• 제목/요약/키워드: $SiO_X$

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Zn$_2$SiO$_4$:Mn 녹색형광체의 입도제어 및 발광특성 (Control of Particle Size and Luminescence Property in Zn$_2$SiO$_4$:Mn Green Phosphor)

  • 성부용;정하균;박희동
    • 한국재료학회지
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    • 제11권8호
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    • pp.363-363
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    • 2001
  • PDP용 녹색 형광체의 발광특성을 개선시키기 위해 고안된 액상의 화학적 합성법을 사용하여 조성식이 $Zn_{2-x}$ $SiO_4$:xMn(x=0.05, 0.08)인 형광체를 입자크기가 0.5~2$\mu\textrm{m}$로 조절하여 제조하였다. 제조된 형광체 입자는 구상이며 잘 분산된 형상을 봉주었고, 고상반응법에 비해 상대적으로 낮은 $1080^{\circ}C$에서 willemite구조의 단일상을 얻을 수 있었다. 또한 진공 자외선 영역의 147 nm의 여기원을 사용하여 광발광 특성을 조사하였다. 입자의 크기가 1$\mu\textrm{m}$이고 Mn의 도핑양이 8mole%일 때, 상용 형광체와 비교하여 발광세기는 약 40% 향상되었고 색좌표는 x=0.24, y=0.69로 거의 일치하는 결과를 얻을 수 있었다. 측정된 형광체의 잔광시간은 7.8ms이었다.

비정질 고체에 대한 X선의 다중 산란 강도 (The Intensity Scale of Multiple Scattering of X-rays in Non-Crystalline Solids)

  • 박성수;장윤식;류봉기;박희찬
    • 한국세라믹학회지
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    • 제34권1호
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    • pp.109-113
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    • 1997
  • 흡수계수가 매우 낮은 비정질 재료의 구조 해석을 하기 위하여 표준 X선 회절 기법을 이용했을 때, 시료의 측정된 X선 회절 강도에는 다중 산란에 의해 발생하는 X선 강도가 상당히 포함된다. 비정질 SiO2와 B2O3에서 사용되는 빔의 종류에 따라 발생하는 다중 산란 빔의 강도를 산출해 주는 컴퓨터 프로그램을 작성하였다. 여러 종류의 X선 빔과 시료 SiO2와 B2O3의 조합을 작성된 컴퓨터 프로그램을 도입하였을 때, 2$\theta$=0~180$^{\circ}$의 범위에서 시료 SiO2의 단일 산란 빔에 대한 다중 산란 빔의 강도 비는 CuK$\alpha$빔; 0.10~0.16%, MoK$\alpha$빔; 0.98~5.87%, AgK$\alpha$빔; 1.88~17.86%로 계산되어졌고, 시료 B2O3에 대한 단일 산란 빔에 대한 다중 산란 빔의 강도 비는 CuK$\alpha$빔; 0.27~0.54%, MoK$\alpha$빔; 2.30~19.69%, AgK$\alpha$빔; 3.96~53.83%로 계산되어졌다. 따라서, X선 회절 기법을 이용하여 비정질 SiO2와 B2O3의 구조 해석에 있어서는, MoK$\alpha$빔 및 AgK$\alpha$빔에서 측정된 X선 회절 강도는 다중 산란 효과에 대해서 반드시 교정하여야 한다.

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$Ca^{2+}$ 이온과 $Cs^+$ 이온으로 치환되고 탈수된 두개의 제올라이트 X $Ca_{35}Cs_{22}Si_{100}Al_{92}O_{384}$$Ca_{29}Cs_{34}Si_{100}Al_{92}O_{384}$의 결정구조 (Crystal Structures of Full Dehydrated $Ca_{35}Cs_{22}Si_{100}Al_{92}O_{384}$and $Ca_{29}Cs_{34}Si_{100}Al_{92}O_{384}$)

  • 장세복;송승환;김양
    • 대한화학회지
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    • 제40권6호
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    • pp.427-435
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    • 1996
  • $Ca^{2+}$ 이온과 $Cs^+$ 이온으로 치환되고 완전히 탈수된 제올라이트 X, $Ca_{35}Cs_{22}Si_{100}Al_{92}O_{384}$($Ca_{35}Cs_{22}$-X; a=25.071(1) $\AA)와Ca_{29}Cs_{34}Si_{100}Al_{92}O_{384}$($Ca_{29}Cs_{34}$-X; a=24.949(1) $\AA)$의 두 개의 결정 구조를 $21^{\circ}C$에서 입방공간군 Fd3을 사용하여 단결정 X-선 회절법으로 해석하고 구조를 정밀화하였다. 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X의 구조를 Full-matrix 최소자승법 정밀화 계산에서 $I>3\sigma(I)$인 322개의 독립 반사를 사용하여 최종 오차 인자를 $R_1$=0.051, $R_2$=0.044까지 정밀화 계산하였고, 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X의 구조는 260개의 독립 반사를 사용하여 $R_1$=0.058, $R_2$=0.055까지 정밀화시켰다. 이들 구조에서 $Ca^{2+}$ 이온과 $Cs^+$ 이온은 서로 다른 5개의 결정학적 자리에 위치하고 있다. 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X 구조에서는 16개의 $Ca^{2+}$ 이온은 D6R의 중심, 자리 I에 모두 채워져 있다(Ca-O=2.41(1) $\AA$, $O-Ca-O=93.4(3)^{\circ}).$ 다른 19개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 II에 (Ca-O=2.29(1) $\AA$, $O-Ca-O=118.7(4)^{\circ})$, 10개의 $Cs^+$ 이온은 큰 공동에서 6-링 맞은편 II에 채워져 있고, 각각 3개의 산소로 만들어지는 산소 평면으로부터 $1.95\AA$ 들어가 위치하고 $있다(Cs-O=2.99(1)\AA$, $O-Cs-O=82.3(3)^{\circ}).$ 3개의 $Cs^+$ 이온은 산소 평면에서 소다라이트 공동쪽으로 $2.27\AA$ 들어간 자리 II'에서 위치하고 $있다(Cs-O=3.23\AA$, $O-Cs-O=75.2(3)^{\circ}).$ 나머지 9개의 $Cs^+$ 이온은 각각 큰 공동내 2회 회전축을 가지고 있는 48(f) 위치인 자리 III에 통계학적으로 분포하고 $있다(Cs-O=3.25(1)\AA$, Cs-O=3.49(1) $\AA).$ 탈수한 $Ca_{29}Cs_{34}$-X에서 16개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 I에 채워지고 (Ca-O=2.38(1) $\AA$, $O-Ca-O=94.1(4)^{\circ})$ 13개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 II에 채워져 있다(Ca-O=2.32(2) $\AA$, $O-Ca-O=119.7(6)^{\circ}).$ 다른 12개의 $Cs^+$ 이온은 자리 II에 채워져 있고, 이들은 산소 평면으로부터 각각 $1.93\AA$ 들어가 위치하고 $있다(Cs-O=3.02(1)\AA$, $O-Cs-O=83.1(4)^{\circ}).$ 7개의 $Cs^+$ 이온은 각각 자리 II'에 위치하고 있고, 산소 평면으로부터 소다라이트 공동으로 $2.22\AA$ 들어가 위치하고 있다(Cs-O=3.21(2) $\AA$, $O-Cs-O=77.2(4)^{\circ}).$ 나머지 16개의 $Cs^+$ 이온은 큰 공동내의 자리 III에 있다(Cs-O=3.11(1) $\AA$, Cs-O=3.46(2) $\AA).Ca^{2+}$ 이온은 자리 I과 자리 II에 우선적으로 위치하고 $Cs^+$ 이온은 너무 커서 자리 I에 채워질 수 없으며 나머지 자리에 채워진다.

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치환형 Ferrite (Fe-Al-Ga-Si)의 특성 연구 (A Study on the Properties of Substituted Ferrite (Fe-Al-Ga-Si))

  • 최승한
    • 한국재료학회지
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    • 제21권8호
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    • pp.439-443
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    • 2011
  • The crystal structure and magnetic properties of a new solid solution type ferrite $(Fe_2O_3)_5-(Al_2O_3)_{3.4}-(Ga_2O_3)_{0.6}-SiO$ were investigated using X-ray diffraction and M$\"{o}$ssbauer spectroscopy. The results of the X-ray diffraction pattern indicated that the crystal structure of the sample appears to be a cubic spinel type structure. The lattice constant (a = 8.317 ${\AA}$) decreases slightly with the substitution of $Ga_2O_3$ even though the ionic radii of the Ga ions are larger than that of the Al ions. The results can be attributed to a higher degree of covalency in the Ga-O bonds than in the Al-O and Fe-O bonds, which can also be explained using the observed M$\"{o}$ssbauer parameters, which are the magnetic hyperfine field, isomer shift, and quadrupole splitting. The drastic change in the magnetic structure according to the Ga ion substitution in the $ (Fe_2O_3)_5(Al_2O_3)_{4-x}(Ga_2O_3)_xSiO$ system and the low temperature variation have been studied through a M$\"{o}$ssbauer spectroscopy. The M$\"{o}$ssbauer spectrum at room temperature shows the superpositions of two Zeeman patterns and a strong doublet. It shows significant departures from the prototypical ferrite and is comparable with the diluted ferrite. The doublet of spectrum at room temperature appears to originate from superparamagnetic clusters and also the asymmetry of the doublet appears to be caused by the preferred orientation of the crystallites. The M$\"{o}$ssbauer spectra below room temperature show various complicated patterns, which can be explained by the freezing of the superparamagnetic clusters. On cooling, the magnetic states of the sample were various and multi critical.

캐패시터용 강유전체 박막의 제조 및 특성 (Fabrication and Properties of Ferroelectric Thin Film for Capacitor)

  • 소병문;박춘배
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 전문대학교육위원 P
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    • pp.31-34
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    • 1999
  • In the present study, we fabricated stoichiometric $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films at various substrate temperature and contents using of magnetron sputtering method on optimized Pt-based electrodes (Pt/TiN/$SiO_2$/Si). The substate temperature deposited at 200[ $^{\circ}C$], 400[$^{\circ}C$] and 600[$^{\circ}C$] and crystalline BST thin films show above 400[$^{\circ}C$]. Also, the composition of $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films deposited on Si wafer substrate at 400[$^{\circ}C$] were closed to stoichiometry($1.015{\sim}1.093$ in A/B ratio), but compositional deviation from a stoichiometry is larger as $SrCO_3$ is added. The drastic decrease of dielectric constant and increase of dielectric loss in $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$thin films is observed above 100[kHz]. V-I characteristics of $(Ba_{1-x}Sr_x)TiO_3$ thin films show the decrease of leakage current with the increase of $SrCO_3$ contents.

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고온 PEMFC 응용을 위한 다공성 SiO2 기반 폴리벤즈이미다졸 복합막 (Mesoporous SiO2 Mediated Polybenzimidazole Composite Membranes for HT-PEMFC Application)

  • 한다은;유동진
    • 한국수소및신에너지학회논문집
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    • 제30권2호
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    • pp.128-135
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    • 2019
  • In this study, the mesoporous $SiO_2$ (5, 10, or 15 wt%) was incorporated into the polybenzimidazole matrix in order to improve the proton conduction as well as physiochemical properties of composite membrane. The chemical structure of mesoporous $SiO_2$ and crystallinity of as-prepared membranes were analyzed by Fourier-transform infrared (FT-IR) spectroscopy and X-ray diffraction (XRD) analysis, respectively. The thermal stability of the pristine $X_1Y_9$ and composite membranes were evaluated by thermogravimetric analyzer (TGA). On other side, the physical and chemical properties of the pristine $X_1Y_9$ and composite membranes were also determined by acid uptake and oxidative stability tests, respectively. With the incorporation of 15 wt% $SiO_2$, the composite membrane exhibits the higher proton conductivity that may be applicable for non-humidified high temperature fuel cell applications.

ULSI DRAM의 capacitor 절연막용 BST(Barium Strontium Titanate)박막의 제작과 특성에 관한 연구 (Preparation and properties of BST (Barium Strontium Titanate) thin films for the capacitor dielectrics of ULSI DRAM's)

  • 류정선;강성준;윤영섭
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권4호
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    • pp.336-343
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    • 1996
  • We have studied the preparation and the properties of $Ba_{1-x}$Sr$_{x}$TiO$_{3}$(BST) thin films by using the sol-gel method. Through the comparison of the effects of various solvents and additives in making solutions, we establish the production method of the stable solution which generates the high quality of BST film. We also set up the heat-treatment conditions for depositing the BST thin film through the TGA and XRD analyses. Through the comparison of the surface conditions of BST films deposited on Pt/Ta/SiO$_{2}$/Si and Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si substrates, we find that Ta is more efficient diffusion barrier of Si than Ti so that Ta layer prevents the formation of hillocks. We fabricate the planar type capacitor and measure the dielectric properties of the BST thin film deposited on the Pt/Ta/SiO$_{2}$/Si substrate. Dielectric constant and dielectric loss tangent at 1V, 10kHz, and leakage current density at 3V of the BST thin film are 339, 0.052 and 13.3.mu.A/cm$^{2}$, respectively.ely.

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xK2O-(33.3-x)BaO-16.7TiO2-50SiO2(mole%) 유리의 비선형 광학 및 형광 특성 (Nonlinear, Optical and Luminescent Properties of xK2O-(33.3-x)BaO-16.7TiO2-50SiO2(mole%) Glasses)

  • 이회관;유은성;채수진;강원호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제43권9호
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    • pp.569-574
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    • 2006
  • Transparent glass-ceramics containing fresnoite crystals have been prepared by controlled heat treatment in $K_2O-BaO-TiO_2-SiO_2$ and their nonlinear optical and luminescent properties were investigated using Maker fringe method and Spectrofluorometer. The second harmonic generation was observed in all samples and the values decreased with increasing $K_2O$ content. The luminescence of blue light at ${\sim}482nm$ could be observed and it was shown that the luminescent property was controlled by the $K_2O$ content.

분무열분해법에 의해 제조된(Ca, Sr)2MgSi2O7:Eu2+ 형광체의 발광 특성 (Photoluminescence Characteristics of (Ca, Sr)2MgSi2O7:Eu2+ Phosphor Particles Prepared by Spray Pyrolysis)

  • 이호민;정경열;정하균;이종흔
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제44권3호
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    • pp.284-288
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    • 2006
  • 분무열분해법을 이용하여$(Ca,Sr)_{2-y}MgSi_2O_7:Eu^{2+}{_y}$ 형광체 분말을 제조하고 $Eu^{2+}$의 농도, 후열처리온도 변화 및 Ca/Sr 비에 따른 발광특성을 조사하였다. 또한, Ca/Sr의 비를 변화시켜 발광특성의 변화를 관찰하였다. $Ca_2MgSi_2O_7$$Sr_2MgSi_2O_7$ 분말 모두 $1,000^{\circ}C$ 이상의 온도에서 열처리를 했을 때 순수한 정방정계 상이 제조되었다. $Ca_2MgSi_2O_7:Eu^{2+}{_y}$ 녹색 형광체는 $Eu^{2+}(y)$의 농도가 5 mol%, 후열처리 온도가 $1,250^{\circ}C$ 일 때 가장 높은 발광 강도는 보였다. ${(Ca_{1-x},Sr_x)}_{1.95}MgSi_2O_7:{Eu^{2+}}_{0.05}$의 발광 파장은 Sr의 농도가 증가함에 따른 결정장 감소로 인해 524nm에서 456nm로 점진적으로 blue shift 되었다. $Sr_2MgSi_2O_7:Eu^{2+}$는 Sr 자리에 약 10 mol% Ca를 치환시킴으로써 청색 형광체의 발광 강도는 크게 향상되었다. 제조된 분말들은 치밀하지 못하고 다공성 구조를 가져 후열처리 전에는 구형을 유지하였으나 열처리($900{\sim}1,300^{\circ}C$) 후에는 구형의 형상을 잃고 입자들 간의 응집이 발생하였다.

결정질 실리콘 태양전지의 Al2O3/SiNX 패시베이션 특성 분석 (The Properties of Passivation Films on Al2O3/SiNX Stack Layer in Crystalline Silicon Solar Cells)

  • 현지연;송인설;김재은;배수현;강윤묵;이해석;김동환
    • Current Photovoltaic Research
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    • 제5권2호
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    • pp.63-67
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    • 2017
  • Aluminum oxide ($Al_2O_3$) film deposited by atomic layer deposition (ALD) is known to supply excellent surface passivation properties on crystalline Si surface. The quality of passivation layer is important for high-efficiency silicon solar cell. double-layer structures have many advantages over single-layer materials. $Al_2O_3/SiN_X$ passivation stacks have been widely adopted for high- efficiency silicon solar cells. The first layer, $Al_2O_3$, passivates the surface, while $SiN_X$ acts as a hydrogen source that saturates silicon dangling bonds during annealing treatment. We explored the properties on passivation film of $Al_2O_3/SiN_X$ stack layer with changing the conditions. For the post annealing temperature, it was found that $500^{\circ}C$ is the most suitable temperature to improvement surface passivation.