• 제목/요약/키워드: $SiN_{x}$

검색결과 942건 처리시간 0.036초

위치기반서비스를 위한 공간데이터 모델 표준화 연구 (A Study on Spatial Data Model Standardization for Location Based Service)

  • 이낙훈;김원태;안병익;문재형;시종익
    • 한국공간정보시스템학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국공간정보시스템학회 2002년도 춘계학술대회 논문집
    • /
    • pp.83-88
    • /
    • 2002
  • 최근 들어 무선인터넷 및 모바일 컴퓨팅 기술의 급속한 발전과 함께 향후 그 수요가 증대될 것으로 예상되는 분야가 위치기반 서비스(LBS: Location Based Service) 기술이다. 위치기반 서비스는 이동 통신을 통하여 사람 및 사물의 위치를 파악하고 이를 활용한 부가 응용 서비스로 국가 정보기술 인프라의 주요 영역을 점유하고 있는 GIS의 차세대 핵심 기술로 발전이 예상되는 분야이다[3][4]. 현재 3GPP나 3GPP2, OGC, LIF와 같은 여러 표준화 기구 및 산업체에서 위치기반 서비스와 이를 위한 시스템에 대한 연구가 진행중이며 위치기반 서비스를 위한 데이터 모델 표준화 연구는 거의 이루어지지 않고 있는 상황이다. 위치기반 서비스를 위한 데이터 표준화 모델은 이미 구축된 공간 데이터베이스의 재사용과 위치기반 서비스들간의 상호 운용성을 지원할 수 있어야 한다. 본 연구에서는 위치기반 서비스들 간의 상호 호환 및 통합을 가능하게 하고, 기존 공간데이터베이스와 연계하여 이 데이터를 위치기반 서비스에 활용하기 위한 공간 데이터 표준화 모델을 제안하고자 한다. 이를 위해 위치기반 서비스 표준화 사례를 조사하고, 위치기반 서비스를 위한 공간 데이터 모델을 제시하였다. 본 연구에서는 OpenLS의 위치기반 서비스를 기본서비스로 하고, OpenGIS의 공간 데이터 모델을 기반으로 네 가지 기본 위치 데이터 타입과 모델의 요구 사항을 포함하는 공간 데이터 표준모델을 개발하였다. 위치기반 공간 데이터 표준 모델은 위치기반 서비스와 데이터들과의 연계를 쉽게 하고, 위치기반 서비스들 간의 상호 운용성을 높이며, 기존 사용자 시스템의 수정 없이 인터페이스만을 추가함으로써 표준을 수용할 수 있다.\pm}153.2,\;116.1{\pm}94,\;29.4{\pm}30.3,\;45.1{\pm}44$로 Mel 10군과 Mel 30군이 유의적인 감소를 보였으나(p<0.05) 이들 두 군 간의 차이는 나타나지 않았다. 이상의 결과로, 랫트에서 복강수술 후 melatonin 10mg/kg투여가 복강 내 유착 방지에 효과적이라고 생각된다.-1}{\cdot}yr^{-1}$로서 두 생태계에 축적되었다.여한 3,5,7군에서 PUFA 함량이 증가한 반면, SFA 함량은 감소하여 P/S 비율, n-3P/n-6P 비율은 증가하는 경향이었으며 이는 간장의 인지질, 콜레스테롤 에스테르, 총 지질의 지방산조성에서도 같은 경향을 볼 수 있었다.X>$(C_{18:2})$와 n-3계 linolenic acid$(C_{18:3})$가 대부분을 차지하였다. 야생 돌복숭아 과육 중의 지방산 조성은 포화지방산이 16.74%, 단불포화지방산 17.51% 및 다불포화지방산이 65.73%의 함유 비율을 보였는데, 이 중 다불포화지방산인 n-6계 linoleic acid$(C_{18:2})$와 n-3계 linolenic acid$(C_{18:3})$가 지질 구성 총 지방산의 대부분을 차지하는 함유 비율을 나타내었다.했다. 하강하는 약 4일간의 기상변화가 자발성 기흉 발생에 영향을 미친다고 추론할 수 있었다. 향후 본 연구에서 추론된 기상변화와 기흉 발생과의 인과관계를 확인하고 좀 더 구체화하기 위한 연구가 필요할 것이다.게 이루어질 수 있을 것으로 기대된다.는 초과수익률이 상승하지만, 이후로는 감소하므로, 반전거래전략을 활용하는 경우 주식투자기간은 24개월

  • PDF

The Spin-Rotation Interaction of the Proton and the Fluorine Nucleus in the Tetrahedral Spherical Top Molecules

  • Lee, Sang-Soo;Ozier, Irving;Ramsey, N.F.
    • Nuclear Engineering and Technology
    • /
    • 제5권1호
    • /
    • pp.38-43
    • /
    • 1973
  • A $X_4$형분자인 C $H_4$, Si $H_4$, Ge $H_4$, C $F_4$, Si $F_4$ 및 Ge $F_4$의 양자 또는 불소원자핵의 spin과 분자의 회전사이의 상호작용의 크기를 나타내는 spin-rotation constant $c_{av}$ 를 분자선자기공명방법에 의하여 실험적으로 결정하였다. 강자장근사에 의한 Hamiltonian 은 W $m_{I}$ $m_{J}$=- $g_{I}$ $m_{I}$H- $g_{J}$ $m_{J}$H- $C_{av}$ $m_{I}$ $m_{J}$로 주어지며, $c_{av}$ 는 C tensor의 trace의 3분지 1이 된다. 원자핵자기공오곡선은 v=- $g_{I}$H- $c_{av}$ $m_{J}$로 주어지는 여러개의 회전광공오선의 중첩으로 이룩되며, 전체곡선은 Gauss곡선으로 근사하여 $c_{av}$ 값을 구하였다. 회전공오선은 v= $g_{J}$H- $C_{av}$ $m_{I}$로 주어지며, $m_{I}$는 0, $\pm$1, $\pm$2의 값을 갖는다. $c_{av}$ 의 크기는 인접하는 두 회전공오곡선사이의 진동수치로서도 구할수 있다. 본실험에서 원자핵공오과 회전공오 공히 이용되였다. $c_{av}$ 의 부호는 분자선자기공오실험에서 쓰이는 방법으로서, 양자화되여서 불균일자장에서 분리된 분자선을 진행하는 방향의 좌측 또는 우측에서 부분적으로 차단하면서, 공오곡선의 변화를 보는것으로, 결정된 부호 와 $c_{av}$ 의 크기는 다음과 같다. C $H_4$; -10.3$\pm$0.4kHz Si $H_4$; +3.71$\pm$0.08kHz / Ge $H_4$; +3.79$\pm$0.13kHz C $F_4$; -6.81$\pm$0.08kHz / Si $F_4$; -2.46$\pm$0.06kHz Ge $F_4$; -1.84$\pm$0.04kHz

  • PDF

근로자의 상실치아 실태와 관련요인 (Affecting Factors Related to Oral Health Conditions of Workers)

  • 엄숙;이경수;김경원;이희경
    • 치위생과학회지
    • /
    • 제12권4호
    • /
    • pp.329-334
    • /
    • 2012
  • 이 연구는 경상북도 지역의 제조업 근로자를 대상으로 상실치아실태와 관련요인을 분석하고자 실시하였다. 1. 일반적 특성에 따른 상실치아 개수와의 관련성 분석에서는 연령, 교육수준, 월평균소득, 근무분야가 유의한 관련성이 있는 것으로 나타났다(p<.01). 2. 구강건강상태와 상실치아 개수와의 관련성 분석에서는 점심식사 후 잇솔질 여부(p<.05), 구강검진경험(p<.01)이 유의한 관련성이 있었다. 3. 상실치아개수를 종속변수로 한 다중회귀분석에서는 연령, 교육수준, 결혼여부와 주관적 구강건강수준이 유의한 변수였다(p<.01). 이 결과로 볼 때, 나이가 많고 교육수준이 낮은 생산직 근로자들을 대상으로 잇솔질에 대한 교육을 실시하고, 정기적인 스케일링을 권장하며, 구강검진과 스케일링을 할 수 있는 여건조성을 위한 정책을 만들어 구강건강을 유지할 수 있도록 할 필요가 있다.

저온 공정 온도에서 $Al_2O_3$ 게이트 절연물질을 사용한 InGaZnO thin film transistors

  • 우창호;안철현;김영이;조형균
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
    • /
    • pp.11-11
    • /
    • 2010
  • Thin-film-transistors (TFTs) that can be deposited at low temperature have recently attracted lots of applications such as sensors, solar cell and displays, because of the great flexible electronics and transparent. Transparent and flexible transistors are being required that high mobility and large-area uniformity at low temperature [1]. But, unfortunately most of TFT structures are used to be $SiO_2$ as gate dielectric layer. The $SiO_2$ has disadvantaged that it is required to high driving voltage to achieve the same operating efficiency compared with other high-k materials and its thickness is thicker than high-k materials [2]. To solve this problem, we find lots of high-k materials as $HfO_2$, $ZrO_2$, $SiN_x$, $TiO_2$, $Al_2O_3$. Among the High-k materials, $Al_2O_3$ is one of the outstanding materials due to its properties are high dielectric constant ( ~9 ), relatively low leakage current, wide bandgap ( 8.7 eV ) and good device stability. For the realization of flexible displays, all processes should be performed at very low temperatures, but low temperature $Al_2O_3$ grown by sputtering showed deteriorated electrical performance. Further decrease in growth temperature induces a high density of charge traps in the gate oxide/channel. This study investigated the effect of growth temperatures of ALD grown $Al_2O_3$ layers on the TFT device performance. The ALD deposition showed high conformal and defect-free dielectric layers at low temperature compared with other deposition equipments [2]. After ITO was wet-chemically etched with HCl : $HNO_3$ = 3:1, $Al_2O_3$ layer was deposited by ALD at various growth temperatures or lift-off process. Amorphous InGaZnO channel layers were deposited by rf magnetron sputtering at a working pressure of 3 mTorr and $O_2$/Ar (1/29 sccm). The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. The TFT devices were heat-treated in a furnace at $300^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1 hour by rapid thermal treatment. The electrical properties of the oxide TFTs were measured using semiconductor parameter analyzer (4145B), and LCR meter.

  • PDF

Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 $AgInS_2$단결성 박막의 성장과 가전자대 갈라짐에대한 광전류 연구 (Photocurrent Study on the Splitting of the Valence Band and Growth of $AgInS_2$GaAs Single Crystal Thin Film by Hot Wall Epitaxy)

  • 홍광준
    • 한국결정학회지
    • /
    • 제12권4호
    • /
    • pp.197-206
    • /
    • 2001
  • 수평 전기로에서 AgInS₂ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 AgInS₂ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. AgInS₂ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 680℃, 기판의 온도 410℃였고 성장 속도는 0.5㎛/hr였다. AgInS₂ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence)스펙트럼이 597.8 nm(2.0741 eV)에서 exciton emission스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 박폭치(FWHM)도 121 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.35×10/sup 16/㎤, 294㎠/V·s 였다. AgInS₂ /SI(SEmi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap E/sub g/(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 2.1365eV-(9.89×10/sup-3/eV/K/)T²(T+2930K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamiltopn matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.1541eV이며 spin-orbit Δso 값은 0.0129eV임을 확인하였다. 10K일때 광전류 봉우리들은 n=1 일때 A₁-, B-₁와 C₁-exction 봉우림을 알았다.

  • PDF

한국, 일본, 러시아 용암동굴 형성층의 형광X선 분석과 편광현미경적 연구 (XRF Analysis and Polarizing Microscopic Study of the Lava Cave Formation, Korea, Japan and Russia)

  • Sawa, Isao;Furuyama, Katsuhiko;Ohashi, Tsuyoshi;Kim, Chang-Sik;Kashima, Naruhiko
    • 동굴
    • /
    • 제74호
    • /
    • pp.23-31
    • /
    • 2006
  • (1) Kaeusetgul Cave in Kimnyong-Ri, Jeju-Do, Korea. Kaeuset-gul Cave (KC) is situated in NNE area of the Manjang-gul cave (125m a.s.l.). Kaeuset-gul Cave lies at $126^{\circ}45'22"$ E in longitude and $33^{\circ}33'09"$ N in latitude. The coast belong Kimnyeong-Ri, Kujwa-eup, Jeju-Do. Altitude of the cave-entrance is 10m and length of the cave is 90m. Lava hand-specimens of KC are studied by X-ray fluorescence analysis (XRF). Average major chemical components of specimens from KC is as follows (wt.%); $SiO_2=47.03$, $TiO_2=3.16$, $Al_2O_3=18.41$, FeO*=13.53, MnO=0.14, MgO=5.05, CaO=8.66, $Na_2O=2.81$, $K_2O=0.67$, $P_2O_5=0.55$ in KC. Polarizing microscopic studyindicates that these specimens are described of alkali-basalt. (2) Tachibori Fuketsu (Cave) in Shizuoka Prefecture, Fuji Volcano, Japan Tachibori Fuketsu lies attoward the south in skirt of the Fuji volcano, $138^{\circ}42'04"$ east longitude and $35^{\circ}18'00"$ north latitude. The location of cave entrance is 2745, Awakura, Fujinomiya-shi, Shizuoka Prefecture. The above sea level and length of Tachibori Fuketsu are 1,170m and 82m. Average major chemical components of specimens from cave areas follows (Total 100 wt.%) ; ($SiO_2$=50.52, $TiO_2$=1.69, $Al_2O_3$=15.47, FeO*=13.13, MnO=0.20, MgO=5.97, CaO=9.17, $Na_2O$=2.52, $K_2O$=0.94 and $P_2O_5=0.40).$ Polarizing microscopic study indicates that these specimens may belong to tholeiite-basalt series. According to polarizing microscopic study, Au (Augite), P1 (Plagioclase), and O1 (Olivine) are contained as phenocryst minerals. (3) Gorely Cave in Kamchatka Peninsula, Russia Gorely caldera is located at the southeastern part of Kamchatka Peninsula, about 75km southwest of Petropavlovsk-Kamchatskiy.. Gorely lava caves are situated in NHE area of Mt. Gorely volcano (1829m a.s.1.). One of lava cave (Go-9612=K-1) lies at $158^{\circ}00'22"$ east longitude and $52^{\circ}36'18"$ north latitude. The elevation of cave entrance is about 990m a.s.1. and the main cave extends in the NNW direction for about 50m by 15m wide and 5m in depth. The cave of K-3is near the K-1 cave. "@Lava hand-specimens K-1 and K-3 caves are studied by X-ray fluorescence analysis and polarizing microscopic observation. Average major chemical components of specimens from these caves are as follows (wt.%) ;($SiO_2$=55.12, $TiO_2$=1.25, $Al_2O_3$=16.07, T-FeO* =9.41, MnO=0.16, MgO=5.01, CaO=7.21, $Na_2O$=3.39, $K_2O$=1.92, $P_2O_5$=0.45) and these values indicate that the Gorely basaltic andesite belong to high alumina basalt. Polarizing microscopic study indicates that these specimens are described of Augite andesite.

섬유성 이형성증의 바늘구멍 골스캔 소견 (Pinhole Bone Scintigraphic Manifestation of Fibrous Dysplasia)

  • 백지희;이성용;김성훈;정용안;김범수;송하헌;정수교;강시원;박용휘;신경섭
    • 대한핵의학회지
    • /
    • 제31권4호
    • /
    • pp.452-458
    • /
    • 1997
  • 저자들은 섬유성 이형성증으로 진단받은 14명 환자의 16병변에서 단순 X-선사진의 소견에 따른 부위별 방사능 집적 정도를 알아보고 그 의의를 평가하기 위해 바늘구멍 골스캔과 단순 X-선사진 소견을 후향적으로 분석하여 비교하여 보았다. 10병변은 수술하여 조직학적으로 확진되었고, 6병변은 방사선학적으로 진단 받았다. 평균연령은 41.1세이며, 두 검사간의 간격은 평균 1.1일이었다. 병소의 위치는 늑골 7예, 골반골 4예, 쇄골 1예, 대퇴골 2예, 장골 1예, 상완골 1예였다. 바늘구멍골스캔 소견상 중심부에서 1+로 정상 방사능 집적을 보인예는 6예(방사선투과성 병변 5예, 간유리모양 병변 1예)이고, 2+로 중등도로 증가된 방사능 집적을 보인 경우는 7예(방사선투과성 병변 4예, 간유리모양 병변 3예)이며 3+로 현저히 증가된 경우는 3예(간유리모양 병변 1예, 경화성 병변 2예)가 있었다. 16예 중 15예에서 주변부 병소에 한 군데 이상의 증가된 방사능 집적이 불규칙한 환상이나 결절모양으로 나타났는데, 2+의 중등도 방사능 집적이 경화성테두리 5예와 비가시성 피질 1예에서, 그리고 3+의 현저한 방사능 집적증가는 격막과 피질천공을 보인 모든 예(7예, 8예)에서, 그리고 비가시성 피질 9예 중 8예에서 나타났다. 16예 중 1예는 중심부와 주변부 병소가 균일한 2+의 집적증가를 보였다. 바늘구멍 골스캔상 섬유성 이형성증의 방사선투과성병변은 이제까지 보고된 것과는 다르게 많은 예에서 인접 정상골과 비슷한 집적을 보였다. 또한, 격막, 피질골절 또는 비가시성 피질 등의 소견을 보이는 부분에 방사능 집적이 현저히 증가되어 주변부의 불규칙한 환상 또는 결절모양의 방사능 집적형태를 보였으며, 이들 병소는 골대사가 활발한 부위로 생각된다. 이와 같은 골의 섬유성 이형성증의 바늘구멍 골스캔 소견을 분석함으로써 부위별 활성도를 평가하여 진단, 예후 추정 및 치료방침을 결정하는데 유용하리라 사료된다.

  • PDF

유한요소 분석을 통한 심미적 교정 브라켓의 응력 및 구조분석에 관한 연구 (STRESS DISTRIBUTION IN ESTHETIC ORTHODONTIC BRACKETS : AN ANALYSIS USING THE FINITE ELEMENT METHOD)

  • 이원유;안주삼;박영철;박명균;손홍범;정시동
    • 대한치과교정학회지
    • /
    • 제28권1호
    • /
    • pp.43-49
    • /
    • 1998
  • 본연구는 유한요소 분석법의 사용으로 세가지 형태의 브라켓에 tipping과 torquing force를 부여하여 응력분포를 알아보고 또한 스테인레스 스틸과 세라믹의 재질을 임의 설정하여 응력 분포를 알아보아 생 역학적으로 우수한 브라켓을 디자인 하는 데 기초가 되기위해 수행되었다. 선정된 세가지 브라켓은 A:Transcend(Unitek) B:Signature(RMO) C:PAW(Plane Arch Wire appliance) 이었다. 철선은 0.0175x0.025 스테인레스 스틸과 C형은 새롭게 고안된 마름모꼴 철선이 이용되었다. tipping force는 4.27N을 브라켓의 wire slot의 gingival wall의 mesial surface와 대각선으로 대칭되는 면에 각각의 node에 분력의 형태로 작용시켰다. torquing force는 couple force의 형태로 32.858N을 19.7도 회전하였고 bracket C형은 동량의 힘을 11.3도 회전하여 X와 Y의 방향으로 분력의 형태로 나누어 해석하였고 von Mises stress(최대상당응력)가 각 브라켓에서 기록되었다. 이에 다음과 같은 결론을 얻었다. 첫째, 유한요소 해석을 통해 브라켓과 wire slot을 실제로 제작하지 않고도 각각의 재료에 따른 응력분포를 예측할 수 있었다. 둘째, 응력의 집중부위는 Tipping시 브라켓 A, B, C모두 유사하게 나타났는데 브라켓 wire slot의 gingival wall과 mesial surface가 만나는 부위와 wire slot의 incisal wall과 distal surface가 만나는 부위였다. Torquing시 wire slot의 길이 방향을 따라 넓게 분포되었고 gingival wall과 협면으로 이행되는 모서리 그리고 incisal wall내면에 집중되었다. 셋째, 브라켓에 작용하는 응력은 Tipping에 의한 것보다는 Torquing에 의한 영향이 더 큼을 알수 있었으며 Torquing force를 기준으로 브라켓을 설계하는 것이 바람직한 것으로 판단되었다. 넷째, 브라켓의 형상과 함께 재료의 변화가 응력감소에 영향을 미치는 것으로 사료되므로 브라켓 제작시 한가지 재료보다 응력이 많이 받는 부위는 다른 재료를 사용하여 응력의 분포를 줄일수도 있음을 알수있었다. 다섯째, 사용하기에 용이하고 운용이 효율적일 것으로 판단되는 브라켓C형(PAW브라켓)은 응력집중현상이 다른 두 브라켓보다 크게 나타났으므로 이의 제작시 기계적 성질이 우수한 재료를 사용해야 할 것으로 사료되었다.

  • PDF

Control of electrical types in the P-doped ZnO thin film by Ar/$O_2$ gas flow ratio

  • Kim, Young-Yi;Han, Won-Suk;Kong, Bo-Hyun;Cho, Hyung-Koun;Kim, Jun-Ho;Lee, Ho-Seoung
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
    • /
    • pp.11-11
    • /
    • 2008
  • ZnO has a very large exciton binding energy (60 meV) as well as thermal and chemical stability, which are expected to allow efficient excitonic emission, even at room temperature. ZnO based electronic devices have attracted increasing interest as the backplanes for applications in the next-generation displays, such as active-matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs), and in solid state lighting systems as a substitution for GaN based light emitting diodes (LEDs). Most of these electronic devices employ the electrical behavior of n-type semiconducting active oxides due to the difficulty in obtaining a p-type film with long-term stability and high performance. p-type ZnO films can be produced by substituting group V elements (N, P, and As) for the O sites or group I elements (Li, Na, and K) for Zn sites. However, the achievement of p-type ZnO is a difficult task due to self-compensation induced from intrinsic donor defects, such as O vacancies (Vo) and Zn interstitials ($Zn_i$), or an unintentional extrinsic donor such as H. Phosphorus (P) doped ZnO thin films were grown on c-sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering with various Ar/ $O_2$ gas ratios. Control of the electrical types in the P-doped ZnO films was achieved by varying the gas ratio with out post-annealing. The P-doped ZnO films grown at a Ar/ $O_2$ ratio of 3/1 showed p-type conductivity with a hole concentration and hole mobility of $10^{-17}cm^{-3}$ and $2.5cm^2/V{\cdot}s$, respectively. X-ray diffraction showed that the ZnO (0002) peak shifted to lower angle due to the positioning of $p^{3-}$ ions with a smaller ionic radius in the $O^{2-}$ sites. This indicates that a p-type mechanism was due to the substitutional Po. The low-temperature photoluminescence of the p-type ZnO films showed p-type related neutral acceptor-bound exciton emission. The p-ZnO/n-Si heterojunction LEO showed typical rectification behavior, which confirmed the p-type characteristics of the ZnO films in the as-deposited status, despite the deep-level related electroluminescence emission.

  • PDF

T1N0 성문암의 방사선치료관련 예후 인자 분석 (A Retrospective Analysis of Treatment-Related Prognostic Factors for Local Recurrence after Primary Radiation Therapy for Patients with Primary T1N0 Glottic Cancer)

  • 김수산;김상윤;남순열;최승호;조경자;김종훈;안승도;신성수;송시열;최은경;이상욱
    • 대한두경부종양학회지
    • /
    • 제19권1호
    • /
    • pp.34-40
    • /
    • 2003
  • Objective: To analyze the treatment-related parameters after the radiotherapy of T1N0 squamous cell carcinoma of the glottic larynx. Materials and Methods: Between October 1989 and August 2000, 54 patients with histologically proven T1N0 squamous cell carcinoma of the glottic larynx who received definitive radiation therapy in Department of Radiation Oncology, Asan Medical Center were analyzed. They were all males with age ranged from 31 to 80 years (median 61 years). 1997 AJCC stages were 31 T1a, 23 T1b. Patients were treated with 4-MV X-rays with a parallel-opposed two-field technique. Ten patients received 66.0-68.4Gy at 1.2Gy per fraction twice daily, 21 patients received 64.8-66.6Gy at 1.8Gy per fraction once daily, and 23 patients received 66.0Gy at 2.0Gy per fraction once daily. Follow-up period was 16-119 months (median 56 months). Results: 5-year overall survival and local control rates for patients with T1 lesions were 87.0% and 88.5%, respectively. 5-year local control with larynx preservation rate was 90.5%. Host and tumor-related prognostic factors including age, stage, anterior commissure involvement and tumor bulk proved not to be significant. Only shorter overall treatment time among treatment-related factors had correlation with imporved local control. Conclusion: Comparable high local control rate with organ preservation was achieved with primary radiation therapy and salvage surgery. Shortening of overall treatment time is related to improved local control rate. To determine the optimal fractionation scheme, randomized trial is mandatory.