El-Rahman, H.A. Abd;Salih, S.A.;El-Wahab, A.M. Abd
Journal of Electrochemical Science and Technology
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제2권2호
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pp.76-84
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2011
Potentiostatic oxidation of Pb-1.7%Sb alloy used in the manufacture of grids of lead-acid batteries over the potential range from -1.0V to 2.3V in 5M $H_2SO_4$ in the absence and the presence of 0.4M $H_3PO_4$ and the self-discharge characteristics of the oxide layer formed is studied by electrochemical impedance spectroscopy (EIS). Depending on the potential value, sharp variations in resistance and capacitance of the alloy are recorded during the oxidation and they can be used for identification of the various substances involved in passive layer. Addition of $H_3PO_4$ is found to deteriorate the insulating properties of the passive layer by the retardation of the formation of $PbSO_4$. $H_3PO_4$ completely inhibits the current and impedance fluctuations recorded in $H_3PO_4$-free solutions in the potential range 0.5 V-1.7 V. These fluctuations are attributed to the occurrence of competitive redox processes that involve the formation of $PbSO_4$, $PbOSO_4$, PbO and $PbO_2$ and the repeated formation and breakdown of the passive layer. Self-discharge experiments indicate that the amount of $PbO_2$ formed in the presence of $H_3PO_4$ is lesser than in the $H_3PO_4$-free solutions. The start of transformation of $PbSO_4$ into $PbO_2$ is greatly shortened. $H_3PO_4$ facilitates the diffusion process of soluble species through the passive layer ($PbSO_4$ and basic $PbSO_4$) but impedes the diffusion process through $PbO_2$.
본 연구는 포세린 표면에 $CO_2$ 레이저를 조사하여 세라믹 브라켓을 부착 후 전단결합강도를 측정하고, 산부식처리 및 샌드블라스트 등의 일반적인 방법을 시행하여 그 결과를 비교 분석하여 레이저 표면처리의 효과를 연구하고자 시행되었다. 90개의 포세린($8\;{\times}\;8\;{\times}\;4\;mm$) 시편을 제작하여 각각 10개씩 9개군으로 나누었다. 대조군(C)으로 아무런 표면처리를 하지 않은 글레이즈 표면을 사용하였으며, 실험군은 인산 처리군(OFA), 인산과 silane 처리군(OFA + S), 샌드블라스팅 처리군(SB), 샌드블라스팅과 silane 처리군(SB + S), 레이저 처리군(L), 레이저와 silane 처리군(L + S), 불산 처리군(HFA), 불산과 silane 처리군(HFA + S)으로 분류하였다. 만능시험기를 이용하여 전단결합강도를 측정하고 그 파절양상을 비교 분석한 결과 불산과 silane을 동시에 처리한 군에서 가장 높은 값($13.92\;{\pm}\;1.92\;MPa$)을 보였으며, 측정값은 SB + S ($10.16\;{\pm}\;1.27\;MPa$), HFA (10.09\;{\pm}\;1.07\;MPa$), L + S ($8.25\;{\pm}\;1.24\;MPa$), L ($7.86\;{\pm}\;0.96\;MPa$), OFA + S ($7.22\;{\pm}\;1.09\;MPa$), SB ($3.41\;{\pm}\;0.37\;MPa$), OFA ($2.81\;{\pm}\;0.37\;MPa$), 대조군($2.46\;{\pm}\;1.36\;MPa$) 순이었다. 브라켓 부착 시 치과용 레이저를 이용한 포세린의 표면처리 결과 전단결합강도의 값은 임상적으로 받아들여질 만한 수치를 보였으며 레이저와 silane을 동시에 처리한 군과는 통계적으로 유의할 만한 차이를 보이지 않았다(p > 0.05). 이상의 연구결과는 포세린 표면에 세라믹 브라켓 부착 시 2-watt의 $CO_2$ 레이저를 사용하여 전처리를 하는 방법은 시간절약의 관점에서 임상적으로 표면 전처리의 적절한 치료 대안이 될 수 있음을 보여주었다.
본고는 텔레비전 드라마의 인기를 실감하여 대중이 선호하는 텔레비전 멜로드라마의 특성을 알아보고자 하였다. 2000년부터 2012년까지 방송 3사에서 방영된 텔레비전 멜로드라마를 대상으로 드라마의 유형, 갈등 요소, 애정 구도를 중심으로 이야기 구조를 분석하였다. 또한 남녀주인공의 직업, 성격, 이미지를 중심으로 드라마에 나오는 남녀주인공의 특성도 방송사별로 분석하였다. MBC와 SBS는 '로맨스 멜로드라마'가 대다수였으나 KBS는 '가족 멜로드라마'와 '코미디 멜로드라마'가 많았다. 갈등 요소에서, MBC는 '사랑과 성공을 위한 경쟁', SBS는 '빈부 격차를 극복한 사랑', KBS는 '온달을 왕자로 만들기 위한 노력'으로 각기 다르게 나타났다. 애정 구도는 SBS와 KBS는 하나의 삼각관계가 가장 많이 나타났고, MBC는 두 개의 삼각관계 구도를 보였다. 세 방송사 모두 남자주인공의 직업은 '재벌', 여자주인공의 직업은 '회사원'이 가장 많았다. 남자주인공의 성격은 방송사별로 다르게 나왔는데, MBC에서는 '낙천적 성격', SBS에서는 '안하무인', KBS에서는 '단순/순진'이 가장 빈번하게 나타났다. 반면 여자주인공의 성격은 세 방송사 모두 '명랑'이 가장 많았다. MBC와 SBS에서는 '능력형'의 남성상을, KBS에서는 '유아독존형' 남성상이 많았으며 여성상으로는 세 방송사 모두 '캔디/생계형'이 가장 많았다.
In this study, a thick-film semiconductor odor gas sensor for the detection of $CH_3$SH was developed using SnO$_2$ as the main substrate and was investigated in terms of its sensitivity and reaction time. In the process of manufacturing the sensor, Taguchi's design of experiment (DOE) was applied to analyze the effects of a variety of parameters, including the substrate, the additives and the fabrication conditions, systematically and effectively. Eight trials of experiments could be possible using the 27 orthogonal array for the seven factors and two levels of condition, which originally demands 128 trials of experiments without DOE. The additives of Sb$_2$O$_{5}$ and PdCl$_2$ with the H$_2$PtCl$_{6}$ ㆍ6$H_2O$ catalyst were appeared to be important factors to improve the sensitivity, and CuO, TiO$_2$, V$_2$O$_{5}$ and PdO were less important. In addition, TiO$_2$, V$_2$O$_{5}$ and PdO would improve the reaction time of a sensor, and CuO, Sb$_2$O$_{5}$, PdCl$_2$ and H$_2$PtCl$_{6}$ㆍ6$H_2O$ were negligible. Being evaluated simultaneously in terms of both sensitivity and reaction time, the sensor showed the higher performance with the addition of TiO$_2$ and PdO, but the opposite results with the addition of CuO, V$_2$O$_{5}$, Sb$_2$O$_{5}$ and PdCl$_2$. The amount of additives were superior in the case of 1% than 4%. H$_2$PtCl$_{6}$ㆍ6$H_2O$ would play an important role for the increase of sensor performance as a catalyst.nce as a catalyst.
둥근마를 신선편이 형태로 제조 포장하여 소비를 촉진하고자 하였으며, 박피 및 dice형태로 자른 둥근마를 세척, 열수 및 2%염수에서 블랜칭 처리를 한 후 온도에 따라 예건처리를 하여 진공포장을 한 후 $2^{\circ}C$에 저장하면서 품질의 변화를 비교 검토하였다. 블랜칭 처리 후, HB마가 경도가 가장 낮았으며 포장 전 $40^{\circ}C$ 및 $50^{\circ}C$에서 30분간 예건처리한 것이 상온에서 처리한 것보다 경도가 높게 나타났고, 저장일수가 증가할수록 미미하게 경도가 증가하는 경향이었다. Adhesiveness는 SB50마가 가장 높게 나타났으며 저장기간 동안 다른 처리구에 비하여 높은 값을 보여주었다. 둥근마 dice의 초기색도는 L 값은 WRT마가 가장 높았고, a 값은 HBRT마가 가장 낮은 값을 보였으며, W40마가 가장 높은 값을 보였다. 저장일수가 증가할수록 L 값과 a 값은 SB50마가 감소의 폭이 가장 적었고 b 값은 W40마가 가장 변하지 않았다. 진공포장하여 저장한 dice마에서 대장균군은 검출되지 않았으며 저장 90일째까지 세균수가 가장 적은 처리구는 SB50마이었고, 그 다음이 HB50마이었으며 초기 세균수가 적으면서 진공포장이 유지된 WRT마에서도 저장성이 인정되었다. 둥근마 원료의 dioscin과 diosgenin의 함량은 건물중으로 17.65 mg% 및 6.35 mg%이었으며 전처리를 행한 결과 dioscin함량은 HB마가 15.35-16.10 mg%로 가장 높았지만 저장일수가 증가하는 동안 감소의 폭이 가장 적었던 처리구는 SB마이었다. Diosgenin함량은 저장 전 마중에 SB40과 SB50마가 6.22 및 6.21 mg%로 가장 높은 함량을 보였으나 저장일수가 증가할수록 감소하는 경향이었다. 원료마 중 allantoin 및 allantoic acid의 함량은 각각 및 3.66 mg/g 및 28.70 mg/g이었으며 전 처리한 시료 중에서 W40과 W50마에서 각각 5.21 mg/g, 및 4.66 mg/g으로 원료가 가진 함량보다 높게 나타났고 저장 30일까지는 약간 감소하는 경향이었으나 그 이후는 함량이 크게 변하지 않았다. Allantoic acid함량의 변화를 보면 저장 30일째까지는 약간 증가하는 처리구가 있었으나 대부분 저장기간일 길어질수록 감소하는 경향을 보였다. 이상의 결과를 요약해보면 둥근마를 dice형태로 자른 후 2% 염수에 30초간 블랜칭하여 진공포장하면 $2^{\circ}C$에서 60-90일간은 유통기한 및 품질유지에 효과적이어서 신선편이 형태로 이용 가능할 것으로 판단된다.
Recently, as the down-scailing of field-effect transistor devices continues, Schottky-barrier field-effect transistors (SB-FETs) have attracted much attention as an alternative to conventional MOSFETs. SB-FETs have advantages over conventional devices, such as low parasitic source/drain resistance due to their metallic characteristics, low temperature processing for source/drain formation and physical scalability to the sub-10nm regime. The good scalability of SB-FETs is due to their metallic characteristics of source/drain, which leads to the low resistance and the atomically abrupt junctions at metal (silicide)-silicon interface. Nevertheless, some reports show that SB-FETs suffer from short channel effect (SCE) that would cause severe problems in the sub 20nm regime.[Ouyang et al. IEEE Trans. Electron Devices 53, 8, 1732 (2007)] Because source/drain barriers induce a depletion region, it is possible that the barriers are overlapped in short channel SB-FETs. In order to analyze the SCE of SB-FETs, we carried out systematic studies on the Schottky barrier overlapping in short channel SB-FETs using a SILVACO ATLAS numerical simulator. We have investigated the variation of surface channel band profiles depending on the doping, barrier height and the effective channel length using 2D simulation. Because the source/drain depletion regions start to be overlapped each other in the condition of the $L_{ch}$~80nm with $N_D{\sim}1\times10^{18}cm^{-3}$ and $\phi_{Bn}$$\approx$ 0.6eV, the band profile varies as the decrease of effective channel length $L_{ch}$. With the $L_{ch}$~80nm as a starting point, the built-in potential of source/drain schottky contacts gradually decreases as the decrease of $L_{ch}$, then the conduction and valence band edges are consequently flattened at $L_{ch}$~5nm. These results may allow us to understand the performance related interdependent parameters in nanoscale SB-FETs such as channel length, the barrier height and channel doping.
Background: The rostral ventromedial medulla (RVM) is a critical region for the management of nociception. The RVM is also involved in learning and memory processes due to its relationship with the hippocampus. The purpose of the present study was to investigate the molecular mechanisms behind orexin-A signaling in the RVM and hippocampus's effects on capsaicin-induced pulpal nociception and cognitive impairments in rats. Methods: Capsaicin (100 g) was applied intradentally to male Wistar rats to induce inflammatory pulpal nociception. Orexin-A and an orexin-1 receptor antagonist (SB-334867) were then microinjected into the RVM. Immunoblotting and immunofluorescence staining were used to check the levels of cyclooxygenase-2 (COX-2) and brain-derived neurotrophic factor (BDNF) in the RVM and hippocampus. Results: Interdental capsaicin treatment resulted in nociceptive responses as well as a reduction in spatial learning and memory. Additionally, it resulted in decreased BDNF and increased COX-2 expression levels. Orexin-A administration (50 pmol/1 µL/rat) could reverse such molecular changes. SB-334867 microinjection (80 nM/1 µL/rat) suppressed orexin's effects. Conclusions: Orexin-A signaling in the RVM and hippocampus modulates capsaicin-induced pulpal nociception in male rats by increasing BDNF expression and decreasing COX-2 expression.
Dieletric ailed piezoelectric properties of Pb[$Zr_{0.45}$/ $Ti_{0.5-x}$/L $u_{x}$ (M $n_{1}$3//S $b_{2}$3)$_{0.05}$] $O_3$(0$\leq$x $\leq$0.03) were investigated. The partial substitution of $Ti^{4+}$ by a L $u^{3+}$ permitted improvement of the piezoelectric constant( $d_{33}$ ), electromechanical coupling factor ( $k_{p}$ ) and dielectric constant($\varepsilon$$_{33}$ /Sup T/). The dielectric loss(tan $\delta$ ) increased and mechanical quality factor(Qm) decreased with an increase of x were observed. A new piezoelectric material for actuator application was developed at x=0.02 with $d_{33}$ =370$\times$10$^{-2}$ /C/N, $k_{p}$ =58.5%, $\varepsilon$$_{33}$$^{T}$ =1321, $Q_{m}$ =714 and tan $\delta$ =0.98%.%..%.%.
질소 등을 GST225 상변화재료에 첨가시켜 비저항을 증가시킴으로서 PCRAM의 동작 전류를 감소시킨 연구가 선행된 바 있다. 본 연구에서는 GST225와 달리 고속 동작 특성을 갖는 것으로 널리 알려진 Ge-doped SbTe (GeST) 상변화 재료에 Carbon을 첨가하여 박막 특성을 연구하여 동작 전류 감소의 가능성을 타진하였다. 실험을 위한 박막 제작을 위해 2 inch size의 GeST 및 C doped GeST (C-GeST) single target을 이용하여 RF magnetron co-sputtering 하였다. 박막은 carbon이 첨가되지 않은 GeST와 carbon 첨가량이 늘어나는 순서로 C-GeST 1, C-GeST 2, C-GeST 3로 구성된다. 이 때 제작한 박막의 composition analysis를 위해 XRF/RBS/AES가 사용되었고 제작된 박막의 기본적인 특성평가를 위해 resistivity(${\rho}$)와 crystallzation temp.(Cx), surface morphology(AFM), x-ray diffraction pattern(XRD)를 측정하였다. 실험결과 GeST, C-GeST 1, C-GeST 2, C-GeST 3 박막의 Cx는 각각 209, 225, 233, $245^{\circ}C$로 측정되어 carbon 첨가량이 증가됨에 따라 결정화 온도가 증가되는 것을 알 수 있었다. 또한 ${\rho}$도 마찬가지로 annealing 온도를 약 $320^{\circ}C$로 할 경우 ${\rho}$(as-dep)와 ${\rho}$(crystalline) 모두 0.03 / $2.61*10^{-6}$, 0.08 / $7.93*10^{-6}$, 0.09 / $11.99*10^{-6}$, 0.13 / $13.49*10^{-6}{\Omega}{\cdot}m$로 증가하였다. 증가된 ${\rho}$의 원인이 박막의 grain size의 감소라고 단언 할 수는 없으나 AFM 측정결과 grain이라고 추측되는 박막 feature들의 size가 점차 감소하는 것을 확인하였다.
각종 무수금속염화물을 양이온 교환수지(PK 212)와 같이 이황화탄소 용매속에서 반응시켜 고분자 금속콤플렉스 ${\circled{P}}-AlC_3,\;{\circled{P}}>-FeCl_3,\;{\circled{P}}-SbCl_5,\;{\circled{P}}-SnCl_4,\;{\circled{P}}- ZnCl_2$들을 각각 합성하여 이들의 표면과 절단면을 scanning electron probe microanalyzer로 관찰하였다. 합성된 고분자 금속콤플렉스를 각종 이염기성산과 알코올의 에스테르화 반응에 촉매로 이용하여 고분자 금속콤플렉스의 촉매효과를 비교 검토한 결과 이염기성 카르복실산의 에스테르화 반응에 있어서 고분자 금속콤플렉스들은 유용한 촉매임을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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