Knyazev, Yuriy V.;Balaev, Dmitry A.;Yaroslavtsev, Roman N.;Krasikov, Aleksandr A.;Velikanov, Dmitry A.;Mikhlin, Yuriy L.;Volochaev, Mikhail N.;Bayukov, Oleg A.;Stolyar, Sergei V.;Iskhakov, Rauf S.
Advances in nano research
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v.12
no.6
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pp.605-616
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2022
We prepared two samples of ultrafine ferrihydrite (FH) nanoparticle ensembles of quite a different origin. First is the biosynthesized sample (as a product of the vital activity of bacteria Klebsiella oxytoca (hereinafter marked as FH-bact) with a natural organic coating and negligible magnetic interparticle interactions. And the second one is the chemically synthesized ferrihydrite (hereinafter FH-chem) without any coating and high level of the interparticle interactions. The interparticle magnetic interactions have been tuned by modifying the nanoparticle surface in both samples. The coating of the FH-bact sample has been partially removed by annealing at 150℃ for 24 h (hereinafter FH-annealed). The FH-chem sample, vice versa, has been coated (1.0 g) with biocompatible polysaccharide (arabinogalactan) in an ultrasonic bath for 10 min (hereinafter FH-coated). The changes in the surface properties of nanoparticles have been controlled by XPS. According to the electron microscopy data, the modification of the nanoparticle surface does not drastically change the particle shape and size. A change in the average nanoparticle size in sample FH-annealed to 3.3 nm relative to the value in the other samples (2.6 nm) has only been observed. The estimated particle coating thickness is about 0.2-0.3 nm for samples FH-bact and FH-coated and 0.1 nm for sample FH-annealed. Mössbauer and magnetization measurements are definitely shown that the drastic change in the blocking temperature is caused by the interparticle interactions. The experimental temperature dependences of the hyperfine field hf>(T) for samples FH-bact and FH-coated have not revealed the effect of interparticle interactions. Otherwise, the interparticle interaction energy Eint estimated from the hf>(T) for samples FH-chem and FH-annealed has been found to be 121kB and 259kB, respectively.
Park J.B.;You S.W.;Cho K.W.;Jang K.W.;Lee J.I.;Ur S.C.;Kim I.H.
Korean Journal of Materials Research
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v.15
no.2
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pp.89-92
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2005
The induction melting was employed to prepare Nb-doped $CoSb_3$ skutterudites and their thermoelectric properties were investigated. Single phase $\delta-CoSb_3$ was successfully obtained by induction melting and subsequent annealing at $400^{\circ}C$ for 2 hrs in vacuum. The positive signs of Seebeck coefficients for all the specimens revealed that Nb atoms acted as p-type dopants by substituting Co atoms. Electrical conductivity decreased and then increased with increasing temperature, indicating mixed conduction behavior. Electrical conductivity increased by Nb doping, and it was saturated at high temperature. Maximum value of the thermoelectric power factor was shifted to higher temperature with increasing the amount of Nb doping, mainly originated from the high Seebeck coefficient around mixed conduction temperature and high electrical conductivity.
PURPOSE. The objective of this study was to investigate the effect of surface treatments on microtensile bond strengths (MTBSs) of two types of indirect resin composites bonded to a conventional direct resin composite. MATERIALS AND METHODS. Indirect resin composite blocks of Ceramage and SR Nexco were prepared in a plastic mold having a dimension of $10{\times}10{\times}4\;mm$. These composite blocks were divided into three groups according to their surface treatments: Group1: Sandblast (SB); Group2: Sandblast and ultrasonically clean (SB+UL); Group3: Sandblast plus silane (SB+SI). After bonding with direct resin composite, indirect-direct resin composite blocks were kept in distilled water for 24 hours at $37^{\circ}C$ and cut into microbars with the dimension of $1{\times}1{\times}8\;mm$. Microbar specimens (n = 40 per group) were loaded using a universal testing machine. Failure modes and compositions were evaluated by SEM. The statistical analyses of MTBS were performed by two-way ANOVA and Dunnett's test at ${\alpha}=.05$. RESULTS. Surface treatments and brands had effects on the MTBS without an interaction between these two factors. For SR Nexco, the MTBSs of SB and SB+SI group were significantly higher than that of SB+UL. For Ceramage, the MTBSs of SB and SB+SI were significantly higher than that of SB+UL. The mean MTBS of the Ceramage specimens was significantly higher than that of SR Nexco for all surface treatments. CONCLUSION. Sandblasting with or without silane application could improve the bond strengths of repaired indirect resin composites to a conventional direct resin composite.
Lim, Chang Sung;Atuchin, Victor V.;Aleksandrovsky, Aleksandr S.;Denisenko, Yuriy G.;Molokeev, Maxim S.;Oreshonkov, Aleksandr S.
Korean Journal of Materials Research
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v.29
no.12
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pp.741-746
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2019
New triple tungstate phosphors NaPbLa(WO4)3:Yb3+/Ho3+ (x = Yb3+/Ho3+ = 7, 8, 9, 10) are successfully fabricated by microwave assisted sol-gel synthesis and their structural and frequency upconversion (UC) characteristics are investigated. The compounds crystallized in the tetragonal space group I41/a and the NaPbLa(WO4)3 host have unit cell parameters a = 5.3927(1) and c = 11.7961(3) Å, V = 343.05(2) Å3, Z = 4. Under excitation at 980 nm, the phosphors have yellowish green emissions, which are derived from the intense 5S2/5F4→5I8 transitions of Ho3+ ions in the green spectral range and strong 5F5→5I8 transitions in the red spectral range. The optimal Yb3+:Ho3+ ratio is revealed to be x = 9, which is attributed to the quenching effect of Ho3+ ions, as indicated by the composition dependence. The UC characteristics are evaluated in detail under consideration of the pump power dependence and Commission Internationale de L'Eclairage chromaticity. The spectroscopic features of Raman spectra are discussed in terms of the superposition of Ho3+ luminescence and vibrational lines. The possibility of controlling the spectral distribution of UC luminescence by the chemical content of tungstate hosts is demonstrated.
At the Janggun mine, boulangerite usually occurs as needles or irregularly-shaped grains, up to $500{{\mu}m}$ in longer dimensions, closely associated with galena, minerals of a tetrahedrite-freibergite series and bournonite in the peripheries of South A and B orebodies and the zone of manganoan carbonates surrounding them. In some places, especially at the top of South B orebody, it occures as "feather ore" consisting of its fine needles or "hairs" in small drusy cavities together with fine-grained euhedral galena, pyrite, manganoan carbonates, quartz, etc. In reflected light, it is bluish grey in colour exhibiting moderate bireflectance and is strongly anisotropic without any internal reflections. Reflectance in air is $R_{max}=43.2$, $R_{min}=35.7$ percent at wavelength of 580 nm, and VHN: $146-173\;kg/mm^2$ at a 50 g-load. The chemical composition on the average from 23 complete spot analyses by electron microprobe is, Pb 56.1, Sb 25.1, S 18.5, Total 99.6 (all in weight percent); the corresponding chemical formula calculated on the basis of S=11 is; $Pb_{5.16}Sb_{3.93}S_{11.0}$ which fulfils approximately the ideal formula $Pb_5Sb_4S_{11}$. The strongest reflections on the X-ray diffraction pattern are; $3.73\;{\AA}\;(10)$, $3.22\;{\AA}\;(5)$, $3.03\;{\AA}\;(4)$ and $2.82\;{\AA}\;(5)$ and the pattern is in harmonic with space group $C^5_{2h}-P2_1/a$. From the textural evidence of the microscopic observations, the mineral is considered to have been formed at the latest stage of hydrothermal lead-zinc-silver mineralization.
In the present communication, YS-27, a Korean strain of Entnnloeba histoIWtica is described for the isolation and establishment of axonic cultivation. 5. histoLvticc, designated as strain "YS-27" was isolated from the pus of a hepatic abscess obtained from a 72 you old inpatient of August 10, 1969. Specimens, were obtained by needle aspiration, inoculated immediately and weekly cultured in a modified diphasic medium at 37℃. Strain YS-27 had been maintained for more than 15 years by weekly subculture until February, 1985. These cultures were transferred to a monoxenic TTY-SB medium seeded with a trypanosomatid of the genus CyithidiG. Penicillin G, 2 to 10 H 103 International units and Streptomycin, 2 to 10 mg per 100 ml, were added to the cultures to eliminate the bacteria. After more than one year later, these two organisms were well maintained by transfer every 3 or 4 days until .January. 1986 at 37℃ in TTY-SB medium in the absence of other microorganisms. These monoxenic cultures were then transferred to TYI-S-33 medium. Strain YS-27 alone had not been growing at the time of transfer, but when overlaid with Crithinia at intervals of 3 to 4 days, strain YS-27 propagated well. The Clthidio died out several weeks later after several passages. Beginning in April, 1986, strain YS-27. was successfully established in axonic culture in TYI-S-33 medium and has been maintained in continuous culture and multiplied well to present.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.305-305
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2011
Type-II 반도체 나노 구조는 그것의 band alignment 특성으로 인해 광학 소자에 다양한 응용성을 가진다. 특히, 대표적인 Type-II 반도체 나노 구조인 InSb/InAs 양자점의 경우, 약 3~5 ${\mu}m$의 mid-infrared 영역의 spectral range를 가지므로, 장파장을 요하는 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 또한, Type-II 반도체 나노 구조의 밴드 구조를 staggered gap 혹은 broken gap 구조로 조절함으로써 infrared 영역 광소자의 전자 구조를 유용하게 바꾸어 적용할 수 있다. 최근, GaSb wafer 위에 InSb/InAsSb 양자점을 이용하여 cutoff wavelength를 6 ${\mu}m$까지 연장한 IR photodetector의 연구도 보고되고 있다. 하지만, GaSb wafer의 경우 그것의 비용 문제로 인해 산업적 적용이 쉽지 않다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 GaAs wafer와 같은 비용 효율이 높은 wafer를 사용한 연구가 필요할 것이다. 본 연구에서는 Molecular Beam Epitaxy(MBE)를 이용하여 undoped InAs wafer 와 semi-insulating GaAs wafer 상에 InSb 양자 구조를 형성한 결과를 보고한다. InSb 양자 구조는 20층 이상의 다층으로 형성되었고, 두 가지 경우 모두 400${\AA}$ spacer를 사용하였다. 단, InAs wafer 위에 형성한 InSb 양자 구조의 경우 InAs spacer를, GaAs wafer 위에 형성한 양자 구조의 경우 InAsSb spacer를 사용하였다. GaAs wafer 위에 양자 구조를 형성한 경우, InSb 물질과의 큰 lattice mismatch 차이 완화 뿐 아니라, type-II 밴드 구조 형성을 위해 1 ${\mu}m$ AlSb 층과 1 ${\mu}m$ InAsSb 층을 GaAs wafer 위에 미리 형성해 주었다. 양자 구조 형성 방법도 두 종류 wafer 상에서 다르게 적용되었다. InAs wafer 상에는 주로 일반적인 S-K 형성 방식이 적용된 것에 반해, GaAs wafer 상에는 migration enhanced 방식에 의해 양자 구조가 형성되었다. 이처럼 각 웨이퍼에 대해 다른 성장 방식이 적용된 이유는 InAsSb matrix와 InSb 물질 간의 lattice mismatch 차이가 6%를 넘지 못하여 InAs matrix에 비해 원하는 양자 구조 형성이 쉽지 않기 때문이다. 두 가지 경우에 대해 AFM과 TEM 측정으로 그 구조적 특성이 관찰되었다. 또한 infrared 영역의 소자 적용 가능성을 보기 위해 광학적 특성 측정이 요구된다.
Heo, Yeon Hee;Kim, Yong Guk;Ko, Man Gi;Kim, Kee Dong
International Journal of Highway Engineering
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v.15
no.4
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pp.127-133
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2013
PURPOSES : The impact performance of flexible barrier system such as structural response, vehicular motion and occupant safety vary depending on the impact point. Thus, to properly evaluate the performance of a flexible barrier system, impact should be made to a point which will lead to the worst possible results. This point is called the Critical Impact Point (CIP). This paper presents the way to determine the CIP for a SB2 class flexible barrier system which is consisted of Thrie-Beam rail and circular hollow tube post of 2m span. METHODS: Barrier VII simulations were made for impact points; Case 1 at a post, Case 2 at 1/3 span downstream from a post, Case 3 at middle of the span, Case 4 at 2/3 span downstream from a post. For the structural performance (deflections), impact simulation of 8000kg-65km/h-15degree was used, and for vehicle motion and occupant safety, simulation of 1300kg-80km/h-20degree impact was made and analysed. RESULTS: Case 1 gave the largest dynamic deflection of 75.72cm and also gave the largest snag value of 44.3cm. Occupant safety and exit angle of the vehicle after the impact were not sensitive to the impact point and were all below the allowable limit. CONCLUSIONS : For the SB2 class flexible barrier system's CIP can be regarded as a post which is sufficiently away from the end of Length of Need in order to avoid the end-effect of the barrier system. It can be more economic in the long run because the normal concrete pavement material is likely to cost more due to higher probability of maintenance and repair and higher social cost due to traffic accident, etc.
Kim, J.O.;Shin, H.W.;Choe, J.W.;Lee, S.J.;Kim, C.S.;Noh, S.K.
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.18
no.2
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pp.108-115
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2009
The superlattice infrared photodetector (SLIP) with an active layer of 8/8-ML InAs/GaSb type-II strained-layer superlattice (SLS) of 150 periods was grown by MBE technique, and the proto-type discrete device was defined with an aperture of $200-{\mu}m$ diameter. The contrast profile of the transmission electron microscope (TEM) image and the satellite peak in the x-ray diffraction (XRD) rocking curve show that the SLS active layer keeps abrupt interfaces with a uniform thickness and a periodic strain. The wavelength and the bias-voltage dependences of responsivity (R) and detectivity ($D^*$) measured by a blackbody radiation source give that the cutoff wavelength is ${\sim}5{\mu}m$, and the maximum Rand $D^*$ ($\lambda=3.25{\mu}m$) are ${\sim}10^3mA/W$ (-0.6 V/13 K) and ${\sim}10^9cm.Hz^{1/2}/W$ (0 V/13 K), respectively. The activation energy of 275 meV analyzed from the temperature dependent responsivity is in good agreement with the energy difference between two SLS subblevels of conduction and valence bands (HH1-C) involving in the photoresponse process.
The role and effect of Sb surfactant on structure and properties of p type gallium nitride (GaN) epilayers have been investigated. It was found that there was a increase of hole concentration with Sb surfactant, compared to typical Mg-doped p-GaN. The structural and optical quality of p-GaN epilayers were accessed by x-ray diffraction, photoluminescence and atomic force microscope measurements. The results clearly show that the increase in hole concentration with Sb surfactant can be resulted from decrease in the dislocations and nitrogen point defects.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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