초고집적(ULSI) 반도체 소자의 multilevel metalization을 위한 중간 유저네로서 저 유전상수(k<)와 높은 열적안정성(>45$0^{\circ}C$)을 갖는 새로운 물질을 도입하는 것이 필요하다. 중합체 박막은 낮은 유전상수와 높은 열적 안정성으로 인하여 low-k 물질로 적당하다고 여겨진다. PECVD에 의한 plasma polymer 박막의 증착은 많이 보고되어 왔으마 고밀도 플라즈마 형성이 가능하고 기판으로 유입되는 ion의 energy 조절이 가능한 inductively coupled plasma(ICP) CVD에 의한 plasma polymer 박막에 대한 연구는 보고된 바 없다. 본 연구에서는 Mtehyl-cyclohexane precusor를 사용하여 substrate에 bias를 주면서 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 플라즈마 폴리머 박막(plasma polymerized methyl-cyclohexane : 이하^g , pp MCH라 칭함)을 증착하였으며 ICP power와 substrate bias(SB) power가 증착된 박막의 특성에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 증착된 박막의 유전상 수 및 열적 안정성은 ICP power의 변화에 비해 SB power의 변화에 더 크게 영향을 받았다.^g , pp MCH 박막은 platinum(Pt) 기판과 silicon 기판위에서 같이 증착되었다. Methyl-cyclohexane precursor는 4$0^{\circ}C$로 유지된 bubbler에 담겨지고 carrier 가스 (H2:10%, He:90%)에 의해 reactor 내부로 유입된다.^g , pp MCH 박막은 증착압력 350 mTorr, 증착온도 6$0^{\circ}C$에서 \circled1SB power를 10W에 고정시키고 ICP power를 5W부터 70W까지, \circled2ICP power를 10W에 고정시키고 SB power를 5W부터 70W까지 변화하면서 증착하였다. 유전 상수 및 절연성은 Al/PPMCH//Pt 구조의 capacitor를 만들어서 측정하였으며, 열적 안정성은 Ar 분위기에서 30분간의 열처리 전후의 두께 변화를 측정함으로써 분석하였다. SB power 10W에서 ICP power가 5W에서 70w로 증가함에 따라 유전상수는 2.65에서 3.14로 증가하였다. 열적 안정성은 ICP power의 증가에 따라서는 크게 향상되지 않은 것으로 나타났다. ICP power 10W에서 SB power가 5W에서 70W로 증가함에 따라 유전상수는 2.63에서 3.46으로 증가하였다. 열적 안정성은 SB power의 증가에 따라 현저하게 향상되었으며 30W 이상에서 증착된 박막은 45$0^{\circ}C$까지 안정하였고, 70W에서 증착된 박막은 50$0^{\circ}C$까지 안정하였다. 열적 안정성은 ICP power의 증가에 따라서는 현저하게 향상되었다. 그 원인은 SB power의 인가에 의해 활성화된 precursor 분자들이 큰 에너지를 가지고 기판에 유입되어 치밀한 박막이 형성되었기 때문으로 사료된다.
Kim, Ji Hoon;Im, M.;Kim, D.;Woo, J.H.;Park, D.;Imanishi, M.;AMUSES Team, AMUSES Team;LQSONG Team, LQSONG Team
천문학논총
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제27권4호
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pp.281-284
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2012
We utilize AKARI's slitless spectroscopic capability to detect the $3.3{\mu}m$ polycyclic aromatic hydrocarbons (PAHs) emission and measure star formation (SF) activity for various AKARI programs. First, we obtain $2{\sim}5{\mu}m$ spectra of 20 flux-limited galaxies with mixed SED classes in order to calibrate the $3.3{\mu}m$ PAH luminosity ($L_{PAH3.3}$) as a star formation rate (SFR) indicator. We find that $L_{PAH3.3}$ correlates with $L_{IR}$ as well as with the $6.2{\mu}m$ PAH luminosity ($L_{PAH6.2}$). The correlations does not depend on SED classes. We find that ULIRGs deviate from the correlation between PAH luminosities and $L_{IR}$, while they do not for the correlation between PAH luminosities. We suggest possible effects to cause this deviation. On the other hand, how AGN activity is linked to SB activity is one of the most intriguing questions. While it is suggested that AGN luminosity of quasars correlates with starburst (SB) luminosity, it is still unclear how AGN activity is connected to SF activity based on host galaxy properties. We are measuring SFRs for the LQSONG sample consisting of reverberation mapped AGNs and PG-QSOs. This is an extension of the ASCSG program by which we investigated the connection between SB and AGN activities for Seyferts type 1s at z ~ 0.36. While we found no strong correlation between $L_{PAH3.3}$ and AGN luminosity for these Seyferts 1s, $L_{PAH3.3}$ measured from the central part of galaxies correlates with AGN luminosity, implying that SB and AGN activities are directly connected in the nuclear region.
기존의 자료로부터 얻을 수 있는 열역학적 계산에 의하면 금속 황화물을 염소가스에 의하여 금속 염화물로 얻을 수 있음을 알 수 있다. 실제로 AgS, $AS_2S_3$, CdS, CuS, $Cu_2S$, FeS, HgS, $MoS_2$, $Ni_3S_2$, PbS, $Sb_2S_3$, ZnS의 황화금속을 염소가스와 반응시켜 이를 열중량법에 의하여 고찰하였다. 이론적 계산이나 실험적 연구에서 황화물의 염소화 반응은 황화광물의 추출 야금 공정에 대한 좋은 대체 방법임을 알 수 있었다.
Learning and memory are essential requirements for every living organism in order to cope with environmental demands, and cholinergic systems are known to be involved in learning and memory. Scutellaria baicalensis (SB) and Gastrodia elata (GE) as a traditional Oriental medicine have been clinically used to treat or prevent memory deficits, including Alzheimer's disease. In the present study, we investigated the effects of SB and GE on learning and memory in the Morris water maze task and the central cholinergic system of the rats with excitotoxic medial septum lesions. In the water maze test, the animals were trained to find a platform at a fixed position over 6 days and then received a 60-s probe trial in which the platform was removed from the pool on the 7th day. Ibotenic lesion of the medial septum (MS) impaired their performance in the maze test (latency of acquisition test on the 3rd day, $27.6{\pm}$4.4 sec vs. $61.7{\pm}17.7$ sec; retention test, $7.9{\pm}1.3%$ vs. $5.7{\pm}1.0%$: sharn vs. ibotenic lesioned groups, respectively) and reduced choline acetyltransferase (ChAT) - immunoreactivity in the MS and the hippocarnpus, which is a marker for degeneration of the central cholinergic system (number of cells, $21.1{\pm}1.1$ vs. $13.2{\pm}1.3$: sham vs. ibotenic lesioned group). Daily administrations of SB (100mg/kg, p.o.) and GE (100mg/kg, p.o.) for 21 consecutive days produced significant reversals of ibotenic acid-induced deficit in learning and memory. These treatments also reduced the loss of cholinergic immunoreactivity in the MS and the hippocarnpus induced by ibotenic acid. These results demonstrated that SB and GE ameliorated learning and memory deficits through effects on the central nervous system, partly through effect on the acetylcholine system. Our studies suggest an evidence of SB and GE as treatment for Alzheimer's disease.
PRAM (phase-change random access memory)은 전류 펄스 인가에 따른 기록매질의 비정질-결정질 간 상변화와 그에 동반되는 저항변화를 이용하는 차세대 비휘발성 메모리 소자로서 연구되어지고 있다. 본 논문에서는 $(GeTe)_x(Sb_2Te_3)$ pseudobinary line을 따르는 조성(x=0.5, 1, 2, 8)의 벌크 및 박막시료를 제작하고 원자-스케일의 구조적 상변화를 분석하였다. 열증착을 이용하여 Si 기판위에 200nm 두께의 박막을 형성, 질소분위기 하에서 100-450도 범위에서 열처리 하였다. XRD를 통해 열처리 온도에 따른 구조적 분석을 실시하였다. x=8의 조성을 제외한 전체 박막에 대해 열처리 온도 증가에 따라 fcc와 hexagonal 구조가 순차적으로 나타났으며 일부에서는 혼종의 상구조를 보였다. 특히, $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막에 대하여 EXAFS (extended x-ray absorption fine structure) 및 XPS를 이용하여 상변화의 원자-스케일 구조분석을 하였다.
In this study, 0.10Pb(SbS11/2TSnS11/2T)OS13T-(0.90-x)PbZrOS13T (0.25 x 0.40) ceramics were fabricated by the atmospheric method. The sintering temperature and time were 1250[$^{\circ}C$] and 2[2hr], respectively. The structureal, dielectric and piezoelectric properties with composition of PbTiOS13T were studied. As the results of XRD ans SEM, the crystal structure of a specimen was rhombohedral, lattice constant and average grain size were decreased with increasing the contents of PbTiOS13T. Relative dielectric constant and Curie temperature were increased with increasing the contents of PbTiOS13T, 0.10PSS-0.40PT-0.50PZ specimen had the highest values of 904 and 265[$^{\circ}C$], respectively. In increasing of PbTiOS13T contents form 25[mol%] to 40[mol%], piezoelectric charge constant and electromechanical coupling factors were increased form 114[pC/N] to 142[pC/N], 17[%] to 24[%] and mechanical quality factor were decreased with increasing the contents of PbTiOS13T. In the 0.10PSS-0.40PT-0.50PZ specimens, those values were 14.2[kV/cm] and 9.43[x10S0-6TC/cmS02T], resectively.
목적 : 자궁경부암의 방사선치료 시 3차원입체조형방사선치료(3D-CRT)와 세기조절방사선치료(IMRT)는 소장의 방사선 조사선량을 감소시킬 수 있으며, 소장전위장치(SBDS)는 골반강 내의 소장 용적을 감소시킬 수 있다고 알려져 있다. 본 연구는 SBDS를 사용한 3D-CRT와 IMRT 계획을 SBDS를 사용하지 않은 계획과 비교하여, SBDS의 소장 조사선량에 대한 영향을 평가하였다 대상 및 방법 : 자궁경부암으로 근치적 방사선치료를 받은 10명의 환자를 대상으로 하였다. 각 환자에 대하여 스티로폼 압박기구와 환자에게 개별적으로 제작되는 고정기구로 구성된 SBDS를 제작하였고, SBDS가 있는 상태와 없는 상태로 복와위에서 전산화단층촬영(CT)을 시행하였다 3D-CRT는 4-field box technique을, IMRT는 15 MV X-선 7 조사문을 이용하여 계획하였으며, 회전중심점에 50 Gy (25회 분할)를 처방하였다. 비교 분석은 SBDS의 사용에 따른 소장 용적의 변화와 네 가지 계획의 소장의 선량체적히스토그람의 차이를 10 Gy 단위로 paired f-test를 이용하여 분석하였다. 결과 : 소장의 용적은 SBDS를 사용하였을 때 평균 522 cm$^{3}$에서 262 cm$^{3}$로 49.8$\%$ 감소되었다. 10 Gy부터 50 Gy까지 10 Gy 간격으로 일정한 조사선량을 받는 소장의 용적은 SBDS를 사용하였을 때 3D-CRT에서65$\~$80$\%$, IMRT에서 54$\~$67$\%$ 감소하였다. 3D-CRT와 IMRT를 서로 비교하면, 20 Gy부터 50 Gy까지 10 Gy간격으로 일정한 조사선량을 받는 소장 용적은 SBDS를 사용하지 않은 경우에는 IMRT가 6$\~$7$\%$ 정도 유의하게 적었으나 SBDS를 사용한 경우에는 1$\%$ 이내로 차이가 없었다. 결론 : 3D-CRT와 IMRT에서 SBDS를 사용할 때 소장의 조사선량을 더 감소시킬 수 있었으므로, SBDS를 치료에 이용하면 소장의 부작용을 더 감소시킬 수 있을 것이다.
p형 $(Bi,Sb)_2Te_3$ 분말을 용해/분쇄법으로 제조하여 가압소결 후 가압소결조건에 따른 열전특성을 분석하였으며, 나노개재물로서 $ZrO_2$의 첨가에 따른 열전특성의 변화거동을 분석하였다. 가압소결온도를 $350^{\circ}C$에서 $550^{\circ}C$로 증가시킴에 따라 가압소결체의 Seebeck 계수가 275 ${\mu}V$/K에서 230 ${\mu}V$/K로 감소하였으며, 전기비저항이 6.68 $m{\Omega}m$-cm에서 1.86 $m{\Omega}$-cm로 감소하였다. 1 vol% 이상의 $ZrO_2$ 함량 증가에 따라 power factor가 계속 감소하는 거동으로부터 $(Bi,Sb)_2Te_3$ 가압소결체의 최대 power factor를 얻을 수 있는 $ZrO_2$ 나노개재물의 최적 함량은 1 vol% 미만으로 판단되었다.
The structure characteristics of varistor of Zn oxide to depend on the breakdown voltage has been investigated to annealing condition by additive material of Sb$_2$O$_3$ system. The breakdown voltage that has not doping Sb$_2$O$_3$ was 235[V]. ZnO varistors was shown ohmic properties when it's applied voltage was below critical voltage. It was shown non-ohmic properties over critical voltage, because current was increased with decreasing resistance. High voltage ZnO varistors had high breakdown voltage, but it had bad electrical stability with various surge. Sb$_2$O$_3$was increased non-linear coefficient in ZnO varistors grain boundary.
The arc melting was employed to prepare undoped $CoSb_3$ compounds and their thermoelectric properties were investigated. Specimen annealed at $400^{\circ}C$ for 24 hrs showed sound microstructure. However, considerable voids and cracks were found after annealing at above $500^{\circ}C$. It seems to be attributed to the phase dissociation and thermal expansion due to phase transitions during annealing and cooling. Single phase $\delta-CoSb_3$ was successfully obtained by annealing at $400^{\circ}C$ for 24 hrs. In the case of increasing annealing temperature, phase decompositions occurred. Undoped $CoSb_3$ showed p-type conduction and intrinsic semiconducting behavior at all temperatures examined. Thermoelectric properties were remarkably improved by annealing and they were closely related to phase transitions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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