We investigated the electrical properties the starting material and sintering condition on the laminated PTC thermistor for micro circuit protection. The influences of $BaTiO_3$ powder with the 0.3 and 0.45 ${\mu}m$ size and the electrical characteristics (Ba,Sr)$TiO_3$ sintered at 1350~1400$^{\circ}C$ for 2 h in a reducing atmosphere (1% $H_2/N_2$). The sintered (Ba,Sr)$TiO_3$ was increased pore and the grain size was decreased according to increasing Sr additions. In relative permittivity, the phase transition temperature of (Ba,Sr)$TiO_3$ was decreased for 2.5$^{\circ}C$ according to increasing 0.01 mole Sr additions, and the phase transition dose not appeared about 0.3 mole Sr addition. The (Ba,Sr)$TiO_3$ was show the low resistance from 0.01 mole to 0.05 mole by Sr addition, regardless of sintering temperature. The (Ba,Sr)$TiO_3$ was show $10^2$ jump order at 0.1 and 0.2 mole Sr addition, and PTCR of the sintered $(Ba_{0.7}Sr_{0.3})TiO_3$ does not appeared about 0.3 mole Sr addition, regardless of the sintering temperature and starting material size.
한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
/
pp.60-63
/
2000
The $0.94MgTiO_3-0.06SrTiO_3$ ceramics were prepared by the conventional mixed oxide method. The structural properties were investigated with sintering temperature and composition ratio by XRD, SEM and DT-TGA. According to the X-ray diffraction patterns of the $0.94MgTiO_3-0.06SrTiO_3$ ceramics, the cubic $SrTiO_3$ and hexagonal $MgTiO_3$ structures were coexisted. Increasing the sintering temperature from $1325^{\circ}C$ to $1400^{\circ}C$, average grain size was increased from $5.026{\mu}m$ to $8.377{\mu}m$. In the case of the $0.94MgTiO_3-0.06SrTiO_3$ ceramics sintered at $1325^{\circ}C$, dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of resonant frequency were 21.66, 2,522(at 7.34GHz), $+71ppm/^{\circ}C$, respectively.
The $MgTiO_3\; and \;$0.9MgTiO_3-0.1SrTiO_3$ ceramics were fabricated by the conventional mixed-oxide method. The sintering temperature and time were $1300^{\circ}C~1600^{\circ}C$, 2hr., respectively. The structural and microwave dielectric properties were investigated with sintering temperature and the application for the satellite communication microwave dielectric resonator was investigated. The coexistence of cubic $SrTiO_3$ and hexagonal TEX>$MgTiO_3$ structures in $0.9MgTiO_3-0.1SrTiO_3$ ceramics were found from X-ray diffraction patterns. In the case of $MgTiO_3$ ceramics, sphere phase and needle-like phase were coexisted. The $0.9MgTiO_3-0.1SrTiO_3$ ceramics observed sphere phase. The dielectric constants and temperature coefficient of resonant $frequency(\tauf)$ were increased with addition of $SrTiO_3$ but the quality factor was decreased. The dielectric constant, quality factor and $\tau$f of the;$0.9MgTiO_3-0.1SrTiO_3$ ceramics were 22.61, 10.928(at 1GHz) and $+50.26ppm/^{\circ}C$, respectively.
(Ba,Sr)$TiO_3$ thin films have attracted groat interest as new dielectric materials of capacitors for ultra-large-scale integrated dynamic random access memories (ULSI-DRAMs) such as 1 Gbit or 4 Gbit. In this study, inductively coupled $BCl_3/Cl_2$/Ar plasmas was used to etch (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films. RF power/dc bias voltage = 600 W/-250 V and chamber pressure was 10 mTorr. The $Cl_2/(Cl_2+Ar)$ was fixed at 0.2, the (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films were etched adding $BCl_3$. The highest (Ba,Sr)$TiO_3$ etch rate is 480$\AA/min$ at 10 % $BCl_3$ adding to $Cl_2$/Ar. The characteristics of the plasmas were estimated using optical emission spectroscopy (OES). The change of Cl, B radical density measured by OES as a function of $BCl_3$ percentage in $Cl_2$/Ar. The highest Cl radical density was shown at the addition of 10% $BCl_3$ to $Cl_2$/Ar. To study on the surface reaction of (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films was investigated by XPS analysis. Ion enhancement etching is necessary to break Ba-O bond and to remove $BaCl_2$. There is a little chemical reaction between Sr and Cl, but Sr is removed by physical sputtering. There is a chemical reaction between Ti and Cl, and Tic14 is removed with ease. The cross-sectional of (Ba,Sr)$TiO_3$ thin film was investigated by scanning electron microscopy (SEM), the etch slope is about $65\;{\sim}\;70$.
The(1-x) MgTiO$_3$-xSrTiO$_3$(x=0.03~0.04) ceramics were fabricated by the conventional mixed oxide method. The structural and microwave dielectric properties were investigated by XRD, SEM, EDS and network analyzer. The sintering temperature and time were 1275$^{\circ}C$~135$0^{\circ}C$ and 2hours, respectively. In the XRD results of 0.96MgTiO$_3$-0.04SrTiO$_3$ceramics, the perovskite structure of SrTiO$_3$and ilmenite structure of MgTiO$_3$phase were coexisted. The dielectric constant($\varepsilon$(sub)${\gamma}$) and temperature coefficient of resonant frequency($\tau$(sub)f) were increased with addition of SrTiO$_3$. In thie case of 0.96MgTiO$_3$-0.04SrTiO$_3$ ceramics sintered at 13$25^{\circ}C$, the dielectric constant, quality factor(Q) and temperature coefficient of resonant frequency($\tau$(sub)f) were 20.13, 7956(at 7.27GHz), and +1.76ppm/$^{\circ}C$, respectively.
$Eu^{3+}$와 $Pr^{3+}$이 첨가된 $SrTiO_3$형광체를 고상반응법으로 제조하였다. $SrTiO_3:Pr$형광체는 $^3P_J(J=0,1,2){\rightarrow}^3H_4$에 의한 490nm 부근의 녹색발광과 $^1D_2{\rightarrow}^3H_4$에 의한 618nm 의 적색발광이 동시에 나타났다. $SrTiO_3:Eu$형광체는 $SrTiO_3:Pr$형광체와 달리 $^5D_0{\rightarrow}^7F_1$에 의한 583nm와 $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$에 의한 610nm의 적색발광만 각각 관찰되었다. $SrTiO_3$의 모체에서 $Eu^{3+}$는 inversion sysmmetry를 가짐으로써 610nm의 electric dipole transition 보다는 583nm의 magnetic dipole transition이 강하게 일어났다.
[ $Pb(Zr_{0.2}Ti_{0.8})O_3/SrRuO_3$ ] heteroepitaxial thin films were deposited at various temperatures on single crystal $SrTiO_3$ substrates by pulsed laser deposition and characterized for the microstructural and ferroelectric properties. The $SrTiO_3$ substartes etched by buffered oxide etch $(pH{\thickapprox}5.8)$ solution for 20s followed by the thermal annealing at $1000^{\circ}C$ for 1h showed the terrace ledges with a 0.4nm height. The $SrRuO_3$ bottom electrodes with a thickness of 52nm grown on $SrTiO_3$ single crystal also exhibit a terrace ledge similar to that of $SrTiO_3$. The PZT thin films were grown with an epitaxial relationship and showed typical P-E hysteresis loops shown at the epitaxial films. The 56nm thick-PZT films deposited at $650^{\circ}C$ exhibit a remanent polarization $(p_r)$ of $80{\mu}C/cm^2$ and a coercive field $(E_c)$ of 160kV/cm.
The phtoelectrochemical porperties of $Nb_2O_5$, $Sb_2O_3$ and $V_2O_5$ doped and pure $SrTiO_3$ ceramic electodes were investigated. Shapes of I-V and I-λ characteristics of the pure $SrTiO_3$ ceramic electrode are similar to those of SrTiO3 single crystal electorde ; the anodic current strats at -0.9V (vs. Ag/AgCI) in 1 N-NaOH aqueous solution and the photoresponse appears at a wavelength of about 390nm and the quantum efficiency is about 3.5% at wavelength of 390nm under 0.5V vs. Ag/AgCl. Photocurrents of $Nb_2O_5$, $Sb_2O_3$ and $V_2O_5$ doped electrodes and $V_2O_5$ doped ceramic electrode appears at wavelength of 390nm and 500nm respectively.
The $(Ba_xBi_{0.6-x}Sr_{0.4})TiO_3$[x=0.1, 0.2, 0.3] ceramics were prepared by conventional mixed oxide method The structural properties of the $(Ba_xBi_{0.6-x}Sr_{0.4})TiO_3$[x=0.1, 0.2, 0.3] ceramics with the sintering temperature($1200^{\circ}C,\;1250^{\circ}C,\;1300^{\circ}C$) were investigated by XRD, SEM, EDS. Increasing the sintering temperature, the intensity of the $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ (100), (110), (111), (200), (310) peaks and $SrBi_4Ti_4O_{15}$ (319), (040) peaks were increased. The gram of the $(Bi_{0.2}Ba_{0.4}Sr_{0.4})TiO_3$ ceramics sintered at $1250^{\circ}C$ were fine and uniform. Increasing the sintering temperature. the average gram size of the $(Bi_{0.2}Ba_{0.4}Sr_{0.4})TiO_3$ ceramics were decreased. The density of $(Bi_{0.1}Ba_{0.5}Sr_{0.4})TiO_3$ ceramics sintered at $1250^{\circ}C$ was 5.4524 [$g/cm^2$].
The (1-x)MgTiO$_3$-xSrTiO$_3$(x=0.02∼0.08) ceramics were fabricated by conventional mixed oxide method. The sintering temperature and time were 1250$^{\circ}C$∼1400$^{\circ}C$, 2hr., respectively. The structural and microwave dielectric properties were investigated by varying sintering temperature and composition ratio. In the (1-x)MgTiO$_3$-xSrTiO$_3$(x=0.02) ceramics, the cubic SrTiO$_3$and hexagonal MgTiO$_3$phases were coexisted. The dielectric constant was increased and the temperature coefficient of resonant frequency( $\tau_f$) was decreased with addition of SrTiO$_3$. The temperature coefficient of resonant frequency($\tau_f$) was gradually varied from negative value to positive value with increasing the SrTiO$_3$.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.