인 4개의 TSC 피크에 대하여 초기 상승법으로 얻은 활성화 에너지는 각각 0.54[eV], 0.24[eV], 0.99[eV] 및 1.26[eV]를 얻었다.

• Korean Journal of Mathematics
• /
• 제30권2호
• /
• pp.391-402
• /
• 2022

For a given graph G = (V, E), a dominating set is a subset V' of the vertex set V so that each vertex in V ＼ V' is adjacent to a vertex in V'. The minimum cardinality of a dominating set of G is called the domination number of G and is denoted by γ(G). For an integer k ≥ 1, the k-th power G^k of a graph G with V (G^k) = V (G) for which uv ∈ E(G^k) if and only if 1 ≤ d_G(u, v) ≤ k. Note that G² is the square graph of a graph G. In this paper, we obtain some tight bounds for the sum of the domination numbers of a graph and its square graph in terms of the order, order and size, and maximum degree of the graph G. Also, we characterize such extremal graphs.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제8권4호
• /
• pp.472-477
• /
• 1995

The degree of the photodoping process in Ag(100[.angs.])/a-Se$_{75}$Ge$_{25}$(1500[.angs.]) films has measured as a function of the photon energy between 1.5[eV] and 2.9[eV] with the exposing time. The "window" characteristics of Ag occur at 3400[.angs.] (3.65[eV]) and Ag is almost transparent in this region. It is shown that transmittance is almost constant (40-50%) for the wavelength ranges of our experiment. It is found that the energy gap of a unexposed a-Se$_{75}$Ge$_{25}$ film is 1.81[eV]. Ag photodoping process results in the photodarkening effect which the absorption edge shifts to the long wavelength. Especially, very large band shift (-0.3[eV]) is obtained by exposing He-Ne laser(6328[.angs.]).. We have obtained "the U-type property" for Ar He-Ne and semiconductor laser. It is associated with the variation of energy gap(E$_{g}$) with photo-dose and substantially is explained by DWP model.l.gap(E$_{g}$) with photo-dose and substantially is explained by DWP model.

• 대한화학회지
• /
• 제30권1호
• /
• pp.51-56
• /
• 1986

디메틸술폭시드 속에서 카드뮴(II)과 구리(II)의 1,5-diphenylcarbohydrazide 錯物의 性質을 直流 폴라로그래프로 調査한 結果 各 錯物의 電極過程은 다음과 같이 생각된다. Cd(II)${\cdot}$DPH Complex$\frac{e^-}{(E_{\frac{1}{2}}=-0.12V)}$${\to}$Cd(I)${\cdot}$DPH Complex. Cd(I)${\cdot}$DPH Complex$\frac{e^-}{(E_{\frac{1}{2}}=-0.74V)}$${\to}$ Cd(Hg) + nDPH. Cu(II)${\cdot}$DPH Complex$\frac{e^-}{(E_\frac{1}{2}=-0.44V)}$${\to}$Cu(I)${\cdot}$DPH Complex. Cu(I)${\cdot}$DPH Complex$\frac{e^-}{(E_{\frac{1}{2}}=-0.84V)}$${\to}$Cu(Hg) + nDPH. 모든 波는 擴散에만 依存하고, 또 Cd(I)${\cdot}$DPH 착물의 ligand의 자리수는 2이며, 錯物의 解離常數 Kd는 5.12 ${\times}10^{-8}$이었다. 이들 各 錯物의 還元波는 非可逆的이었으며, 디메틸 술폭시드 溶液속에서 錯物들의 還元波는 1電子 2段階임을 알 수 있다.

• 조명전기설비학회논문지
• /
• 제14권3호
• /
• pp.38-42
• /
• 2000

플라즈마 중합박막은 내정전 플라즈마 중합장치에 의해서 제조되었다. 중칙률을 4O[W]에서 100[W] 사이에서 최대값을 나타내었다. ESCA 분석에샤는 285.4와 285.5[eV]에서 -CH2, -C-를 나타내는 피크들을 보였다. 무시할 수 없는 양으로 산소와 그룹화 되어 있는 532.8[eV]에서의 C-O와 533.8[eV)에서의 C-O[C/O=8]를 확인하였다. ESR 분석에서 강한 진폭이 나타나는 곡선은 매우 약한 방전전력에 영향을 받은 포화상태를 나타낸다. 알림기를 함유한 -CH-CH=CH- 구조로 사료된다. 제조된 플라즈마 중합박막은 100[Hz]~200[kHz]의 주파수에서 비유전율이 3,5정도를 보이고 유전정접은 0.08의 낮은 값올 냐타내었다.