• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• 제35권2호
• /
• pp.85-90
• /
• 2010

본 연구에서는, 에너지에 따른 peak의 상대효율을 구하였으며, 검출기의 응답함수를 작성하였다. 이를 위해 고효율, 고분해능을 가진 HPGe 검출기(지름 78.7 mm, 길이 86.5 mm)를 이용하였으며 콤프턴 억제용으로 NaI 검출기를 사용하였다. 감마선 스펙트럼은 $^{23}Na$(p, $\gamma$)$^{24}Mg$ 및 $^{27}Al$(p, $\gamma$)$^{28}Si$ 반응을 이용하여 얻었으며, 이 때 입사 입자의 에너지는 각각 $E_p$ = 1424 keV 및 $E_p$ = 992 keV 이었다. 한편 스펙트럼 측정은 입사 빔 방향에 대해 $55^{\circ}$에서 하였으며, 사용한 가속기는 일본 동경공업대학의 3 MeV Pelletron 가속기를 이용하였다. 검출기의 응답함수는 1.2 MeV에서 9.4 MeV까지 0.75 MeV 간격으로 작성하였다.

• 한국광학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.357-362
• /
• 1996

스핀 코팅으로 제작한 MNA/PMMA 고분자박막의 두께 및 굴절율과 소광계수를 결정하였다. 타원해석 스펙트럼을 분석하여 박막의 두께 및 투과영역에서의 굴절율을 결정하고 광흡수 스펙트럼으로부터 흡수영역에서의 소광계수 스펙트럼을 역방계산하였다. 이 소광계수 스펙트럼을 가장 잘 나타내는 고전적 Lorentz 진동자 상수들과 양자역학적 진동자 상수들을 각각 구하고 이들 진동자에 의한 복소굴절율 스펙트럼들을 비교하였다. 이 방법은 대부분의 고분자박막의 두께 및 굴절율과 소광계수 스펙트럼을 구하는데 적용될 수 있으며 고분자박막의 광학적 특성을 규정짓는데 매우 유용하게 사용될 수 있겠다.

• 천문학회보
• /
• 제35권1호
• /
• pp.88.2-88.2
• /
• 2010

2006년 2월 7일, Gemini North Observatory의 Near-Infrared Integral Field Spectrometer (NIFS)를 사용해 타이탄의 K-band 분광영상을 얻었다. NIFS의 파장분해능은 R~5,000이었고, 타이탄 disk의 적도부분은 약 16 pixel로 분해되었다. 2.0 - 2.1 micron 영역에서 미지의 분광선이 관측됐는데, 그 분광 구조는 전형적인 slightly asymmetric-top molecule의 rotational-vibrational 밴드 구조와 유사하게 나타났다. 또한 N2-N2 Collision-Induced Absorption (CIA)과 H2-N2 dimer에 의한 흡수와 메탄(CH4)가스 흡수를 포함한 분광모델을 만들어 비교한 결과 이 파장영역에는 이러한 흡수선들의 영향이 적은 것으로 확인됐다. 따라서 해당 영역의 저분산 (R~2,000 - 3,400) 스펙트럼을 토대로 액체 또는 고체 상태의 탄화수소가 타이탄에 존재한다고 보는 최근 발표된 주장들은 (e.g., Brown et al. 2008, Nature, v. 454, p. 607; Adamkovics et al. 2009, Planetary and Space Science, v. 57, p. 1586) 보다 신중히 고려돼야 한다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
• /
• pp.238-239
• /
• 2012

ZnO disk는 Ar 가스의 ON/OFF 사이클을 사용한 기상 이동법으로 성장하였다. 온도 의존성 photoluminescence (PL)은 PL 스펙트럼의 quenching 동작을 관장하는 메커니즘을 연구하기 위해 조사하였다. ZnO disk의 12 K PL 스펙트럼에서 3.364, 3.315, 3.244, 3.212, 3.170, 3.139, 3.100 eV의 피크를 관측되었고, 그것은 각각 excitons bound to neutral donors ($D^{\circ}X$), A-line, first-order longitudinal optical (1LO) phonon replica of A-line (A-1LO), donor-to acceptor pair (DAP), A-2LO, DAP-1LO, A-3LO 이다. $D^{\circ}X$와 A-line 피크는 Varshni 공식에 의해서 피팅을 하였고, 도너 이온화 에너지는 40 meV 이었다. Free excitons, $D^{\circ}X$, A-line의 lifetime은 이론적으로 계산하였고, 온도가 증가함에 따라 lifetime이 증가하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제9권3호
• /
• pp.315-319
• /
• 1999

고상반응법으로 Eu와 Dy을 공부활제로 한$SrAl_2O_4$ 형광체 분말을 합성한 후, PL(Photoluminescence) 측정 장치를 이용하여 장잔광 축광재료소서 가장 중요한 발광특성과 장잔광특성을 조사하였다. 10K의 발광스펙트럼은 청색파장의 450nm(2.755 eV)와 녹색 파장의 520nm(2.384 eV)의 위치에서 뚜렷한 발광피크를 나타내었는데 반하여 300K에서는 450nm의 발광피크는 관측되지 않고 주로 520nm의 발광피크가 관측되었다. 그리고$SrAl_2O_4$:$Eu^{+2},Dy^{+3}$ 형광체의 잔광세기는 시간에 따라 지수 함수적으로 감소되나 발광의 감쇠속도가 작은 뛰어난 장잔광 특성을 나타내었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.341-347
• /
• 1998

MBE법에 의해 성장된 AlxGa1-xAs 에피층의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 분석하였다. Low power Franz Keldysh(LPFK)를 만족하는 GaAs 완충층에 의한 Frang-Keldysh Oscillation(FKO) 분석에서 띠간격에너지(E0) 값은 1.415eV, 계면 전기장(Ei) 은 1.05$\times$104V/cm, 운반자 농도(Ns)는 $1.3{\times}10^{15}\textrm{cm}^{-3}$이였다. PR상온 스펙트럼 분석에서 Eo(AlxGa1-xAs) 신호 아래 $A^*$피크는 시료 성장시 존재하는 불순물 carbon에 의한 것으로 완충층 GaAs보다 다소 PR신호 세기가 낮고 왜곡된 신호를 나타내었다. 또한, GaAs완충층 의 트랩 특성시간은 약0.086ms정도이며, 1.42eV 부근 두 개의 중첩된 PR신호는 화학적 식 각으로 GaAs의 기판에 의해 나타나는 3차 미분형 신호와 GaAs완충층에 의해 나타나는 FKO신호가 중첩되어 나타남을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
• /
• pp.92-96
• /
• 2002

Hot wall epitaxy 방법을 이용하여 chalcopyrite 구조를 가진 고품질의 $AgInS_{2}$ 박막을 성장 하였다. 광전류 스펙트럼을 측정한 결과， 30K에서 300K까지는 단지 A 와 B 두개의 봉우리가 관측되었고 반면에 10K에서는 A,B,C 세 개의 봉우리가 관측되었다. 이때 이들 봉우리들은 band-to-band 전이에 기인하는 것으로 관측되었다. 광전류 측정으로부터 $AgInS_{2}$의 가전자대 갈라짐이 측정되었고 이로부터 10k에서 결정장에 의한 갈라짐 $D_{cr}$과 스핀궤도에 의한 갈라짐 $D_{so}$은 각각 0.150eV와 0.009eV로 관측되었다. 또한 에너지 밴드갭의 온도 의존성 $E_{g}(T)$에 대하여 연구하였고 성장된 $AgInS_{2}$ 박막의 에너지 밴드갭은 1.868eV 임을 알았다.

• 한국자기학회지
• /
• 제21권2호
• /
• pp.56-60
• /
• 2011

준강자성체(ferrimagnet) $Fe_3O_4$를 기반 물질로 하여 주기율표 상에서 Fe와 인접한 전이금속 원소 T(= V, Cr, Mn)가 도핑된 삼원화합물($T_{0.2}Fe_{2.8}O_4$) 박막 시료들을 제작하여 그 광학적 성질을 1~8 eV 범위 내에서 분광타원해석법(spectroscopic ellipsometry)을 이용하여 측정하고 $Fe_3O_4$에서의 결과와 비교하였다. V, Cr, Mn 도핑 시 선호되는 스피넬(spinel) 구조 상의 양이온 자리(site) 및 이온수(ionicity)와 연관된 전자구조 상의 변화에 근거하여 삼원화합물과 $Fe_3O_4$의 흡수 스펙트럼 차이의 원인을 분석하였다. $Fe_3O_4$ 및 전이금속 도핑된 화합물들에서 관측된 광학적 흡수 스펙트럼은 주로 Fe 이온의 d 전자가 관련된 이온 간의 전하이동전이(charge-transfer transition)에 의하여 발생하는 에너지 폭이 넓은 흡수구조들의 기여에 의한 것으로 해석된다. 또한, 흡수 스펙트럼에서 관측된 좁은 에너지 폭의 구조들은 사면체 자리에 존재하는 $Fe^{3+}(d^5)$ 이온 내의 d 전자들에 의한 결정장 전이(crystal-field transition)에 기인한 것으로 해석된다. 이와 같은 전이들과 관련된 전자상태들을 스핀편극된 $Fe_3O_4$ 전자구조를 토대로 기술하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제13권3호
• /
• pp.132-138
• /
• 2003

수평 전기로에서 $CdIn_2Te_4$ 다결정을 용응법으로 합성하고 Bridgman법으로 tetragonal structure의 $CdIn_2Te_4$ 단견정을 성장시켰다. c축에 수직한 시료의 광흡수와 광전류 spectra를 293k에서 10K까지 측정하였다. Hall효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 $8.61\times 10^{16}\textrm{cm}^3,\;242\textrm{cm}^$V .s였다. $CdIn_2Te_4$ 단결정의 광흡수와 광전류 spectra를 293k에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g$(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 $1.4750ev - (7.69\times10^{-3})\; ev/k)\;T^2$/(T + 2147k)이었다. 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.2704 eV이며 spin-orbit $\Delta$so값은 0.1465 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n : 1일때 $A_\;{1-} B_\;{1-}$와 $C_\;{1-}$-exciton봉우리임을 알았다

• 한국통신학회논문지
• /
• 제17권1호
• /
• pp.58-67
• /
• 1992

MgGa2Se4 및 MgGa2Se4 : Co2+단결정을 bridgman 방법으로 성장하여 광흡수와 광발광을 가시광 영역과 근적외선 영역에서 조사하였다. 광흡수 스펙트럼은 MgGa2Se4단결정의 Td Symmetry를 갖는 host lattice에 점유하여 바닥상태와 여기상태의 Co2+ ion 에너지 ㅣlevel간 전자전이에 의해서 760nm, 1640nm, 그리고 2500nm에서 3개의 흡수피크를 관측하였다. 광발광 스펙트럼에서 이 단결정은 가시광 발광ㄸ들을 관찰하였다.가시영역의 발광 band들은 에너지 준위도에서 제안된 바와 같이 자전자대의 우의 꼭대기 acceptor 준위에서 전도대 아래의 밑에 분포된 trap으로부터 끊임없이 전자전에 의한다고 볼수 있다. 한편, 이들은 적외선 발광 band가 deep level에서 acceptor level부터 전자전이에 기인한다고 고려할 수 있다. 광전이의 mechanism은 MgGa2Se4 결정의 에너지 diagram의 항으로 잘 설명되고 있다.