• Journal of Magnetics
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• 제2권4호
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• pp.111-115
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• 1997

The electronic structure of the Kondo insulator CeNiSn has been investigated by using photoemission spectroscopy. A satellite feature is observed in the valence band spectrum about 6 eV below the Ni 3d main peak, indicating a strong Ni 3d Coulomb correlation in CeNiSn. The Ce 4f partial spectral weight exhibits three peak structures, including one due to the 4f1\longrightarrow4f0 transition, another near EF, and the other which overlaps the Ni 3d main peak. We interpret the peak near EF as reflecting mainly the Ce 4f/Sn 5p hybridization, whereas that around the ni 3d main peak as reflecting both the Ce 4f/Ni 3d and Ce 5d/Ni 3d hybridization. Yield measurements across the 4d\longrightarrow4f threshold indicate the Ce valence to be close to 3+. The prominent Fermi edge suggests a metallic ground state in CeNiSn.

• 한국재료학회지
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• 제17권7호
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• pp.376-381
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• 2007

Fluorine-doped tin oxide (FTO) thin film was coated on aluminosilicate glass at $450^{\circ}C$ by spray pyrolysis method. In the range of 0-2.7 molar ratio of F/Sn, the variations of electrical conductivity and visible light transmission were investigated. At the F/Sn ratio of 1.765, the film showed the lowest electrical resistivity value of $3.0{\times}10^{-4}{\Omega}\;cm$, the highest carrier concentration of $2.404{\times}10^{21}/cm^3$, and about $8\;cm^2/V{\cdot}sec$ of electronic mobility. The FTO film showed a preferred orientation of (200) plane parallel to the substrate. X-ray photoelectron spectroscopy analysis results indicated that the contents of $Sn^{4+}-O$ bonding are the highest at 1.765 of F/Sn molar ratio.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.65-68
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• 2009

본 연구에서는 eagle 2000 glass위에 APCVD(atmospheric CVD)증착법으로 $SnO_2$:F 박막을 제조하였다. 공정 온도, doping 농도, TTC(Tin tetrachloride)와 $H_2O$, $CH_3OH$의 조성비를 공정 변수로 두었으며, 각 변수에 대한 전기적, 광학적 특성 및 결정성을 확인하였다. hall measurement를 이용 제작된 박막의 전기적 특성을 확인 하였고, uv-VIS spectroscopy, hazemeer를 이용 박막의 광학적 특성을 확인 하였다. 또한 XRD, FESEM, AFM을 이용 박막의 결정성 및 표면 특성을 확인 하였다. 박막의 결정성을 결정짓는 증착 온도의 경우 $590^{\circ}C$에서 완벽한 Tetragonal rutile 형태의 결정성을 보였으며 $SnO_2$:F film $1{\mu}m$ thickness에서 $10({\Omega}/{\square})$ 내외의 우수한 면저항값과 $30(cm^2/Vs)$ 이상의 mobility값을 확인 하였으며, 가시광영역대 에서 높은 투과율과 우수한 haze값을 얻었다.

• 대한치과교정학회지
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• 제25권3호
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• pp.235-245
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• 1995

이 논문의 목적은 청소년 교정환자들의 치은염과 치아탈회를 조절하기위해 사용된 수종의 화학요법들에 관해 최근에 보고된 2개의 연구를 재검토하기 위함이다. 첫번째 연구(치은염 연구)는 고정성 교정장치를 장착하고 있는 경우, 기존의 칫솔법에 매일 2회 유효 주석 이온이 $90\%$이상 함유된 $0.4\%$의 겔형 불화주석($SnF_2$ gel)을 함께 사용하는 경우와 기존의 칫솔법만을 사용하는 것 중 치태침착과 치은염을 조절하는데 있어서 어느 것이 더 효과적인지를 결정하기 위하여 시행 되었다. 두번째 연구(치아탈회 연구)는 교정환자들을 대상으로 II00ppm의 불소가 함유된 치약만을 사용할 때와 이와 똑같은 치약과 $0.05\%$ 불화나트륨 양치액(NaF rinse)을 병용하여 양치하거나 이 치 약과 함께 $0.4\%$ 겔형의 불화주석을 사용할 때 치아탈회의 조절효과를 비교하기 위하여 시행 되었다. 치은염 연구에서는 모든 치아를 고정성 장치로 계속 치료를 받고 있는 청소년 교정환자 65명을 연령과 성별에 따라 두 군으로 지정하였다. 마찬가지로 치아탈회 연구에서도 30명을 추가(총 95명)하여 제 3군으로 지정하였다. 제1군(대조군, 35명)은 단지 표준화 불소(1100 ppm 불소) 치약만 사용하였다. 제 2군은 1 군과 같은 치약에 겔형의 $0.4\%$ 불화주석이 함유된 치약을(겔형 불화주석군, 표본수=30) 매일 2회씩 18개월 동안 사용하였다. 제 3군은(단지 치아탈회군만으로 이용) 같은 종류의 치약과 $0.05\%$ 불화나트륨 양치액을 사용하였다(불화나트륨 양치군, 표본수=30). 치태침착의 임상평가는 Plaque Index로, 치은의 염증은 Gingival Index로, 치관의 착색은 단일맹검(single-blind)으로, 고정성 교정장치를 장착하기 전과 장착한 후 1, 3, 6, 9, 12, 18 개월마다 실시하였다. 치아탈회의 임상평가는 맹출한 모든치아의 순측면에 고정성 교정장치를 장착하기 전과 장치 제거 3개월 후에 단일맹검으로 실시하였다. 치은염 연구에서 겔형 불화주석군($SnF_2$ gel group)이 대조군에 비해 교정치료 기간동안 시행한 모든 검사에서 Plaque Index(p<0.01)와 Gingival Index(p<0.001)가 상당히 낮은것으로 나타났다. 겔형 불화주석군에서 한 증례는 미미한 치관착색을, 두 증례는 보통정도의 치관착색을 보였다. 치아탈회 연구에서는 겔형 불화주석군과 불화나트륨 양치액군이 치료후 치아탈회값에서 치료전 치아탈회값을 뺀 치아탈회값이 대조군에 비해 구강전체및 제1대구치에서 현저하게 낮은 값(p<0.05)을 보였다. 비록 겔형 불화주석군이 불화나트륨 양치액군보다 일관되게 낮은 치아탈회값을 보였을지라도 통계적으로 그 차이는 단지 유의성을 보이는 정도였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1351_1352
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• 2009

We deposited $SnO_2$:F thin films by atomospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD) on corning glass. $SnO_2$:F films were used as transparent conductive oxide (TCO) electrode for Si thin film solar cells. We have investigated structural, electrical and optical properties of $SnO_2$:F thin films and fabricated thin film Si solar cells by plasma enhanced CVD(PECVD) on $SnO_2$:F thin films The cells were characterized by I-V measurement using AM1.5 spectra. Conversion efficiency of our cells were between 5.61% and 6.45%.

• 센서학회지
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• 제14권2호
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• pp.63-68
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• 2005

The nano-grained Pd or Pt-doped $SnO_{2}$ thin films were deposited on the alumina substrate at ambient temperature or $300^{\circ}C$ by using an R.F. magnetron sputtering system and then annealed at $650^{\cir}C$ for 1 hour or 4 hours in air. The crystallinity and microstructure of the annealed films were analyzed. A grain size of the thin films was 30 nm to 50 nm. As a result of gas sensitivity measurements to an alcohol vapor of $36^{\circ}C$, the 2 wt.% Pt-doped $SnO_{2}$ thin-film sensor deposited at $300^{\circ}C$ and annealed at $650^{\circ}C$ for 4 hours showed the highest sensitivity.

• 한국자기학회지
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• 제13권3호
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• pp.121-126
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• 2003

(N $i_{0.2}$C $u_{0.2}$Z $n_{0.6}$)$_{1.085}$(F $e_2$ $O_3$)$_{0.915}$의 기본 조성에 첨가제 Sn $O_2$, CaO 첨가량과 ferrite의 공정을 변화시켜 시편의 전자기적 특성 및 미세구조를 조사하였다. 첨가제에 따른 입자크기의 변화는 거의 없었다. (N $i_{0.2}$C $u_{0.2}$Z $n_{0.6}$)$_{1.085}$(F $e_2$ $O_3$)$_{0.915}$을 소결시 1300 $^{\circ}C$에서 소결하는 것보다 1150 $^{\circ}C$에서 소결한 소결체의 손실이 더욱 적었다. CaO만 첨가할 때 0.2 wt%가 소결밀도를 크게하여 손실을 줄여주는 첨가제로 사용 가능함을 확인하였다 Sn $O_2$차 Ca $O_2$함께 첨가시 SnO2$_2$ 0.06 wt%, CaO 0.4 wt%가 손실을 크게 줄여 주는 것으로 조사되었다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제13권1호
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• pp.23-38
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• 1988

In order to investigate the material formed by application of fluoride on human dentin, exposed dentin of tooth cervix and sound dentin powder was treated by several fluoride solutions. The former was observed by scanning electron microscope and the latter was analysed by x-ray diffractometer and infrared spectrophotometer. The results obtained were as follows: 1. Application with NaF, $SnF_2$ and $Na_2PO_3F$ on exposed dentin of tooth cervix formed mineralized materials covered. 2. The amount of mineralized materials increased with time intervals of applying the fluorides. 3. The density of mineralized materials was highest in $Na_2PO_3F$ treatment group, and NaF treatment group was higher than $SnF_2$ treatment group. 4. $SnF_2$ remained in covering of mineralized materials. 5. Application with NaF and $Na_2PO_3F$ formed mineralized materials characterized apatitic crystals. 6. The crystallinity of mineralized materials was higher prominently in $Na_2PO_3F$ treatment group.

• 대한소아치과학회지
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• 제11권1호
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• pp.151-157
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• 1984

The purpose of this study was to compare the growth-inhibiting effect of sodium fluoride and stannous fluoride on a cariogenic strain of Streptococcus mutans exposed to the different concentration of $SnF_2$ and NaF The result were as follows: 1. The growth rate of the Streptococcus mutans was unaffected by 75 ppmF, slowed by 150 ppmF, and immediately arrested by 300 or 600 ppmF where increments of NaF were added to actively growing 12-hour broth culture. 2. $SnF_2$ slowed the growth rate at 75 ppmF, was to bactericidal initially at 150 and 300 ppmF, and was to totally bactercidal at 600 ppmF. 3. $SnF_2$ has been shown to be more effective than NaF in inhibiting the growth activity of Streptococcus mutans. 4. The inhibitory effect of fluoride compounds on the growth of Streptococcus mutans was increased in the decreased pH at concentration of 600 ppmF.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.275-277
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• 2007

유리를 기판으로 하는 superstrate pin 비정질 태양전지에서 전면투명전도막(TCO)과 p-layer의 계면이 태양전지의 효율을 내는데 가장 큰 기여를 한다. 전면투명전도막(TCO)으로 현재 일반적으로 사용되는 ZnO:Al는 $SnO_2:F$ 보다 전기,광학적으로 우수하고, 안개율(Haze)높으며, 수소 플라즈마에서의 안정성이 높은 특정을 갖고 있다. 그래서 박막 태양전지 특성향상에 매우 유리하나, 태양전지로 제조했을 때, $SnO_2:F$보다 충진율(Fill factor:F.F)과 V_{\infty}$ 가 감소한다는 단점을 가지고 있다. 본 실험실에서는 $SnO_2:F$의 F.F가 72%이 나온 반면 ZnO:Al의 F.F은 68%에 그쳤다. 이들 원인을 분석하기 위해 TCO/p-layer의 전기적 특성을 알아 본 결과, $SnO_2:F$보다 ZnO:Al의 직렬저항이 높게 측정되었다. 이러한 결과를 바탕으로 p-layer 에 R={$H_2/SiH_4$}=25로 변화, p ${\mu$}c$-Si:H/p a-SiC:H 로 p-layer 이중 증착, p-layer의 boron doping 농도를 증가시키는 실험을 하였다. 직렬저항이 가장 낮았던 p ${\mu$}c$-Si:H/p a-SiC:H 로 p-layer 이중 증착에서 Voc는 0.95V F.F는 70% 이상이 나왔다. 이들 각 p층의 $E_a$(Activation Energy)를 구해본 결과, ${\mu$}c$-Si:H의 Ea 가 가장 낮은 것을 관찰 할 수 있었다.