실리카 광도파로용 SiON 후막 특성에서 RF Power와 $SiH_4$ /($N_2$ O+$N_2$ ) Ratio가 미치는 영향
(The Effect of RF Power and $SiH_4$ /($N_2$ O+$N_2$ ) Ratio in Properties of SiON Thick Film for Silica Optical Waveguide)
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- 한국세라믹학회지
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- 제38권12호
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- pp.1150-1154
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- 2001