In relation to a non-destructive evaluation of irradiation damages of micro-structure interstitial, void and dislocation, the changes in the hysteresis loop, Barkhausen noise amplitude and the harmonics frequency due to a neutron irradiation were measured and evaluated. The Mn-Mo-Ni low alloy steel of RPV was irradiated to a neutron fluence of $2.3\times10^{19}\;n/cm^2\;(E\geq1\;MeV)\;at\;288^{\circ}C$. The saturation magnetization of neutron irradiated metal did not change. The neutron irradiation caused the coercivity to increase, whereas susceptibility to decrease. The amplitude of Barkhausen noise parameters associated with the domain wall motion were decreased by a neutron irradiation. The spectrum of Barkhausen noise is analysed with an applied frequency of 4 Hz and 8 Hz, sampling time of $50\;{\mu}sec\;and\;20\;{\mu}sec$. The harmonic frequency shows 4 Hz, 8 Hz, 12 Hz; and 16 Hz reflected from an unirradiated specimen. On the contrary, the harmonic frequency disappeared on the irradiated specimen.
An alternative molecular porphyrin-phthalocyanine aggregate was prepared and characterized with UV-visible and X-ray absorption spectroscopies. UV-visible experiments evidence 1-dimensional porphyrin-phthalo-cyanine array formed by mixing $SnTPPCl_2 ({\lambda}_{max}=429,\;{\varepsilon}=2.4{\times10^ 5 /M{\cdot}cm)\;and\;NiPc(OBu)_8({\lambda}_{max}=744 nm,\;{\varepsilon}= 2.0{\times}10^ 5 /M{\cdot}cm)$ in solution. In the UV-visible spectrum of the porphyrin-phthalocyanine array, $(SnPNiPc)_n$, a new Q-band appeared at 844 nm with decrease of the Q-band peak of $NiPc(OBu)_8$ at 744 nm. The red-shift of Q-band evidences an alternative porphyrin-phthalocyanine array formed in solution through metal-halide interaction rather than ${\pi}-{\pi}$ facial interaction, in which nickel of $NiPc(OBu)_8$ coordinates with chloride of $SnTPPCl_2$ through self assembly. Ni K-edge XANES (X-ray absorption near edge structure) spectra also support the axial ligation of nickel to chloride. The square planar structure of $NiPc(OBu)_8$ turns to an octahedral structure in (SnPNiPcSnP) by axial ligation. A higher energy-shift (0.2 eV) of the preedge peak of (SnPNiPcSnP) indicaties partial oxidation of nickel by charge transfer from NiPc$(OBu)_8$ to SnTPPCl$_2$.
Magnetohydrodynamics(MHD) dynamo depends on many factors such as viscosity ${\gamma}$, magnetic diffusivity ${\eta}$, magnetic Reynolds number $Re_M$, external driving source, or magnetic Prandtl number $Pr_M$. $Pr_M$, the ratio of ${\gamma}$ to ${\eta}$ (for example, galaxy ${\sim}10^{14}$), plays an important role in small scale dynamo. With the high PrM, conductivity effect becomes very important in small scale regime between the viscous scale ($k_{\gamma}{\sim}Re^{3/4}k_fk_f$:forcing scale) and resistivity scale ($k_{\eta}{\sim}PrM^{1/2}k_{\gamma}$). Since ${\eta}$ is very small, the balance of local energy transport due to the advection term and nonlocal energy transfer decides the magnetic energy spectra. Beyond the viscous scale, the stretched magnetic field (magnetic tension in Lorentz force) transfers the magnetic energy, which is originally from the kinetic energy, back to the kinetic eddies leading to the extension of the viscous scale. This repeated process eventually decides the energy spectrum of the coupled momentum and magnetic induction equation. However, the evolving profile does not follow Kolmogorov's -3/5 law. The spectra of EV (${\sim}k^{-4}$) and EM (${\sim}k^0$ or $k^{-1}$) in high $Pr_M$ have been reported, but our recent simulation results show a little different scaling law ($E_V{\sim}k^{-3}-k^{-4}$, $EM{\sim}k^{-1/2}-k^{-1}$). We show the results and explain the reason.
Colloidal cadmium telluride (CdTe) quantum dots (QDs) and their nanoparticles have been synthesized by one pot sonochemical reactions under multibubble sonoluminescence (MBSL) conditions, which are quite mild and facile compared to other typical high temperature solution-based methods. For a typical reaction, $CdCl_2$ and tellurium powder with hexadecylamine and trioctylphosphine/trioctylphosphineoxide (TOP/TOPO) as a dispersant were sonicated in toluene solvent at 20 KHz and a power of 220W for 5-40 min at 60 $^{\circ}C$. The sizes of CdTe particles, in a very wide size range from 2 nm-30 ${\mu}m$, were controllable by varying the sonicating and thermal heating conditions. The prepared CdTe QDs show different colors from pale yellow to dark brown and corresponding photoluminescence properties due mainly to the quantum confinement effect. The CdTe nanoparticles of about 20 nm in average were found to have band gap of 1.53 eV, which is the most optimally matched band gap to solar spectrum.
The optical property of CdTe thin film is important for applications such as the compound semiconductor type solar cells. CdTe films are prepared by RF sputtering at various substrate temperature between $25^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$, then, annealed in argon gas environment at $400^{\circ}C$. The annealing process of the thin film caused variation in the film structure and the composition of films. The deformation of CdTe thin film was observed by X-ray diffractometry. After annealing, the grain size increased and the portion of the non-crystalline CdTe reduced. Futhermore, the structure of sputtered CdTe film grown at the substrate temperature more than $250^{\circ}C$ was enhanced in the (111) direction of zincblend structure. There was a discrepancy, in the spectroscopic ellipsometer spectrum, between the single crystal CdTe and the sputtered CdTe thin films, especially in the region over 3.2eV. An oxidation layer was found on the CdTe thin film by spectroscopic ellipsometry analysis.
Shimozuma, M.;Ibaragi, K.;Yoshion, M.;Date, H.;Yoshida, K.;Tagashira, H.
한국표면공학회지
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제29권6호
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pp.797-802
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1996
Hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) films have been deposited on unheated substrates by low frequency (50Hz) plasma using $SiH_4+CH_4+H_2$ gas mixtures. Deposition rate, refractive index, optical band gap, Vickers hardness and IR spectrum of the deposited a -SiC:H films have been measured for various rations of gas flow rates k(=$CH_4/SiH_4$, 0.5k4) with a constant $H_2$ flow rate (100sccm). As k increases, the deposition rate of the a-SiC:H films increases up to the maximum value of about 220nm/h at k=2.5, and then it decreases. The refractive index of the films was 2.6 for k=2.5, while the optical band gap of the films was 3.3eV for k=2.2. The maximum value of Vickers hardness of the films was 1500Hv at k=1. The infrared transmission measurement shows that the films contain both Si-C and Si-$CH_3$ bonds.
This study develops a highly transparent ohmic contact scheme using indium oxide doped ZnO (IZO) as a current spreading layer for p-GaN in order to increase the optical output power of nitride-based lightemitting diodes (LEDs). IZO based contact layers of IZO, Ni/IZO, and NiO/IZO were prepared by e-beam evaporation, followed by a post-deposition annealing. The transmittances of the IZO based contact layers were in excess of 80% throughout the visible region of the spectrum. Specific contact resistances of $3.4\times10^{-4}$, $1.2\times10^{-4}$, $9.2\times0^{-5}$, and $3.6\times10^{-5}{\Omega}{\cdot}cm^2$ for IZO, Ni/Au, Ni/IZO, and NiO/IZO, respectively were obtained. The forward voltage and the optical output power of GaN LED with a NiO/IZO ohmic contact was 0.15 V lower and was increased by 38.9%, respectively, at a forward current of 20 mA compared to that of a standard GaN LED with an Ni/Au ohmic contact due to its high transparency, low contact resistance, and uniform current spreading.
Copper composite materials have attracted wide attention for energy applications. Especially $CuInS_2$ has a desirable direct band gap of 1.5 eV, which is well matched with the solar spectrum. $CuInS_2$ nanoparticles could make it possible to develop color-tunable $CuInS_2$ nanoparticle emitter in the near-infrared region (NIR) for energy application and bio imaging sensors. In this paper, $CuInS_2$ nanoparticles were successfully synthesized by thermo-decomposition methods. Surface modification of $CuInS_2$ nanoparticles were carried out with various semiconductor materials (CdS, ZnS) for enhanced optical properties. Surface modification and silica coating of hydrophobic nanoparticles could be dispersed in polar solvent for potential applications. Their optical properties were characterized by UV-vis spectroscopy and photoluminescence spectroscopy (PL). The structures of silica coated $CuInS_2$ were observed by transmission electron microscopy (TEM).
The effect of cobalt precursor on the structure of Co supported multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) were studied by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). MWCNTs were treated with a mixture of nitric and sulfuric acids and decorated with cobalt and/or cobalt oxides via aqueous impregnation solutions of cobalt nitrate or cobalt acetate followed by reduction in hydrogen. XPS was mainly used to investigate the phase of cobalt on MWCNTs after reduction with $H_2$ flow at $400^{\circ}C$ for 2 h. Higher cobalt-nanoparticle dispersion was found in the MWCNTS prepared via cobalt nitrate decomposition. A typical XPS spectrum of Co 2p showed the peaks at binding energy (BE) values equal to 781 and 797 eV, respectively. It is found that cobalt nitrate supported MWCNTs is more dispersive and have catalytic activity than that of cobalt acetate supported MWCNTs at same preparation condition such as concentration of precursor solution and reduction environment.
Titanium-doped indium oxide (ITiO) films were prepared on soda-lime glass substrate using a magnetic null discharge (MND) sputter source. The ITiO thin films containing 10wt.% Ti showed the minimum resistivity of $\rho=5.5{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$. The optical transmittance increases from 70% at 450 nm to 80% at 700 nm in visible spectrum. Photoelectron peaks for In 3d, Ti 2p, O 1s and C1s were detected for the ITiO film in the binding energy range of 0 to 1100 eV. The surface roughness of the sample showed a change from 10 nm to 50 nm. The ITiO film used for TCO layer of DSCs exhibited an energy conversion efficiency of about 3.8% at light intensity of 100 mW/$cm^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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