In this paper, the structural, dielectrial and piezoelectrical properties of 0.03Pb(Sb$\sub$1/2/Ti$\sub$0.495/)O$_3$+Xwt% MnO(x= 0, 0.3, 0.4, 0.5, 0.7) system ceramics were investigated as a function of the addition of MnO. As a result, the samples of 0.3wt% MnO content showed the highest mechanical quality factor(Qm) of 1487, and its dielectric constant and electro mechanical coupling factor(Kp) 1357, 54.3%, respectively. Therefore, the dielectrial and piezoelectrical properties of the composition ceramics were indicated as the materials suitable for piezoelectric transformer.
$TiO_2/CH_3NH_3Pb_{1-x}Sb_xI_{3-3x}Br_{3x}-based$ photovoltaic devices were fabricated by a spin-coating method using mixture solutions with $SbBr_3$. Effects of $SbBr3$, CsI or RbBr addition to $CH_3NH_3PbI_3$ precursor solutions on the photovoltaic properties where investigated. The short-circuit current densities and photoconversion efficiencies were improved by adding a small amount of $SbBr_3$, CsI or RbBr to the perovskite phase, which would be due to the doping effect of Sb, Br and Cs/Rb atom at the Pb, I and $CH_3NH3$ sites, respectively.
In this study, the temperature coefficient of resonant frequency($TCF_r$), dielectric and piezoelectric properties of $Pb_{1-x}Sr_x[(Sb_{1/2}Nb_{1/2})_{0.035}(Mn_{1/3}Nb_{2/3})_{0.065}(Zr_{0.49},Ti_{0.51})_{0.90}]O_3$ ceramics were investigated with the Sr substitution to Pb site. The dielectric constant was increased according to the increase of Sr substitution and electromechanical coupling factor($k_t$) also showed the highest values of 0.485 when the Sr substitution was 5 mol%. Moreover, the mechanical quality factor($Q_{mt}$) showed the highest value of 233 when the Sr substitution was 2 mol%.
In this study, in order to develop the composition ceramics for ultrasonic sensor with high $d_{33}*g_{33}$, $Pb_{1-3x/2}Bix(Mg_{1/2}W_{1/2})_{0.03}(Ni_{1/3}Nb_{2/3})_{0.09}(Zr_{0.5}Ti_{0.5})_{0.88}O_3$(PMW-PNN-PZT) system ceramics were prepared using CuO as sintering aids. And then, their microstructure, piezoelectric and dielectric characteristics were systemetically investigated with bismuth substitution. The PMW-PNN-PZT ceramic specimens could be sintered at sintering temperature of $940^{\circ}C$ by adding sintering aids. At x=0.015 specimen, the density, electromechanical coupling factor($k_p$), dielectric constant, piezoelectric constant($d_{33}$) and piezoelectric figure of merit($d_{33}*g_{33}$) indicated the optimal properties of $7.90g/cm^3$, 0.67, 2,511, 628 pC/N, and $17.7pm^2/N$, respectively, for duplex ultrasonic sensor application.
암모니아를 환원제로 사용하는 선택적촉매환원법(Selective Catalytic Reduction, SCR)에서 촉매의 다양한 공정조건에서의 질소산화물 전환특성을 조사하였다. $H_2$-TPR을 통해 Mn, Cu가 포함된 탈질촉매의 경우 저온에서의 산소사용능력으로 우수함을 확인할 수 있었다. 탈질촉매 #1의 경우 반응온도가 증가함에 따라 탈질효율이 감소하나 탈질촉매 #2의 경우 반응온도가 증가함에 따라 탈질효율이 증가하다가 일정하였다. 이러한 현상은 두 촉매의 $NH_3$ 산화능력의 차이에 의한 것이다.
An integrated optical 2$\times$2 add/drop multiplexer in X-cut, Y-propagating LiNbO$_3$ has been demonstrated. The device consists of passive polarization splitters and acousto-optical mode converters with weighted coupling utilizing tapered acoustical directional couplers; their specific design and properties are discussed. The insertion loss has been measured to be about -8.16 ㏈ and -8.6 ㏈ for TE and TM polarizations, respectively. The device shows a 3 ㏈ bandwidth of 2.3 nm, a tuning rate 8.34 nm/MHz around λ = 1554 nm, and a sidelobe suppression of about 14.5 ㏈. Optimum operation is achieved with a RF drive power of about 43 ㎽. Multi-wavelength operation has been demonstrated.
Won Jin Kim;Jinho Lee;Ryun Na Kim;Donghee Lee;Woo-Byoung Kim
한국재료학회지
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제34권3호
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pp.152-162
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2024
In this study, we introduce a novel TiN/Ag embedded TiO2/FTO resistive random-access memory (RRAM) device. This distinctive device was fabricated using an environmentally sustainable, solution-based thin film manufacturing process. Utilizing the peroxo titanium complex (PTC) method, we successfully incorporated Ag precursors into the device architecture, markedly enhancing its performance. This innovative approach effectively mitigates the random filament formation typically observed in RRAM devices, and leverages the seed effect to guide filament growth. As a result, the device demonstrates switching behavior at substantially reduced voltage and current levels, heralding a new era of low-power RRAM operation. The changes occurring within the insulator depending on Ag contents were confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis. Additionally, we confirmed the correlation between Ag and oxygen vacancies (Vo). The current-voltage (I-V) curves obtained suggest that as the Ag content increases there is a change in the operating mechanism, from the space charge limited conduction (SCLC) model to ionic conduction mechanism. We propose a new filament model based on changes in filament configuration and the change in conduction mechanisms. Further, we propose a novel filament model that encapsulates this shift in conduction behavior. This model illustrates how introducing Ag alters the filament configuration within the device, leading to a more efficient and controlled resistive switching process.
수열합성법으로 제작된 ZnO 나노와이어는 저온 MBE (Molecular Beam Epitaxy) 방식과 달리 Ti, Au와 같은 촉매로 부터 성장이 끝난뒤 나노와이어 끝에 남는 촉매를 제거해야할 필요가 없으며, 저온에서 합성이 가능하기 때문에 현재 연구가 많이 되고 있는 방법중에 하나이다. 본 연구에서는 수열 합성법을 이용하여 금속촉매 또는 AZO로 seed를 형성한 후 기판 위에 균일한 크기의 ZnO 나노막대를 성장시키고 성장밀도 및 길이의 간편한 제어를 하였다. 이를 위해 계면활성제인 PEI (Polyethyleneimine) 첨가 및 Chloride ($Cl_-$)를 조절하여 ZnO 나노와어의 성장밀도를 조절 하고자 하였다. 실험방법으로는 전구체인 Zn(NO3)2${\cdot}$6H2O와 HMT에 Chloride 계열인 Ammonium chloride 와 Kcl 의 몰농도를 각각 조절하고 PEI를 첨가하여, ZnO 나노와이어를 성장하였다. 성장된 ZnO 나노와이어의 특성을 평가하기 위해 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM)을 이용하여 광학적인 특성을 측정하였으며, 결정성을 조사하기 위해 X-ray diffraction (XRD)을 이용하여 분석하였다. 또한 scanning PL 장비를 통해 photoluminescence양을 측정하고 ZnO 나노와이어의 응용 가능성을 평가하였다.
이 연구는 전남 광양광산과 그 주변의 하천에 형성되어 있는 부유성 비정질 퇴적물의 지구화학적 특성을 밝히기 위해 수행되었다. 부유성 비정질 퇴적물의 주요성분은 Fe$_2$O$_3$이며, Fe$_2$O$_3$의 함량은 17.9${\cdot}$72.3wt.% 범위로 나타난다. Fe함량이 증가하면 Si, Al, Mg, Na, K, Mn 및 Ti 함량이 감소하며 Te, Au, Ga, Bi, Cd, Hg, Sb, 및 Se등의 함량은 증가한다. 하상 침전물인 비정질 퇴적물에는 As(최대 54.9ppm), Bi(최대 3.77ppm), Cd(최대 3.65ppm), Hg(최대64ppm), Sb(최대 10.1ppm), Cu (최대 37.1ppm), Mo(최대 8.86ppm), Pb(최대 9.45ppm) 및 Zn(최대 29.7ppm) 등의 중금속원소가 농집되어 있다. 황갈색 침전물에는 Au(최대 4.40ppm)와 Ag(최대 0.24ppm) 함량이 매우 높게 나타나며, Au함량은 하천의 상류지역에 높은 함량을 보이다가 하류지역으로 갈수록 그 함량이 감소한다. 반면에 Ag 함량은 상류지역의 하천에 낮은 함량을 보이다가 하류지역으로 갈수록 그 함량이 증가하여 나타난다. XRD분석에서 하상의 황갈색 침전물은 X-선회절선이 뚜렷하지 않은 비정질이거나 결정도가 미약한 철수산화물로 밝혀졌으며, 석영, 침철석, 고령토, 일라이트 등이 관찰된다. IR분석에서 비정질 하상 퇴적물은 OH기, H$_2$O, SO$_4$ 및 Fe-O 기에 의한 흡수밴드가 관찰된다.
Crystallizable glasses with precipitation of celsian, anorthite, wollastonite and gahnite were prepared for the purpose of insulating dielectric layers in devices such as integrated circuit substrates. The starting glasses were prepared by melting the batches for 1 hour at 1450.deg. C and then Quenching to a distilled water. And crystallization behavior of these glasses were studied by DTA, TMA, XRD analysis and by the measurement of dielectric properties. The overall composition of the glass-ceramic consists in weight percent of 30-35% A1$_{2}$O$_{3}$, 13-26% BaO, 5-21% CaO, 10-24% ZnO, 4.5-9.0% TiO$_{2}$ and 4-8% B$_{2}$O$_{3}$. As a result, in barium-rich glasses only celsian phase was developed in the range of 850-900.deg. C. Also, the thermal expansion coefficient, dielectric constant and quality factor of these glass-ceramics were 68*10$^{-7}$ /.deg. C, about 9 and more than 1000, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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