• 한국세라믹학회지
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• 제46권1호
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• pp.10-15
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• 2009

We have fabricated silicon-rich silica thin films via RF magnetron sputtering using a SiO target. Thickness evolution and microstructure change of such $SiO_x$ (1$SiO_x$ thin films turned out to be mainly responsible for the increase of refractive index.

• 한국재료학회지
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• 제4권8호
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• pp.895-905
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• 1994

비정질 $Si_{1-x}Ge_{x}$(X=0, 0.14, 0.34, 0.53)합금박막의 결정화거동을 X-ray diffractometry(XRD)와 투과전자현미경(transmission electron microscopy, TEM)을 이용하여 조사하였다. 비정질 박막은 열산화막(thermal oxide, $SiO_{2}$)이 입혀진 Si기판위에 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 $300^{\circ}C$에서 증착하였으며 각 Ge조성에 해당하는 기편들을 $500^{\circ}C$ ~ $625^{\circ}C$에서 열처리한 다음 XRD를 이용하여 결정화분율과 결정화후 박막의 우선순방위(texture)경향ㅇ르 조사하였다. 또한 TEM을 사용하여 열처리한 박막의 미세구조를 분석하였다. XRD분석결과 박막내의 Ge함량의 증가는 결정화에 대한 열처리시간을 크게 감소시키는 것으로 밝혀졌다. 또한 결정화후 강한(111) 우선방위를 나타내는 Si박막과는 달리 $Si_{1-x}Ge_{x}$합금은 (311)우선방위를 가지는 것을 알았으며 이는 비정질 Si박막과 $Si_{1-x}Ge_{x}$박막의 결정화기구에 현저한 차이가 있음을 암시한다. TEM관찰에서, 순수한 Si박막은 결정화후 결정립이 타원형이나 수지상(dendrite)형태를 취하고 있었으며 결정립내부에 미페쌍정이나 적층결함들의 많은 결정결함들이 존재하고, 결정립의 성장이 이들 결함을 따라 우선적으로 성장함을 알 수 있었다. 반면에 $Si_{0.47}Ge_{0.53}$의 경우에서는 결정립모양이 원형에 가까운 동축정(dquiaxed)형상을 하며 결정립내부의 결함밀도도 매우 낮았다. 특히 Si에서 보았던 결정립성장의 방향성은 관찰되지 않았다. 이상의 결과에서 비정질 $Si_{1-x}Ge_{x}$(합금박막의 결정화는 Ge이 포함되지 않은 순수한 Si의 twin assisted growth mode에서 Ge 함량의 증가에 따라 \ulcorner향성이 없는 random growth mode로 전개되어간다고 결론지을수 있다.

• 한국진공학회지
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• 제20권1호
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• pp.50-56
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• 2011

본 논문에서는 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 기반 이종접합 다이오드 전류 특성에 대한 연구가 진행되었고, b-ZnO (ZnO buffer layer) 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 p-Si(111) 기판 위에 증착시킨 ZnO 박막의 구조적, 전기적 특성 또한 연구되었다. X-ray diffraction (XRD) 방법을 이용하여 ZnO 박막의 구조적 특성을 측정하였고, semiconductor parameter analyzer를 이용하여 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 I-V 특성을 평가하였다. XRD 분석 결과 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$, 버퍼막 두께 70 nm에서 ZnO 박막은 우세한 (002) 방향의 c-축 배향성을 갖는 육방정계(hexagonal wurtize) 결정 구조를 나타내었다. 전기적 특성인 운반자 농도, 비저항 값의 경우에는 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$, 버퍼막 두께 50 nm에서 우수한 전기적 특성(비저항: $2.58{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$, 운반자 농도: $1.16{\times}10^{20}[cm^{-3}]$)을 보였다. 또한 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 전류 특성은 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$에서 버퍼막 두께가 증가할수록 전류 특성이 향상되는 경향을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.755-758
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• 2000

YMnO$_3$films have been deposited with different Rf powers of 60W, 80W, 100W, and 120W. The structural properties of YMnO$_3$films on Si(100) were analysed by XRD(X-ray diffraction). The c-axis oriented peaks of YMnO$_3$were observed deposited in YMnO$_3$/Si(100) structure of RF power at 87$0^{\circ}C$ in oxygen ambient, and the peaks were enlarged by increasing The RF powers. The dielectric constant of the film deposited at 100W and 120W of RF power were about 19, 20 respectively.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.233-239
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• 1998

화학기상증착법을 이용하여 tetramethylsilane(TMS)과 hexamethyldisilane(HMDS)으로부터 SiC층을 증착시켰다. 반응관 내의 압력은 1torr를 유지시켰으며, $H_2$ 가스를 사용하여 precursor를 반응로내로 수송하였고 $1200^{\circ}C$의 반응온도로 SiC 증착이 이루어졌다. 기판은 tantalum으로 masking한 Si-wafer와 platinum, molybdenum으로 masking한 MgO 단결정을 사용하였다. 금속층(Ta, Pt, Mo)에서의 SiC 증착 양상과 Si, MgO 위에서의 SiC 증착 양상을 비교함으로써 SiC 증착의 선택성을 관찰하였다. 증착층의 주된 상은 X-선 회절분석에 의해 $\beta-SiC$로 확인되었다. 또한 전자현미경 분석을 통해 각 층에서의 증착 양상의 차이를 조사하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권12호
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• pp.1008-1015
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• 2002

분극처리 없이 제작한 lanthanum-modified lead titanate (PLT) 박막의 초전특성에 대한 변조 주파수 의존성을 dynamic method를 이용하여 조사하였다. La이 10mo1% 첨가된 Pb/sub l-x/La/sub x/Ti/sub l-x/4/O₃ (h=0.1) (PLT(10)) 박막을 Pt/TiO/sub x//SiO₂/Si 기판위에 acetate 계 precursor 을 이용한 sol-gel 법으로 제작하였다. 제작된 PLT(10) 박막은 비교적 우수한 유전특성을 보였다. 초전계수 (p) 는 주파수 의존성이 없이 6.6×10/sup -9/ C/㎠·K 을 나타내었다. 이를 이용하여 구한 전압감도와 비검출능을 위한 재료평가지수는 각각 1.03×10/sup -11/ C·㎝/J 과 1.46×10/sup -9/C·㎝/J 로 나타났다. 제작된 PLT(10) 박막 초전형 적외선 센서는 주파수 8Hz 에서 5.15v/w 의 전압감도 (Rv)를 가지며, 잡음등가전력 (NEP) 과 비검출능 (D/sup */) 은 동일한 주파수 100Hz 에서 각각 9.93×10/sup -8/W/Hz/sup 1/2/와 1.81×10/sup 6/cm·Hz/sup 1/2//W 의 최소값과 최대값을 나타내었다. 이와 같은 특성들은 PLT(10) 박막이 초전형 적외선 센서의 감지물질로 매우 적합함을 나타낸 것이다.

• 한국표면공학회지
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• 제57권2호
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• pp.86-91
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• 2024

In this study, we investigated the effect of Na₂SiO₃ concentration on the Plasma Electrolytic Oxidation(PEO) film formation of Al6061 alloy. The morphology of the PEO films were examined by Optical Microscope(OM) and Scanning Electron Microscope(SEM). PEO film thickness increases as the Na₂SiO₃ concentration increases. The elemental analysis of PEO films was conducted using Dispersive X-ray Spectrometer(EDS). The cross-sectional elemental analysis result shows that the Si concentration tends to increase as the concentration of Na₂SiO₃ increases. X-Ray Diffraction(XRD) analysis was performed to confirm the degree of phase change according to Na₂SiO₃ concentration. In addition, Vickers hardness was measured to confirm the mechanical strength of the PEO film. As the concentration of Na₂SiO₃ increases, the hardness value also tends to increase.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권5호
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• pp.187-191
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• 2007

The device performance of ZnO-thin film transistors(ZnO-TFTs) with gate dielectrics of $SiO_2,\;SiN_x$ and Polyvinylphenol(PVP) having a bottom gate configuration were investigated. ZnO-TFTs can induce high device performance with low intrinsic carrier concentration of ZnO only by controlling gas flow rates without additional doping or annealing processes. The field effect mobility and on/off ratio of ZnO-TFTs with $SiN_x$ were $20.2cm^2V^{-1}s^{-1}\;and\;5{\times}10^6$ respectively which is higher than those previously reported. The device adoptable values of the mobility of $1.37cm^2V^{-1}s^{-1}$ and the on/off ratio of $6{\times}10^3$ were evaluated from the device with organic PVP dielectric.

• 한국재료학회지
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• 제5권7호
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• pp.816-819
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• 1995

저압 유기금속 화학 증탁법에 의하여 Pt/Ti/SiO$_2$/Si 기판위에 (Ba$_{1-x}$ , Sr$_{x}$)TiO/$_3$박막이 제조 되었다. 제조된 BST 박막의 결정화도는 증착온도가 증가함에 따라 (100)방향으로 우선 성장하였다. 90$0^{\circ}C$에서 증착한 BST 박막은 100kHz의 주파수에서 유전상수가 365, 유전손실이 0.052를 나타내었다. 인가전계에 따라 축전용량의 변화가 작은 상유전 특성을 보였으며 0.2MV/cm인가 전계에서 축적 전하 밀도(charge storage density)는 60fC/$\mu\textrm{m}$$^2$을, 0.15MV/cm인가 전계 영역에서 누설 전류밀도(leakage current density)는 20nA/$\textrm{cm}^2$을 나타냈다.냈다.

• 한국세라믹학회지
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• 제45권12호
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• pp.821-826
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• 2008

Nanocrystallized glasses with the composition of $(50-x)BaO-xTiO_2-50SiO_2$ (x=10, 15, 16.7 and 20) have been prepared by heat-treatment at $T_x$ (crystallization onset temperature) for 3 h, and their optical properties, photoluminescence (PL), XRD and Raman spectra have been examined. The absorption edges of the glasses were red-shifted and the absorption coefficient increased with an increase of $TiO_2$. The glass subjected to the heat-treatment showed a dense formation of ${Ba_2}{TiSi_2}{O_8}$ crystals. The XRD and Raman results show that the nanocrystallized glasses formed fresnoite phase up to $TiO_2$ concentrations of 15 mol%. Further-more, blue luminescence with a peak at the wavelength of around 470nm was observed in the nanocrystallized glass, demon strating the optical multifunctional nanocrystallized material such as non-linear optics and photo-luminescence. It is thought that the blue luminescence from the ${Ba_2}{TiSi_2}{O_8}$ nanocrystallized glass originated from the presence of $Ti^{4+}$ incorporated into the fresnoite-type structure.