We improve the energy conversion efficiency (ECE) of a dye sensitized solar cell (DSSC) by preparing a working electrode (WE) with localized surface plasmon resonance (LSPR) by inducing Au thin films with thickness of 0.0 to 5.0 nm, deposited via sputtering. Field emission scanning electron microscopy and atomic force microscopy were used to characterize the microstructure of the blocking layer (BL) of the Au thin films. Micro-Raman measurement was employed to confirm the LSPR effect, and a solar simulator and potentiostat were used to evaluate the photovoltaic properties, including the impedance and the I-V of the DSSC of the Au thin films. The results of the microstructural analysis confirmed that nano-sized Au agglomerates were present at certain thicknesses. The photovoltaic results show that the ECE reached a value of 5.34% with a 1-nm thick-Au thin film compared to the value of 5.15 % without the Au thin film. This improvement was a result of the increase in the LSPR of the $TiO_2$ layer that resulted from the Au thin film coating. Our results imply that the ECE of a DSSC may be improved by coating with a proper thickness of Au thin film on the BL.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1572-1575
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2005
Poly(vinyl phenol)(PVP)/$TiO_2$ nanocomposite the films have been prepared incorporating metal alkoxide with vinyl polymer to obtain high dielectric constant gate insulating material for a organic thin film transistor. The surface composition, the morphology, and the thermal and electrical properties of the hybrid nanocomposite films were observed by ESCA, scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy(AFM), and thermogravimetric analysis (TGA). Thin hybrid films exhibit much higher dielectric constants (7.79 at 40wt% metal alkoxide).
Dielectric PST (20/80) / PST (80/20) heterolayered thin films structures were created by a consequent deposition of the PST (20/80) and PST (80/20) thin films on the $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate using alkoxide-based sol-gel method. Both structural and dielectric properties of heterolayered PST thin films were investigated for the tunable microwave device applications. As the number of coating increases, the lattice distortion decreased. It can be assumed that the lower PST layer affects a nucleation site or a seeding layer for the formation of the upper PST layer. The dielectric constant, dielectric loss and tunability of the PST-6 heterolayered structure measured at 100 kHz were 399, 0.022 and 57.9%, respectively. All these parameters showed an increase with increasing number of coatings due to the decrease in lattice distortion.
The ($Sr_{1-x}Ca_{x})Ti_{3}$(SCT) thin film are deposited on Pt-coated electrode (Pt/TiN/$SiO_{2}$/Si) using RF sputtering method. The maximum dielectric constant of SCT thin film is obtained by annealing at 600[$^{\circ}C$]. The temperature properties of the dielectric loss have a value within 0.02 in temperature lunges of -80 $\∼$ +90[$^{\circ}C$]). The capacitance characteristics had a stable value within ${\pm}4\%$. The drastic decrease of dielectric constant and increase of dielectric loss in SCT thin films is observed above 200[kHz).
본 연구의 목적은 다공성의 티타늄 산화막에 불소를 처리한 결과를 평가하는 것이다. 디스크에 양극산화법을 통하여 다공성의 티타늄산화막표면을 얻은 후 불소를 처리하고 일정시간동안 Hank액에 침전을 시켰다. 양극산화를 통해 일정거칠기의 표면을 얻었으며 SEM과 XRD를 통하여 표면의 형상과 성분을 분석하였다. 생성된 표면은 빠른 표면 활성도를 보였으며, 적절한 거칠기와 좋은 골반응으로 골유착에 기여할 수 있을 것으로 여겨진다.
A non-volatile resistive random access memory (RRAM) device with a Cr-doped $SrZrO_3/SrRuO_3$ bottom electrode heterostructure was fabricated on $SrTiO_3$ substrates using pulsed laser deposition. During the deposition process, the substrate temperature was $650^{\circ}C$ and the variable ambient oxygen pressure had a range of 50-250 mTorr. The sensitive dependences of the film structure on the processing oxygen pressure are important in controlling the bistable resistive switching of the Cr-doped $SrZrO_3$ film. Therefore, oxygen pressure plays a crucial role in determining electrical properties and film growth characteristics such as various microstructural defects and crystallization. Inside, the microstructure and crystallinity of the Cr-doped $SrZrO_3$ film by oxygen pressure were strong effects on the set, reset switching voltage of the Cr-doped $SrZrO_3$. The bistable switching is related to the defects and controls their number and structure. Therefore, the relation of defects generated and resistive switching behavior by oxygen pressure change will be discussed. We found that deposition conditions and ambient oxygen pressure highly affect the switching behavior. It is suggested that the interface between the top electrode and Cr-doped $SrZrO_3$ perovskite plays an important role in the resistive switching behavior. From I-V characteristics, a typical ON state resistance of $100-200\;{\Omega}$ and a typical OFF state resistance of $1-2\;k{\Omega}$, were observed. These transition metal-doped perovskite thin films can be used for memory device applications due to their high ON/OFF ratio, simple device structure, and non-volatility.
최근 환경오염에 관한 문제가 대두됨에 따라서 친환경 수처리 공법에 관한 다양한 방법들이 논의되고 있다. 현재 시장을 주도하고 있는 고분자 멤브레인은 저가이나, 내화학성 및 내구성 측면에서 많은 문제점을 안고 있다. 이에 따라 친환경적이며 내구성, 내화학성이 뛰어난 세라믹 멤브레인의 기공 구조, 크기 및 표면 처리를 통하여 고효율의 수처리용 세라믹 멤브레인을 제작하였다. $ZrO_2$ 및 $TiO_2$의 균일한 코팅막 형성을 통하여 멤브레인의 기공 크기를 조절 하였다. 테입케스팅, 졸겔 공정법을 활용하여 멤브레인 표면에 성공적으로 나노기공을 가지는 세라믹 코팅막을 형성하였다. 세라믹 멤브레인의 미세조직 분석, 코팅막의 기공의 크기 분석을 진행하였으며 이에 대한 수처리 특성 변화를 관측하였다.
Uncooled pyroelectric infrared detectors based on BST(B $a_{-x}$S $r_{x}$Ti $O_3$) thin films have been fabricated by RF magnetron sputtering and surface Micromachining technology. The detectors form BST thin film ferroelectric capacitors grown by RF magnetron sputtering on N/O/N(S $i_3$$N_4$/ $SiO_2$/S $i_3$$N_4$) membrane. The sputtered BST thin film exhibits highly c-axis oriented crystal structure that no poling treatment for sensing applications is required. This is an essential factor to increase the yield for realization of an infrared image sensor. surface-Micromachining technology is used to lower the thermal mass of the detector by giving maximum sensor efficiency Gold-black is evaporated on top of the sensing elements used the thermal evaporator. fabricated uncooled pyroelectric infrared detectors is highly output voltage at the low temperature(1$^{\circ}C$).).).
한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.132-135
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2000
Magneto-resistances of the YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ based coated conductors fabricated on the tilted single crystalline Ni substrates and RABiTS (rolling assisted bi-axially textured substrate) were measured under various magnetic fields. The activation energies of vortices were estimated from them by fitting equation of p = p$_o$ exp(-U(H,T)/k$_B$T). When currents flew in the rolling direction for the case of the tilted single crystalline YBCO on the RATS, the activation energies were similar to those of c-axis normal YBCO films on the SrTiO$_3$ single crystal substrates [5] and were slightly larger than those of the RABiTS coated conductors. On the contrary, for the currents flowing in the transverse direction, the magnetoresistances show double transitions in the temperature with much smaller activation energies.
MOCVD method is one of promising techniques which can fabricate YBCO coated conductors in a low Price A continuous reel-to-reel MOCVD device using a dispersed solid source was designed and manufactured. YBCO films were deposited on various substrates of metallic silver, (100) MgO and SrTiO3 single crystals. The chemical composition of the metal organic sources was changed to optimize the processing condition associate to the deposition of the stoichiometric Y3a2Cu3O7-y. We report the superconducting transition temperature, surface morphology and chemical composition of the YBCO film surfaces.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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