• 대한금속재료학회지
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• 제48권12호
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• pp.1084-1089
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• 2010

This study elucidates the formation mechanism of SnO plate observed during the precipitation reaction of a $SnCl_2$ aqueous solution. $Sn_{21}Cl_{16}(OH)_{14}O_6$ and $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates was formed at pH=3~5 and at pH=11, respectively. When the pH was in the range of 11.5~12.5, the $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates dissolved into $HSnO_2{^-}[Sn_6O_4(OH)_4+4OH^-={6HSnO_2{^-}+2H^+]$ and dissolved $HSnO_2{^-}$ ions reprecipitated to SnO plate $[HSnO_2{^-}+H^+=SnO+H_2O]$. The $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates completely transformed into SnO plate through a repeated process of dissolution-precipitation in the range of pH=11.5~12.5.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.91-91
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• 2008

$SnO_2-B_2O_3-P_2O_5$ system were prepared by melt-quenching technique in the compositional series containing 50, 55 aod 60mol.% of $SnO_2$. A large glass-forming region was found at the phosphate side of the ternary system with homogeneous glasses containing up to 5-25mol.% of $B_2O_3$. For these glasses, thermal expansion coeffient($\alpha$), glass transition temperature(Tg), and glass softening temperature(Ts), were determined. The values a decrease with increasing $B_2O_3$ content, while Tg and Ts increased. The reason for the observed changes is local structure of the glasses. Local structure of the glasses was investigated by Raman and FT-IR measurements, suggesting that the number of bridging oxygens decreased whereas the non-bridging oxygen concentration increased with increasing $SnO_2$ content in the glasses.

• 한국세라믹학회지
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• 제45권8호
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• pp.459-463
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• 2008

$P_2O_5-SnO_2$ system $0.5SnO_2-xP_2O_5-(0.5-x)B_2O_3$(x=0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5) glasses have been prepared for Pb-free low temperature glass frit. A investigation about the effect of $B_2O_3$ substitution on properties of $P_2O_5$ glasses, including glass structure properties, thermal properties, and mechanical properties was presented. Substance that is responsible for in moisture absorption existing circumstances supposes by phosphate, and excess moisture tolerance that state funeral's structure is improved breaking does not affect in state funeral bond that only most single bond remains, and can know that does not suffer big impact in boric oxide anomaly present state. This phenomenon estimates that connect with structure change. It is thought according to link this result the phosphoric acid happened structural change. $B_2O_3$ displacement quantity 0.3 mole put out $BO_4$ structures, but above 0.3 mole it changed with the case $BO_3$ structure which it displaces.

• 한국재료학회지
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• 제4권7호
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• pp.759-766
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• 1994

본 연구에서는 Ta 박막 밑에 $SnO_{2}$박막층을 입혀서 $Ta/SnO_2$이중박막이 산화될 때 산소의 공급원을 2원화 함으로써 $Ta_2O_5$의 stoichiomitry를 향상시켜 $Ta_2O_5$박막 커패시터의 주설전류를 줄이고자 하였다. Tantalum을 실리콘 웨이퍼 위에 기판온도를 변화시켜 가면서 전자빔증착이나 스퍼터링 방밥으로 입히고 $500^{\circ}C$~$900^{\circ}C$에서 산화시켜 Al/$Ta_2O_5$p-Si/Al또는Al/$Ta_2O_5$/p-Si/Al과 같은 MIS형 커패시터를 만들어 유전상수 및 누설전류를 측정하였으며 XRD, AES, ESCA등을 이용하여 박막의 결정성 및 특성을 분석하였다. $SnO_{2}$박막층을 입힌 커패시터는$SnO_{2}$층을 입히지 않은 커패시터보다 10배 이상 큰 200정도의 유전상수 값을 나타내었다. 그리고 산화온도가 높으면 박막의 결정화로 인하여 유전상수는 증가하지아는 누설전류도 약간 증가하는 것이 확인되었다. 또한 높은 증착온도는 일반적으로 누설전류를 낮추는 것으로 나타났다. 특히 $SnO_{2}$층을 입힌 경우에 기판온도를 $200^{\circ}C$로 하고 $800^{\circ}C$에서 산화시켜 만든 커패스터의 경우에 $4 \times 10^{5}$V/cm의 전장강도에서 $10^{-7}A/\textrm{cm}^2$의 낮은 누설전류 값을 나타내었다. $Ta_2O_5$박막은 $700^{\circ}C$ 이상에서 박막이 결정되고, Ta /$SnO_{2}$ 이중박막을 산화시키면 처음에는 Ta박막과 $SnO_{2}$박막 계면에서 $SnO_{2}$로부터 Ta박막에 산소가 공급되지마는 점차 Sn이 Ta박막쪽으로 확산되어 결국에는 Ta-Sn-O계의 새로운 ternary oxide가 생성되는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.206-207
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• 2005

Display 소재로서 유전체나 격벽재 실링재로 사용되고 있는 frit는 PbO를 주성분으로 갖는 유리가 사용되고 있다. PbO 성분이 함유된(50$\sim$85%) 구성소재는 최근 RoHS 나 WEEE 등의 환경규제 실행에 직면해 있으며, 대체재료의 개발을 위한 많은 연구가 진행되고 있다 PbO 성분을 대체할 성분으로는 $Bi_2O_3$ 계, BaO-ZnO 계, $P_2O_5$ 계 등의 성분이 주요성분으로 이루어져 있으며, PbO 성분을 함유한 유리의 저융점, 저유전율, 고 투과율, 내산성, 내전압, 팽창계수 matching 등의 특성들에 부합되는 재료를 개발하기 위해 많은 노력을 기울이고 있다. 본 연구에서는 SnO-$P_2O_5$ 계 유리 조성을 선택하여 $R_2O_3$의 치환 및 용융분위기의 조절에 따른 저융점 유리로서의 특성과 효과에 대하여 고찰하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제48권1호
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• pp.63-68
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• 2011

The investigation is directed to lead free (Pb-free) frits that can be used for organic light emitting diode, plasma display screen devices and other sealing materials. $P_2O_5$-SnO system glasses have been prepared for Pb-free low temperature glass frit. Structure and properties of the glasses with the composition SnO-$xB_2O_3-(60-x)P_2O_5$ (x=0, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40 mol%) were characterized by infrared spectra (IR), X-ray diffraction(XRD), Density, Molar volume, Thermo mechanical analysis(TMA) and weight loss after immersion test. Glass transition temperature($T_g$), dilatometric softening temperature($T_d$) and chemical durability increased, and coefficient of thermal expansion($\alpha$) decrease with the substitution of $B_2O_3$ for $P_2O_5$ in the range of 0~25 mol%.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.107.2-107
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• 2002

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.162-162
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• 2002

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.865-868
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• 2002

$SnO_2$ powders were prepare by precipitating $Sn(OH)_4$ from an aqueous solution of $SnCl_4{\cdot}5H_2O$, pH 9.5. The effects of stability and sensitivity of $SnO_2$ thick film sensors added with various amounts, $SiO_2$, $Al_2O_3$, $ZrO_2$, $TiO_2$ have been investigated. It is shown that the 3wt% $Al_2O_3$ or $SiO_2$ can improve the stability of $SnO_2$ gas sensor at an operating temperature of $350^{\circ}C$.

• 대한전자공학회논문지
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• 제13권2호
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• pp.23-27
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• 1976

p형과 n형 Si wafer의 111면위에 5x10-5mmHg의 진공내에서 SnO2-x박막을 Flash증착법으로 성장시킨 다음 산소분위기 속에서 열처리하여 Si-SnO2 heterojunction을 만들고 물성측정으로 부터 Energy bnad profile을 구하였다. 이 heterojunction은 양호한 정류성 Junction이며 400nm부터 1200nm까지 분광감도를 갖고 시정수가 -10-18sec로 고속광소자로 적합하며 Si p-n homojunction solar cell에 비하여 특성이 우수하고 제작이 간단하기 때문에 태양전지로 사용해도 손색이 없다. Si-SnO2 heterojunction was prepared by oxidzing at oxygen atmosphere SnO2-x Which made by Flith evaporation of SnO2 powder on III surface of p and n type Si single crystals. The energy band Profile of Si·SnO2 heterojunction was depicted from its physical properties. This heterojunction was very good rectifying junction, very sensitive in spectral response of Photovoltage at from 400nm to 1200nm, and -10-8sec of time contant. From above properties, this heterojunction was found ps good high speed photovoltaic device and solar cell.